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1. 发明专利

TW201802811A 動態隨機存取記憶體，儲存資料及讀取和刷新的方法审中-公开
简体标题：动态随机存取内存，存储数据及读取和刷新的方法
公开(公告)号：TW201802811A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW105142998
申请日：2016-12-23
申请人：深圳星憶存儲科技有限公司 , SHENZHEN XINGMEM TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：劉波 , LIU, BO
IPC分类号： G11C11/406 , G11C11/4076 , G11C11/4096 , G11C29/02 , G11C29/44
CPC分类号： G11C11/40615 , G11C7/1006 , G11C8/18 , G11C11/406 , G11C11/40603 , G11C11/40618 , G11C11/4074 , G11C11/4076 , G11C11/4096 , G11C29/02 , G11C29/44 , G11C2211/4062
摘要：本發明揭示一種具有編碼位元和自我刷新功能的動態隨機存取記憶體(DRAM)。在一個特定示範性實施例中，將至少一個編碼位元附加到N個位元的使用者資料中從而形成新的編碼資料。使用者資料儲存在複數個使用者資料子陣列上，編碼位元儲存在相應的編碼位元子陣列上。基於每個使用者指定的行地址和列地址，每個子陣列儲存至少一個位元。在刷新操作或使用者操作中獨立地對每個子陣列進行控制。刷新操作一次只在複數個子陣列中的至少一個子陣列上進行，使用者操作則在複數個子陣列的其他子陣列上進行。錯誤檢測和糾正電路使用編碼位元並根據進行刷新的子陣列的地址資訊來檢測錯誤並糾正位元錯誤。使用者讀取操作和內部刷新操作可以同時進行。
简体摘要：本发明揭示一种具有编码比特和自我刷新功能的动态随机存取内存(DRAM)。在一个特定示范性实施例中，将至少一个编码比特附加到N个比特的用户数据中从而形成新的编码数据。用户数据存储在复数个用户数据子数组上，编码比特存储在相应的编码比特子数组上。基于每个用户指定的行地址和列地址，每个子数组存储至少一个比特。在刷新操作或用户操作中独立地对每个子数组进行控制。刷新操作一次只在复数个子数组中的至少一个子数组上进行，用户操作则在复数个子数组的其他子数组上进行。错误检测和纠正电路使用编码比特并根据进行刷新的子数组的地址信息来检测错误并纠正比特错误。用户读取操作和内部刷新操作可以同时进行。

2. 发明专利

TWI597509B 在平行測試中的雙倍資料速率之技術有权
简体标题：在平行测试中的双倍数据速率之技术
公开(公告)号：TWI597509B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW104136851
申请日：2015-11-09
申请人：英特爾公司 , INTEL CORPORATION
发明人：阮勇 , NGUYEN, DZUNG , 于練 , VU, LUYEN T.
IPC分类号： G01R31/3177 , G01R31/3185 , G11C29/02 , G11C29/08
CPC分类号： G11C29/08 , G01R31/3177 , G01R31/318536 , G11C7/1093 , G11C11/401 , G11C16/32 , G11C29/02 , G11C29/022 , G11C29/023 , G11C29/028 , G11C29/10 , G11C29/1201 , G11C29/48 , G11C29/50012

