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1. 发明专利

TWI605469B 具有一記憶體器件之裝置、子區塊停用電路及用於控制至一記憶體器件之存取、指示一記憶體器件中之ㄧ缺陷與擦除一記憶體器件中之記憶體之方法有权
简体标题：具有一内存器件之设备、子区块停用电路及用于控制至一内存器件之存取、指示一内存器件中之ㄧ缺陷与擦除一内存器件中之内存之方法
公开(公告)号：TWI605469B
公开(公告)日：2017-11-11
申请号：TW103106888
申请日：2014-02-27
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：哈昌偉 , HA, CHANG WAN
IPC分类号： G11C8/06 , G11C7/10
CPC分类号： G11C8/12 , G11C8/06 , G11C8/08 , G11C11/5621 , G11C16/08 , G11C16/20 , G11C29/00 , G11C29/04 , G11C29/76 , G11C29/765 , G11C29/78 , G11C29/832

2. 发明专利

TWI603327B 能夠挽救封裝後所產生之缺陷特徵之半導體裝置有权
简体标题：能够挽救封装后所产生之缺陷特征之半导体设备
公开(公告)号：TWI603327B
公开(公告)日：2017-10-21
申请号：TW102100757
申请日：2013-01-09
申请人：三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：金正謙 , KIM, JEONG-KYOUM , 玄錫勳 , HYUN, SEOK-HUN , 崔楨煥 , CHOI, JUNG-HWAN , 張星珍 , JANG, SEONG-JIN
IPC分类号： G11C11/4078 , G11C17/16
CPC分类号： G11C17/18 , G11C5/04 , G11C11/40 , G11C17/16 , G11C29/04 , G11C29/44 , G11C29/76 , G11C29/78 , G11C29/789 , G11C2029/4402

3. 发明专利

TW201616498A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201616498A
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW104100736
申请日：2015-01-09
申请人：愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：沈榮輔 , SHIM, YOUNG BO
IPC分类号： G11C7/24 , H01L27/118 , H01L29/66
CPC分类号： G11C17/18 , G11C17/16 , G11C29/04 , G11C29/76 , G11C29/78 , G11C2029/4402
摘要：一種半導體裝置，可包括一保險絲控制器及一保險絲陣列。該保險絲控制器可被配置以產生根據修復資料的一位準組合之內部位址訊號，並且可產生第一電壓控制訊號及第二電壓控制訊號以回應一斷開控制訊號，在測試模式中，該斷開控制訊號被致能以斷開一預定保險絲組用於選擇一故障冗餘字元線。該保險絲陣列可包括複數保險絲組，該等保險絲組包括該預定保險絲組。各該保險絲組可根據該等內部位址訊號的一位準組合而被選擇，並且該保險絲陣列斷開該預定保險絲組用以選擇該故障冗餘字元線以回應該第一電壓控制訊號及第二電壓控制訊號來輸出保險絲資料。
简体摘要：一种半导体设备，可包括一保险丝控制器及一保险丝数组。该保险丝控制器可被配置以产生根据修复数据的一位准组合之内部位址信号，并且可产生第一电压控制信号及第二电压控制信号以回应一断开控制信号，在测试模式中，该断开控制信号被致能以断开一预定保险丝组用于选择一故障冗余字符线。该保险丝数组可包括复数保险丝组，该等保险丝组包括该预定保险丝组。各该保险丝组可根据该等内部位址信号的一位准组合而被选择，并且该保险丝数组断开该预定保险丝组用以选择该故障冗余字符线以回应该第一电压控制信号及第二电压控制信号来输出保险丝数据。

