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1. 发明专利

TW202022992A 半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW202022992A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW108142046
申请日：2019-11-20
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：鄞金木 , YIN, JIN-MU , 高弘昭 , KAO, HUNG-CHAO , 陳殿豪 , CHEN, DIAN-HAU , 陳蕙祺 , CHEN, HUI-CHI , 沈香谷 , SHEN, HSIANG-KU , 陳燕銘 , CHEN, YEN-MING
IPC分类号： H01L21/822
摘要：本發明實施例揭露三維金屬-絕緣體-金屬超高密度（3D-MIM-SHD）電容器和半導體裝置的製造方法。一種方法包含在半導體基底上方沉積第一介電材料的基礎層，以及在基礎層中蝕刻出一系列凹槽。一旦將一系列凹槽蝕刻至基礎層中，就可以在此系列凹槽中沉積一系列導電層和介電層，以形成由介電層隔開的三維波狀導電層堆疊。可以形成第一接觸插塞穿過波狀堆疊的中間導電層，並且可以形成第二接觸插塞穿過波狀堆疊的頂部導電層和底部導電層。接觸插塞將導電層電耦合至半導體基底的一或多個主動裝置。
简体摘要：本发明实施例揭露三维金属-绝缘体-金属超高密度（3D-MIM-SHD）电容器和半导体设备的制造方法。一种方法包含在半导体基底上方沉积第一介电材料的基础层，以及在基础层中蚀刻出一系列凹槽。一旦将一系列凹槽蚀刻至基础层中，就可以在此系列凹槽中沉积一系列导电层和介电层，以形成由介电层隔开的三维波状导电层堆栈。可以形成第一接触插塞穿过波状堆栈的中间导电层，并且可以形成第二接触插塞穿过波状堆栈的顶部导电层和底部导电层。接触插塞将导电层电耦合至半导体基底的一或多个主动设备。

2. 发明专利

TWI677054B 用於電阻式晶種基板電鍍之導電匯流排條的結構及方法有权
简体标题：用于电阻式晶种基板电镀之导电总线条的结构及方法
公开(公告)号：TWI677054B
公开(公告)日：2019-11-11
申请号：TW106122847
申请日：2017-07-07
申请人：美商格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：阿梅德薩法特 , AHMED, SHAFAAT , 迪斯班德沙達南德維南亞克 , DESPANDE, SADANAND VINAYAK , 荻野淳 , OGINO, ATSUSHI
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/822 , H01L23/528 , H01L23/544

3. 发明专利

TW201838094A 層疊半導體積體電路裝置审中-公开
简体标题：层叠半导体集成电路设备
公开(公告)号：TW201838094A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：TW107104889
申请日：2018-02-12
申请人：學校法人慶應義塾 , KEIO UNIVERSITY
发明人：黒田忠広 , KURODA, TADAHIRO
IPC分类号： H01L21/822 , H01L23/52
摘要：有關層疊半導體積體電路裝置，實現安定的層疊構造。　　在第1半導體積體電路裝置設置：　　第1n型貫通半導體領域，其係將第1p型半導體基體貫通於厚度方向，且連接於接地電源電位；及　　第2n型貫通半導體領域，其係連接於正電源電位，　　對於第1半導體積體電路裝置層疊第2半導體積體電路裝置，該第2半導體積體電路裝置係具有分別連接至第1n型貫通半導體領域與第2n型貫通半導體領域的第1電極及第2電極。
简体摘要：有关层叠半导体集成电路设备，实现安定的层叠构造。　　在第1半导体集成电路设备设置：　　第1n型贯通半导体领域，其系将第1p型半导体基体贯通于厚度方向，且连接于接地电源电位；及　　第2n型贯通半导体领域，其系连接于正电源电位，　　对于第1半导体集成电路设备层叠第2半导体集成电路设备，该第2半导体集成电路设备系具有分别连接至第1n型贯通半导体领域与第2n型贯通半导体领域的第1电极及第2电极。

