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1. 发明专利

TWI576846B 快閃記憶體的資料寫入方法與其控制裝置有权
简体标题：闪存的数据写入方法与其控制设备
公开(公告)号：TWI576846B
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW103144137
申请日：2014-12-17
申请人：慧榮科技股份有限公司 , SILICON MOTION INC.
发明人：林璟輝 , LIN, CHING HUI , 楊宗杰 , YANG, TSUNG CHIEH
IPC分类号： G11C16/10
CPC分类号： G11C11/5635 , G11C11/5621 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/10

2. 发明专利

TWI555023B 快閃記憶體更新方法以及快閃記憶體控制器有权
简体标题：闪存更新方法以及闪存控制器
公开(公告)号：TWI555023B
公开(公告)日：2016-10-21
申请号：TW102142809
申请日：2013-11-25
申请人：慧榮科技股份有限公司 , SILICON MOTION INC.
发明人：楊宗杰 , YANG, TSUNG CHIEH
IPC分类号： G11C16/10
CPC分类号： G11C16/3431 , G06F3/0619 , G06F3/0659 , G06F3/0679 , G11C11/5628 , G11C11/5635 , G11C11/5642 , G11C16/34 , G11C16/3495 , G11C29/00

3. 发明专利

TWI554944B 快閃記憶體控制裝置、快閃記憶體控制系統以及快閃記憶體控制方法有权
简体标题：闪存控制设备、闪存控制系统以及闪存控制方法
公开(公告)号：TWI554944B
公开(公告)日：2016-10-21
申请号：TW103121404
申请日：2014-06-20
申请人：慧榮科技股份有限公司 , SILICON MOTION INC.
发明人：楊宗杰 , YANG, TSUNG CHIEH
IPC分类号： G06F5/06 , G06F12/00
CPC分类号： G06F11/1044 , G06F3/0679 , G06F11/1048 , G06F11/1072 , G06F12/02 , G06F12/0246 , G06F2003/0691 , G06F2212/1044 , G06F2212/7201 , G06F2212/7205

4. 发明专利

TWI552160B 存取快閃記憶體中儲存單元的方法以及使用該方法的裝置有权
简体标题：存取闪存中存储单元的方法以及使用该方法的设备
公开(公告)号：TWI552160B
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW102148369
申请日：2013-12-26
申请人：慧榮科技股份有限公司 , SILICON MOTION, INC.
发明人：楊宗杰 , YANG, TSUNG CHIEH
IPC分类号： G11C29/42

5. 发明专利

TWI514404B 讀取快閃記憶體中所儲存之資料的方法、記憶體控制器與系統有权
简体标题：读取闪存中所存储之数据的方法、内存控制器与系统
公开(公告)号：TWI514404B
公开(公告)日：2015-12-21
申请号：TW101106156
申请日：2012-02-24
申请人：慧榮科技股份有限公司 , SILICON MOTION, INC.
发明人：楊宗杰 , YANG, TSUNG CHIEH
IPC分类号： G11C29/42 , G11C29/44

6. 发明专利

TW201541456A 讀取快閃記憶體中所儲存之資料的方法、記憶體控制器與記憶體系統审中-公开
简体标题：读取闪存中所存储之数据的方法、内存控制器与内存系统
公开(公告)号：TW201541456A
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW103114417
申请日：2014-04-21
申请人：慧榮科技股份有限公司 , SILICON MOTION INC.
发明人：楊宗杰 , YANG, TSUNG CHIEH
IPC分类号： G11C16/06 , G11C29/42
CPC分类号： G06F11/1068 , G06F11/1012 , G11C11/5642 , G11C16/26 , G11C29/028 , G11C29/52 , G11C2029/0411 , H03M13/1102
摘要：一種讀取一快閃記憶體中所儲存之資料的方法，包含有：從複數個預設閘極電壓組合選項中選擇出一初始閘極電壓組合；依據該初始閘極電壓組合來控制該快閃記憶體中的複數個記憶體單元，並讀出複數個位元序列；對該複數個位元序列進行一字碼錯誤更正操作，並判定該字碼錯誤更正操作是否成功；若該字碼錯誤更正操作不成功，則判斷出對應該初始閘極電壓組合的一電荷散佈參數；依據一對照表來決定出對應該電荷散佈參數的一目標閘極電壓組合；以及依據該目標閘極電壓組合來控制該複數個記憶體單元以讀出複數個更新位元序列。
简体摘要：一种读取一闪存中所存储之数据的方法，包含有：从复数个默认闸极电压组合选项中选择出一初始闸极电压组合；依据该初始闸极电压组合来控制该闪存中的复数个内存单元，并读出复数个比特串行；对该复数个比特串行进行一字码错误更正操作，并判定该字码错误更正操作是否成功；若该字码错误更正操作不成功，则判断出对应该初始闸极电压组合的一电荷散布参数；依据一对照表来决定出对应该电荷散布参数的一目标闸极电压组合；以及依据该目标闸极电压组合来控制该复数个内存单元以读出复数个更新比特串行。