4. 发明专利

TW201604875A 記憶裝置及包含該記憶裝置的記憶系統审中-公开
简体标题：记忆设备及包含该记忆设备的记忆系统
公开(公告)号：TW201604875A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW104100299
申请日：2015-01-06
申请人：愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：金貴東 , KIM, KWI-DONG
IPC分类号： G11C16/06
CPC分类号： G11C29/78 , G11C17/16 , G11C29/4401 , G11C2029/4402
摘要：一種記憶裝置，包括一非揮發性記憶電路，其適合儲存系統硬修復資料；一暫時記憶電路，其適合儲存系統軟修復資料；一系統暫存器電路，其適合在啟動操作期間接收及儲存該系統硬修復資料或該系統軟修復資料；以及一記憶庫，其適合基於儲存於該系統暫存器電路中的第一資料執行一修復操作。
简体摘要：一种记忆设备，包括一非挥发性记忆电路，其适合存储系统硬修复数据；一暂时记忆电路，其适合存储系统软修复数据；一系统寄存器电路，其适合在启动操作期间接收及存储该系统硬修复数据或该系统软修复数据；以及一记忆库，其适合基于存储于该系统寄存器电路中的第一数据运行一修复操作。

5. 发明专利

TWI316712B 非揮發性記憶體陣列、其修復電路及其除錯方法 NON-VOLATILE MEMORY, REPAIR CIRCUIT, AND REPAIR METHOD THEREOF 有权
简体标题：非挥发性内存数组、其修复电路及其调试方法 NON-VOLATILE MEMORY, REPAIR CIRCUIT, AND REPAIR METHOD THEREOF
公开(公告)号：TWI316712B
公开(公告)日：2009-11-01
申请号：TW095123218
申请日：2006-06-27
申请人：慧榮科技股份有限公司
发明人：陳德威
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C29/832 , G11C29/006 , G11C29/78
摘要：一種非揮發性記憶體陣列，包括N條位元線、M條第一字元線、MxN個第一記憶胞、一第二字元線、N個第二記憶胞、一感測放大器、N個第一電晶體、N個第二電晶體以及一致能線，其中M及N為自然數。第二記憶胞以及第一電晶體用以控制相應位元線與感測放大器間開路與否，第二電晶體以及致能線則用以控制非揮發性記憶體陣列測試結果的寫入。
简体摘要：一种非挥发性内存数组，包括N条比特线、M条第一字符线、MxN个第一记忆胞、一第二字符线、N个第二记忆胞、一传感放大器、N个第一晶体管、N个第二晶体管以及一致能线，其中M及N为自然数。第二记忆胞以及第一晶体管用以控制相应比特线与传感放大器间开路与否，第二晶体管以及致能线则用以控制非挥发性内存数组测试结果的写入。

