基本信息:
- 专利标题： 附電容器之半導體裝置
- 专利标题（中）：附电容器之半导体设备
- 申请号：TW106127288 申请日：2017-08-11
- 公开(公告)号：TW201820356A 公开(公告)日：2018-06-01
- 发明人： 小林尚之 , KOBAYASHI, NAOYUKI
- 申请人： 日商村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
- 专利权人： 日商村田製作所股份有限公司,MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
- 当前专利权人： 日商村田製作所股份有限公司,MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
- 代理人： 閻啟泰; 林景郁
- 优先权： JP2016-161029 20160819
- 主分类号： H01G4/002
- IPC分类号： H01G4/002 ; H01L21/822 ; H01L23/12 ; H01L25/00 ; H01L27/04
摘要：
本發明提供一種即便發生溫度變化，仍可抑制彎曲、半導體元件破損、或連接不良等情形發生之附電容器之半導體裝置。 本發明具備：由Si所形成之至少1個Si半導體元件3、以及由Si所形成之至少1個Si電容器4；Si半導體元件3與Si電容器4分別藉由安裝於由Si所形成之1個Si中介板1而於平面方向上排列配置。
摘要（中）：
本发明提供一种即便发生温度变化，仍可抑制弯曲、半导体组件破损、或连接不良等情形发生之附电容器之半导体设备。 本发明具备：由Si所形成之至少1个Si半导体组件3、以及由Si所形成之至少1个Si电容器4；Si半导体组件3与Si电容器4分别借由安装于由Si所形成之1个Si中介板1而于平面方向上排列配置。
公开/授权文献:
- TWI651741B 附電容器之半導體裝置 公开/授权日：2019-02-21
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01G | 电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件 |
| ------H01G4/00 | 固定电容器；及其制造方法 |
| --------H01G4/002 | .零部件 |