4. 发明专利

TW201824312A 薄膜電容器及半導體裝置审中-公开
简体标题：薄膜电容器及半导体设备
公开(公告)号：TW201824312A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106133553
申请日：2017-09-29
申请人：野田士克林股份有限公司 , NODA SCREEN CO., LTD.
发明人：吉澤正充 , YOSHIZAWA, MASAMITSU , 服部篤典 , HATTORI, ATSUNORI , 波多野弘孝 , HATANO, HIROTAKA , 楠本和貴 , KUSUMOTO, KAZUKI
IPC分类号： H01G4/33 , H01G4/005 , H01L21/3205 , H01L21/822 , H01L27/04
摘要：本發明為一種被配置於包含半導體晶片(50)的半導體裝置(100)的再配線層(10)之薄膜電容器(20)，　　薄膜電容器(20)係具備：　　電容器本體部(21)，其係由第1電極(21A)、形成於第1電極上的介電質(21B)及形成於介電質上的第2電極(21C)所成；及　　黏著部(22)，其係被設於第1電極(21A)的下面，被使用在將該薄膜電容器(20)貼於半導體晶片(50)的保護膜(52)上時。　　電容器本體部(21)與黏著部(22)的厚度的總計為20μm以下。
简体摘要：本发明为一种被配置于包含半导体芯片(50)的半导体设备(100)的再配线层(10)之薄膜电容器(20)，　　薄膜电容器(20)系具备：　　电容器本体部(21)，其系由第1电极(21A)、形成于第1电极上的介电质(21B)及形成于介电质上的第2电极(21C)所成；及　　黏着部(22)，其系被设于第1电极(21A)的下面，被使用在将该薄膜电容器(20)贴于半导体芯片(50)的保护膜(52)上时。　　电容器本体部(21)与黏着部(22)的厚度的总计为20μm以下。

5. 发明专利

TW201820356A 附電容器之半導體裝置审中-公开
简体标题：附电容器之半导体设备
公开(公告)号：TW201820356A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW106127288
申请日：2017-08-11
申请人：日商村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：小林尚之 , KOBAYASHI, NAOYUKI
IPC分类号： H01G4/002 , H01L21/822 , H01L23/12 , H01L25/00 , H01L27/04
摘要：本發明提供一種即便發生溫度變化，仍可抑制彎曲、半導體元件破損、或連接不良等情形發生之附電容器之半導體裝置。本發明具備：由Si所形成之至少1個Si半導體元件3、以及由Si所形成之至少1個Si電容器4；Si半導體元件3與Si電容器4分別藉由安裝於由Si所形成之1個Si中介板1而於平面方向上排列配置。
简体摘要：本发明提供一种即便发生温度变化，仍可抑制弯曲、半导体组件破损、或连接不良等情形发生之附电容器之半导体设备。本发明具备：由Si所形成之至少1个Si半导体组件3、以及由Si所形成之至少1个Si电容器4；Si半导体组件3与Si电容器4分别借由安装于由Si所形成之1个Si中介板1而于平面方向上排列配置。

6. 发明专利

TWI621214B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI621214B
公开(公告)日：2018-04-11
申请号：TW102128098
申请日：2013-08-06
申请人：瑞薩電子股份有限公司 , RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
发明人：帰山隼一 , KAERIYAMA, SHUNICHI
IPC分类号： H01L21/822 , H01L27/04 , H04L25/02
CPC分类号： H01L23/34 , H01L23/345 , H01L23/5222 , H01L23/5227 , H01L23/528 , H01L23/62 , H01L23/645 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/0657 , H01L25/16 , H01L27/0248 , H01L2224/05554 , H01L2224/48137 , H01L2224/49113 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L2224/45099

7. 发明专利

TWI620327B 半導體結構有权
简体标题：半导体结构
公开(公告)号：TWI620327B
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW104116929
申请日：2008-12-30
申请人：世界先進積體電路股份有限公司 , VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：杜尙暉 , TU, SHANG HUI , 蔡宏聖 , TSAI, HUNG SHERN
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/822