3. 发明专利

TW201701294A 自我修復裝置及其方法审中-公开
简体标题：自我修复设备及其方法
公开(公告)号：TW201701294A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW104131873
申请日：2015-09-25
申请人：愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：沈榮輔 , SHIM, YOUNG BO
IPC分类号： G11C29/02 , G11C29/44
CPC分类号： G11C29/78 , G11C17/16 , G11C17/18 , G11C29/4401 , G11C29/76 , G11C29/787 , G11C2029/4402
摘要：一種自我修復裝置可以包括：電熔絲陣列，被配置為將故障位址的位元資訊儲存在熔絲中；電熔絲控制器，被配置為在出現故障時儲存與故障位元對應的列位址或行位址，透過將測試期間輸入的故障位址與儲存在其中的位址進行比較來產生修復位址，輸出用於控制電熔絲陣列的熔斷操作的熔斷致能訊號，以及回應於故障位址來輸出列熔絲組資料或行熔絲組資料；以及列/行冗餘單元，被配置為回應於從電熔絲陣列施加的列熔絲組資料或行熔絲組資料來執行一列冗餘操作或行冗餘操作。
简体摘要：一种自我修复设备可以包括：电熔丝数组，被配置为将故障位址的比特信息存储在熔丝中；电熔丝控制器，被配置为在出现故障时存储与故障比特对应的列位址或行位址，透过将测试期间输入的故障位址与存储在其中的位址进行比较来产生修复位址，输出用于控制电熔丝数组的熔断操作的熔断致能信号，以及回应于故障位址来输出列熔丝组数据或行熔丝组数据；以及列/行冗余单元，被配置为回应于从电熔丝数组施加的列熔丝组数据或行熔丝组数据来运行一列冗余操作或行冗余操作。

4. 发明专利

TW201640514A 記憶體測試系統及其測試方法审中-公开
简体标题：内存测试系统及其测试方法
公开(公告)号：TW201640514A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：TW104114562
申请日：2015-05-07
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：張昆輝 , CHANG, KUEN HUEI
IPC分类号： G11C29/02
摘要：一種記憶體測試系統及其測試方法。其中，記憶體測試系統包括記憶體測試器以及記憶體單元。記憶體測試器在測試期間產生資料選通訊號。記憶體單元在測試期間偵測資料選通訊號的致能而輸出具備所儲存的測試資料的測試資料訊號至記憶體測試器。記憶體測試器依據測試資料判斷記憶體單元是否損壞。
简体摘要：一种内存测试系统及其测试方法。其中，内存测试系统包括内存测试器以及内存单元。内存测试器在测试期间产生数据选通信号。内存单元在测试期间侦测数据选通信号的致能而输出具备所存储的测试数据的测试数据信号至内存测试器。内存测试器依据测试数据判断内存单元是否损坏。

5. 发明专利

TWI534819B 於靜態電流測試下檢測全域字元線缺陷有权
简体标题：于静态电流测试下检测全域字符线缺陷
公开(公告)号：TWI534819B
公开(公告)日：2016-05-21
申请号：TW103126261
申请日：2014-07-31
申请人：常憶科技股份有限公司 , CHINGIS TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：楊連聖 , YANG, LIEN SHENG , 張鴻文 , CHANG, HUNG WEN
IPC分类号： G11C29/02 , G11C8/08
CPC分类号： G11C29/025 , G11C8/08 , G11C8/14 , G11C11/4085 , G11C2029/1202

6. 发明专利

TWI521544B 解碼器電路、記憶體裝置、以及多值保險絲電路有权
简体标题：译码器电路、内存设备、以及多值保险丝电路
公开(公告)号：TWI521544B
公开(公告)日：2016-02-11
申请号：TW102121857
申请日：2013-06-20
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：崔明燦 , CHOI, MYUNG-CHAN
IPC分类号： G11C8/10 , G11C29/02 , G11C17/14
CPC分类号： G11C7/1018 , G11C7/1045 , G11C8/12 , G11C16/08

7. 发明专利

TW201351424A 記憶體控制方法、控制器跟電子裝置审中-公开
简体标题：内存控制方法、控制器跟电子设备
公开(公告)号：TW201351424A
公开(公告)日：2013-12-16
申请号：TW102117418
申请日：2013-05-16
申请人：慧榮科技股份有限公司 , SILICON MOTION INC.
发明人：楊宗杰 , YANG, TSUNG CHIEH
IPC分类号： G11C29/02 , G11C7/10
摘要：一種記憶體控制方法，用於控制快閃記憶體。該快閃記憶體包含第一記憶元件與第二記憶元件，該第二記憶元件包含複數區塊，每一該區塊包含複數資料頁。在這個方法中，將一原始資料寫入到該第一記憶元件。從該第一記憶元件讀取該原始資料得到一輸入資料，該輸入資料包含複數輸入資料列。將該輸入資料列分成資料組。將每一資料組對應的每一輸入資料列寫到該第二記憶元件對應的一個資料頁。並且，將對應每一資料組的一校驗列寫到第二記憶元件對應的一個資料頁，每一資料組對應的資料列之數目小於第二記憶元件每一區塊具有的資料頁之數目。
简体摘要：一种内存控制方法，用于控制闪存。该闪存包含第一记忆组件与第二记忆组件，该第二记忆组件包含复数区块，每一该区块包含复数数据页。在这个方法中，将一原始数据写入到该第一记忆组件。从该第一记忆组件读取该原始数据得到一输入数据，该输入数据报含复数输入数据列。将该输入数据列分成数据组。将每一数据组对应的每一输入数据列写到该第二记忆组件对应的一个数据页。并且，将对应每一数据组的一校验列写到第二记忆组件对应的一个数据页，每一数据组对应的数据列之数目小于第二记忆组件每一区块具有的数据页之数目。