7. 发明专利

TW201533740A 存取快閃記憶體的方法及相關的控制器與記憶裝置审中-公开
简体标题：存取闪存的方法及相关的控制器与记忆设备
公开(公告)号：TW201533740A
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW103105359
申请日：2014-02-18
申请人：慧榮科技股份有限公司 , SILICON MOTION INC.
发明人：楊宗杰 , YANG, TSUNG CHIEH
IPC分类号： G11C16/06 , G11C8/12
CPC分类号： G06F3/0619 , G06F3/0655 , G06F3/0659 , G06F3/0679 , G06F3/0688 , G06F12/0246 , G06F2206/1014
摘要：本發明揭露一種存取一快閃記憶體的方法，其中該快閃記憶體為一三層式儲存快閃記憶體，該快閃記憶體中每一條字元線構成一最低有效位元資料頁、中間有效位元資料頁與最高有效位元資料頁，該快閃記憶體中每一條字元線上的每一個儲存單元係以一浮動閘極電晶體來實作，每一個儲存單元支援至少八個寫入電壓位準，該方法包含有：根據欲寫入該快閃記憶體中一特定字元線所對應的一第一資料頁與一第二資料頁中的資料以產生一虛擬資料，其中該虛擬資料係準備寫入至該特定字元線所對應的一第三資料頁；以及將該資料及該虛擬資料寫入至該快閃記憶體。
简体摘要：本发明揭露一种存取一闪存的方法，其中该闪存为一三层式存储闪存，该闪存中每一条字符线构成一最低有效比特数据页、中间有效比特数据页与最高有效比特数据页，该闪存中每一条字符在线的每一个存储单元系以一浮动闸极晶体管来实作，每一个存储单元支持至少八个写入电压位准，该方法包含有：根据欲写入该闪存中一特定字符线所对应的一第一数据页与一第二数据页中的数据以产生一虚拟数据，其中该虚拟数据系准备写入至该特定字符线所对应的一第三数据页；以及将该数据及该虚拟数据写入至该闪存。

8. 发明专利

TW201508774A 存取快閃記憶體中儲存單元的方法以及使用該方法的裝置审中-公开
简体标题：存取闪存中存储单元的方法以及使用该方法的设备
公开(公告)号：TW201508774A
公开(公告)日：2015-03-01
申请号：TW102148611
申请日：2013-12-27
申请人：慧榮科技股份有限公司 , SILICON MOTION, INC.
发明人：楊宗杰 , YANG, TSUNG CHIEH , 沈揚智 , SHEN, YANG CHIH , 許勝一 , HSU, SHENG I
IPC分类号： G11C8/12 , G11C16/06 , G11C29/42
摘要：本發明的實施例提出一種存取快閃記憶體中儲存單元的方法，由仲裁單元執行，包含下列步驟。以第一批次傳送資料至每一儲存單元存取介面所連接之第一儲存單元後，發送寫入命令給每一第一儲存單元，使得第一儲存單元開始寫入作業。於第一儲存單元的寫入作業期間，以第二批次傳送資料至每一儲存單元存取介面所連接之第二儲存單元。
简体摘要：本发明的实施例提出一种存取闪存中存储单元的方法，由仲裁单元运行，包含下列步骤。以第一批次发送数据至每一存储单元存取界面所连接之第一存储单元后，发送写入命令给每一第一存储单元，使得第一存储单元开始写入作业。于第一存储单元的写入作业期间，以第二批次发送数据至每一存储单元存取界面所连接之第二存储单元。

9. 发明专利

TW201508758A 存取快閃記憶體中儲存單元的方法以及使用該方法的裝置审中-公开
简体标题：存取闪存中存储单元的方法以及使用该方法的设备
公开(公告)号：TW201508758A
公开(公告)日：2015-03-01
申请号：TW102148369
申请日：2013-12-26
申请人：慧榮科技股份有限公司 , SILICON MOTION, INC.
发明人：楊宗杰 , YANG, TSUNG CHIEH
IPC分类号： G11C29/42
摘要：本發明的實施例提出一種存取快閃記憶體中儲存單元的方法，由處理單元執行，包含下列步驟。接收到區段中之訊息無法使用此區段中之水平錯誤修正碼進行回復的通知後，決定屬於相同獨立磁碟冗餘陣列群組中的其他區段位址。指示區段解碼單元以及磁碟陣列解碼單元有關垂直修正程序已經啟動的訊息。指示多個儲存單元存取介面讀取決定之其他區段位址的內容，從而使磁碟陣列解碼單元使用讀取的內容來回復區段中的訊息。
简体摘要：本发明的实施例提出一种存取闪存中存储单元的方法，由处理单元运行，包含下列步骤。接收到区段中之消息无法使用此区段中之水平错误修正码进行回复的通知后，决定属于相同独立磁盘冗余数组群组中的其他区段位址。指示区段译码单元以及磁盘数组译码单元有关垂直修正进程已经启动的消息。指示多个存储单元存取界面读取决定之其他区段位址的内容，从而使磁盘数组译码单元使用读取的内容来回复区段中的消息。

10. 发明专利

TWI460733B 具有低密度奇偶校驗碼解碼能力的記憶體控制裝置及方法有权
简体标题：具有低密度奇偶校验码译码能力的内存控制设备及方法
公开(公告)号：TWI460733B
公开(公告)日：2014-11-11
申请号：TW100141716
申请日：2011-11-15
申请人：慧榮科技股份有限公司 , SILICON MOTION, INC.
发明人：楊宗杰 , YANG, TSUNG CHIEH
IPC分类号： G11C29/44 , G11C29/42
CPC分类号： H03M13/1108 , H03M13/1111 , H03M13/3707 , H03M13/3738

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