基本信息:
- 专利标题: 用於電阻式晶種基板電鍍之導電匯流排條的結構及方法
- 专利标题(英):STRUCTURE AND METHOD OF CONDUCTIVE BUS BAR FOR RESISTIVE SEED SUBSTRATE PLATING
- 专利标题(中):用于电阻式晶种基板电镀之导电总线条的结构及方法
- 申请号:TW106122847 申请日:2017-07-07
- 公开(公告)号:TWI677054B 公开(公告)日:2019-11-11
- 发明人: 阿梅德 薩法特 , AHMED, SHAFAAT , 迪斯班德 沙達南德 維南亞克 , DESPANDE, SADANAND VINAYAK , 荻野淳 , OGINO, ATSUSHI
- 申请人: 美商格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
- 专利权人: 美商格羅方德半導體公司,GLOBALFOUNDRIES US INC.
- 当前专利权人: 美商格羅方德半導體公司,GLOBALFOUNDRIES US INC.
- 代理人: 洪武雄; 陳昭誠
- 优先权: 15/362,499 20161128
- 主分类号: H01L21/768
- IPC分类号: H01L21/768 ; H01L21/822 ; H01L23/528 ; H01L23/544
公开/授权文献:
- TW201834144A 用於電阻式晶種基板電鍍之導電匯流排條的結構及方法 公开/授权日:2018-09-16
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01L | 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件 |
------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
--------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
------------H01L21/768 | ...利用互连在器件中的分离元件间传输电流 |