8. 发明专利

TWI598883B 非揮發性半導體記憶裝置及半導體裝置有权
简体标题：非挥发性半导体记忆设备及半导体设备
公开(公告)号：TWI598883B
公开(公告)日：2017-09-11
申请号：TW102145876
申请日：2013-12-12
申请人：精工半導體有限公司 , SII SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：見谷真 , MITANI, MAKOTO , 渡邊考太郎 , WATANABE, KOTARO
IPC分类号： G11C29/02 , G11C7/10
CPC分类号： G11C29/028 , G11C7/1057 , G11C7/106 , G11C7/1066 , G11C7/222 , G11C29/021

9. 发明专利

TW201637020A 用於調整特殊應用積體電路中之電壓之平均電壓帶偵測及使用审中-公开
简体标题：用于调整特殊应用集成电路中之电压之平均电压带侦测及使用
公开(公告)号：TW201637020A
公开(公告)日：2016-10-16
申请号：TW104134579
申请日：2015-10-21
申请人：桑迪士克科技有限責任公司 , SANDISK TECHNOLOGIES LLC
发明人：索瑪亞維克朗 , SOMAIYA, VIKRAM
IPC分类号： G11C16/30 , G11C16/26 , G11C29/02 , H01L27/115 , G05F1/565
CPC分类号： G11C16/30 , G05F1/565 , G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/26 , G11C29/021 , G11C29/028 , H01L27/11582
摘要：控制器電路之時序及功率消耗取決於程序、電壓及溫度。若控制器ASIC可量測運行時間期間之平均電壓位準，則韌體可使用此資訊來針對最佳速度/功率效能調整電壓。一電壓偵測器產生(例如)3個位元之一輸出，其中三個位元匯流排之各狀態表示一電壓帶。此等位元可接著由該韌體用以修整適當調節器以升高/降低該等電壓。可針對核心電壓及I/O電壓兩者完成此。該韌體可進一步經最佳化以考慮溫度偵測器及程序偵測器以及電壓帶偵測器之狀態以最佳化系統效能。
简体摘要：控制器电路之时序及功率消耗取决于进程、电压及温度。若控制器ASIC可量测运行时间期间之平均电压位准，则固件可使用此信息来针对最佳速度/功率性能调整电压。一电压侦测器产生(例如)3个比特之一输出，其中三个比特总线之各状态表示一电压带。此等比特可接着由该固件用以修整适当调节器以升高/降低该等电压。可针对内核电压及I/O电压两者完成此。该固件可进一步经最优化以考虑温度侦测器及进程侦测器以及电压带侦测器之状态以最优化系统性能。

10. 发明专利

TWI550627B 儲存裝置及其操作方法有权
简体标题：存储设备及其操作方法
公开(公告)号：TWI550627B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：TW103116199
申请日：2014-05-07
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：呂仁碩 , LIU, REN SHUO , 莊夢嬿 , CHUANG, MENG YEN , 楊佳玲 , YANG, CHIA LIN , 李承軒 , LI, CHENG HSUAN , 何堅柱 , HO, KIN CHU , 李祥邦 , LI, HSIANG PANG
IPC分类号： G11C29/42 , G11C29/02
CPC分类号： G06F11/1048 , G06F11/1016

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