6. 发明专利

TW436806B 半導體記憶體元件及執行移位冗餘操作之方法失效
简体标题：半导体内存组件及运行移位冗余操作之方法
公开(公告)号：TW436806B
公开(公告)日：2001-05-28
申请号：TW088112468
申请日：1999-07-22
申请人：富士通股份有限公司
发明人：江渡聰 , 松宮正人 , 池田稔美 , 石井祐樹 , 菊竹陽 , 川邦範
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C29/78
摘要：一種具有移位冗餘功能之半導體記憶體元件，其包含用以可改變地連接將一組位址信號解碼之多數條解碼信號線至多數條選擇線和冗餘選擇線之一組切換電路，並且當任何錯誤發生於多數條選擇線中時執行在置放於該等多數條選擇線中一端的一組第一冗餘選擇線方向移動至少一組該等多數條解碼線之一種切換操作或者在置放於選擇線中另一端之一組第二冗餘選擇線方向移動至少一組該等解碼線之一種第二切換操作或者第一和第二操作兩者。半導體記憶體元件最好是包含被置放在多數條選擇線一端之兩組或者更多組第一冗餘選擇線，被置放在另一端之兩組或者更多組第二冗餘選擇線，以及以兩級配置之第一和第二切換單元(2a-1 和 2a-2)。當任何錯誤選擇線發生時，第一切換單元(2a-1)執行在第一冗餘選擇線方向移動至少一組解碼信號線之一種第一切換操作或者在該等第二冗餘選擇線方向移動相同量之一種第二切換操作，或者第二切換單元(2a-2)執行在第一冗餘選擇線方向移動至少一組解碼信號線之一種第三切換操作或者將之移動於第二冗餘選擇線方向之一種第四切換操作。
简体摘要：一种具有移位冗余功能之半导体内存组件，其包含用以可改变地连接将一组位址信号译码之多数条译码信号线至多数条选择线和冗余选择线之一组切换电路，并且当任何错误发生于多数条选择线中时运行在置放于该等多数条选择线中一端的一组第一冗余选择线方向移动至少一组该等多数条译码线之一种切换操作或者在置放于选择线中另一端之一组第二冗余选择线方向移动至少一组该等译码线之一种第二切换操作或者第一和第二操作两者。半导体内存组件最好是包含被置放在多数条选择线一端之两组或者更多组第一冗余选择线，被置放在另一端之两组或者更多组第二冗余选择线，以及以两级配置之第一和第二切换单元(2a-1 和 2a-2)。当任何错误选择线发生时，第一切换单元(2a-1)运行在第一冗余选择线方向移动至少一组译码信号线之一种第一切换操作或者在该等第二冗余选择线方向移动相同量之一种第二切换操作，或者第二切换单元(2a-2)运行在第一冗余选择线方向移动至少一组译码信号线之一种第三切换操作或者将之移动于第二冗余选择线方向之一种第四切换操作。

7. 发明专利

TW201812604A 用於可撓性熔絲傳輸之裝置與方法审中-公开
简体标题：用于可挠性熔丝传输之设备与方法
公开(公告)号：TW201812604A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106128867
申请日：2017-08-25
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：藤原敬典 , FUJIWARA, YOSHINORI , 吉田賢智 , YOSHIDA, KENJI , 染谷穗 , SOMEYA, MINORU , 苗田廣正 , NODA, HIROMASA
IPC分类号： G06F13/38 , G11C17/16
CPC分类号： G11C17/16 , G11C17/18 , G11C29/76 , G11C29/78 , G11C29/785 , G11C29/789
摘要：本發明描述用於將熔絲資料自熔絲陣列傳輸至鎖存器之裝置與方法。一種實例性裝置包含：複數個熔絲陣列，該複數個熔絲陣列中之各熔絲陣列經組態以儲存輸入資料；一熔絲電路，其接收該輸入資料並將該輸入資料提供於一匯流排上；及複數個冗餘鎖存器電路，其等耦合至該匯流排，該複數個冗餘鎖存器電路包含複數個指標及將資料載入於該匯流排上之與該複數個對應指標相關聯之複數個鎖存器。該熔絲電路可藉由回應於該輸入資料而控制一指標在該複數個對應指標之中之一位置來控制該輸入資料之載入。
简体摘要：本发明描述用于将熔丝数据自熔丝数组传输至锁存器之设备与方法。一种实例性设备包含：复数个熔丝数组，该复数个熔丝数组中之各熔丝数组经组态以存储输入数据；一熔丝电路，其接收该输入数据并将该输入数据提供于一总线上；及复数个冗余锁存器电路，其等耦合至该总线，该复数个冗余锁存器电路包含复数个指针及将数据加载于该总线上之与该复数个对应指针相关联之复数个锁存器。该熔丝电路可借由回应于该输入数据而控制一指针在该复数个对应指针之中之一位置来控制该输入数据之加载。

8. 发明专利

TWI581406B 整合型電容感應模組及其相關系統有权
简体标题：集成型电容感应模块及其相关系统
公开(公告)号：TWI581406B
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW104124055
申请日：2015-07-24
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：陳緯仁 , CHEN, WEI REN , 李文豪 , LEE, WEN HAO , 柳星舟 , LIU, HSIN CHOU , 楊青松 , YANG, CHING SUNG
IPC分类号： H01L27/10 , G06F3/044
CPC分类号： G01D5/24 , G06K9/0002 , G11C29/1201 , G11C29/78 , H01L23/552 , H01L27/0248 , H01L27/11206 , H01L27/115 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