8. 发明专利

TW201735130A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201735130A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW106103844
申请日：2017-02-06
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 遠藤佑太 , ENDO, YUTA , 加藤清 , KATO, KIYOSHI , 岡本悟 , OKAMOTO, SATORU
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/822 , H03K19/173
CPC分类号： H01L27/1207 , H01L21/0214 , H01L21/02178 , H01L21/02183 , H01L21/02266 , H01L21/02271 , H01L21/0228 , H01L21/76825 , H01L21/76834 , H01L21/8258 , H01L23/528 , H01L23/53295 , H01L27/0629 , H01L27/0688 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L27/1052 , H01L27/1225 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/78648 , H01L29/7869
摘要：本發明提供一種適合於微型化及高集成化的可靠性高的半導體裝置。該半導體裝置包括：第一絕緣體；第一絕緣體上的電晶體；電晶體上的第二絕緣體；嵌入在第二絕緣體的開口中的第一導電體；第一導電體上的障壁層；在第二絕緣體及障壁層上的第三絕緣體；以及第三絕緣體上的第二導電體，其中第一絕緣體、第三絕緣體及障壁層對氧及氫具有阻擋性，第二絕緣體包括過量氧區域，電晶體包括氧化物半導體，並且障壁層、第三絕緣體及第二導電體被用作電容器。
简体摘要：本发明提供一种适合于微型化及高集成化的可靠性高的半导体设备。该半导体设备包括：第一绝缘体；第一绝缘体上的晶体管；晶体管上的第二绝缘体；嵌入在第二绝缘体的开口中的第一导电体；第一导电体上的障壁层；在第二绝缘体及障壁层上的第三绝缘体；以及第三绝缘体上的第二导电体，其中第一绝缘体、第三绝缘体及障壁层对氧及氢具有阻挡性，第二绝缘体包括过量氧区域，晶体管包括氧化物半导体，并且障壁层、第三绝缘体及第二导电体被用作电容器。

9. 发明专利

TW201729345A 單多晶矽非揮發性記憶體單元、其之陣列、以及其之操作方法审中-公开
简体标题：单多晶硅非挥发性内存单元、其之数组、以及其之操作方法
公开(公告)号：TW201729345A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW105127257
申请日：2016-08-25
申请人：愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：金南潤 , KIM, NAM YOON
IPC分类号： H01L21/822 , H01L27/105
CPC分类号： H01L27/11558 , G11C16/0408 , G11C16/045 , G11C16/10 , G11C16/14 , G11C16/18 , G11C16/26 , G11C2216/10 , H01L23/528 , H01L27/11524 , H01L27/11529 , H01L27/11534
摘要：一種單多晶矽NVM單元包括：第一N型阱區域和第二N型阱區域，通過P型半導體層而彼此間隔開；第一主動區域和第二主動區域，分別設置在第一N型阱區域和第二N型阱區域中；P通道浮置閘極電晶體，包括在第一主動區域中設置的浮置閘極、在第一主動區域中設置的P型汲極區域以及在第一主動區域中設置的P型接面區域，其中，浮置閘極延伸至第二主動區域之上；P通道讀取選擇電晶體，包括在第一主動區域中設置的讀取選擇閘極電極、在第一主動區域中設置的P型接面區域以及在第一主動區域中設置的P型源極區域；以及互連線，將第一N型阱區域連接至P通道讀取選擇電晶體的P型源極區域。
简体摘要：一种单多晶硅NVM单元包括：第一N型阱区域和第二N型阱区域，通过P型半导体层而彼此间隔开；第一主动区域和第二主动区域，分别设置在第一N型阱区域和第二N型阱区域中；P信道浮置闸极晶体管，包括在第一主动区域中设置的浮置闸极、在第一主动区域中设置的P型汲极区域以及在第一主动区域中设置的P型接面区域，其中，浮置闸极延伸至第二主动区域之上；P信道读取选择晶体管，包括在第一主动区域中设置的读取选择闸极电极、在第一主动区域中设置的P型接面区域以及在第一主动区域中设置的P型源极区域；以及互连接，将第一N型阱区域连接至P信道读取选择晶体管的P型源极区域。

10. 发明专利

TWI594419B 半導體元件及其製造方法有权
简体标题：半导体组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI594419B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW104139949
申请日：2015-11-30
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：江國誠 , CHING, KUO CHENG , 蔡慶威 , TSAI, CHING WEI , 王志豪 , WANG, CHIH HAO , 連萬益 , LIEN, WAI YI
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/43 , H01L29/78 , H01L21/822 , H01L21/20
CPC分类号： H01L29/7848 , H01L21/02236 , H01L21/0228 , H01L21/02524 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/02645 , H01L21/7624 , H01L29/0638 , H01L29/1604 , H01L29/1608 , H01L29/165 , H01L29/401 , H01L29/51 , H01L29/517 , H01L29/66795 , H01L29/66818 , H01L29/785

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