9. 发明专利

TW201701294A 自我修復裝置及其方法审中-公开
简体标题：自我修复设备及其方法
公开(公告)号：TW201701294A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW104131873
申请日：2015-09-25
申请人：愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：沈榮輔 , SHIM, YOUNG BO
IPC分类号： G11C29/02 , G11C29/44
CPC分类号： G11C29/78 , G11C17/16 , G11C17/18 , G11C29/4401 , G11C29/76 , G11C29/787 , G11C2029/4402
摘要：一種自我修復裝置可以包括：電熔絲陣列，被配置為將故障位址的位元資訊儲存在熔絲中；電熔絲控制器，被配置為在出現故障時儲存與故障位元對應的列位址或行位址，透過將測試期間輸入的故障位址與儲存在其中的位址進行比較來產生修復位址，輸出用於控制電熔絲陣列的熔斷操作的熔斷致能訊號，以及回應於故障位址來輸出列熔絲組資料或行熔絲組資料；以及列/行冗餘單元，被配置為回應於從電熔絲陣列施加的列熔絲組資料或行熔絲組資料來執行一列冗餘操作或行冗餘操作。
简体摘要：一种自我修复设备可以包括：电熔丝数组，被配置为将故障位址的比特信息存储在熔丝中；电熔丝控制器，被配置为在出现故障时存储与故障比特对应的列位址或行位址，透过将测试期间输入的故障位址与存储在其中的位址进行比较来产生修复位址，输出用于控制电熔丝数组的熔断操作的熔断致能信号，以及回应于故障位址来输出列熔丝组数据或行熔丝组数据；以及列/行冗余单元，被配置为回应于从电熔丝数组施加的列熔丝组数据或行熔丝组数据来运行一列冗余操作或行冗余操作。

10. 发明专利

TW201642273A 智慧自修復裝置和方法审中-公开
简体标题：智能自修复设备和方法
公开(公告)号：TW201642273A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW104131870
申请日：2015-09-25
申请人：愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：沈榮輔 , SHIM, YOUNG BO
IPC分类号： G11C29/44 , G11C29/42
CPC分类号： G11C29/78 , G11C7/20 , G11C17/16 , G11C17/18 , G11C29/4401 , G11C29/76
摘要：一種智慧自修復裝置，包括：ARE陣列，ARE陣列被配置為將有關於故障位址的相應的位元的資訊儲存在熔絲中；自修復控制區塊，自修復控制區塊被配置為當出現故障時儲存與故障位元相對應的行位址和列位址，透過比較在測試中輸入的故障位址與儲存的位址來分析故障模式，以及根據故障模式來輸出故障位址資訊和行熔絲組資訊或列熔絲組資訊；資料控制區塊，資料控制區塊被配置為根據故障位址資訊和行熔絲組資訊或列熔絲組資訊來將修復資訊輸出至ARE陣列；以及斷裂控制區塊，斷裂控制區塊被配置為控制ARE陣列的斷裂操作。
简体摘要：一种智能自修复设备，包括：ARE数组，ARE数组被配置为将有关于故障位址的相应的比特的信息存储在熔丝中；自修复控制区块，自修复控制区块被配置为当出现故障时存储与故障比特相对应的行位址和列位址，透过比较在测试中输入的故障位址与存储的位址来分析故障模式，以及根据故障模式来输出故障位址信息和行熔丝组信息或列熔丝组信息；数据控制区块，数据控制区块被配置为根据故障位址信息和行熔丝组信息或列熔丝组信息来将修复信息输出至ARE数组；以及断裂控制区块，断裂控制区块被配置为控制ARE数组的断裂操作。

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