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1. 发明专利

TWI695380B 記憶體系統及其操作方法有权
简体标题：内存系统及其操作方法
公开(公告)号：TWI695380B
公开(公告)日：2020-06-01
申请号：TW105113001
申请日：2016-04-26
申请人：韓商愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：張銀洙 , JANG, EUN-SOO
IPC分类号： G11C16/16

2. 发明专利

TWI692761B 非揮發性記憶體裝置的操作方法有权
简体标题：非挥发性内存设备的操作方法
公开(公告)号：TWI692761B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：TW108119562
申请日：2019-06-05
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：張馨文 , CHANG, HSING WEN , 張耀文 , CHANG, YAO WEN , 秦啟元 , CHIN, CHI YUAN
IPC分类号： G11C16/02 , G11C16/16 , G06F12/02

3. 发明专利

TW202011413A 半導體記憶裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体记忆设备及其制造方法
公开(公告)号：TW202011413A
公开(公告)日：2020-03-16
申请号：TW108101916
申请日：2019-01-18
申请人：日商東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：福島崇 , FUKUSHIMA, TAKASHI , 藤田淳也 , FUJITA, JUNYA , 南雲俊治 , NAGUMO, TOSHIHARU
IPC分类号： G11C16/16 , G11C16/24 , H01L21/8239 , H01L23/52
摘要：實施形態提供一種半導體記憶裝置及其製造方法，而減低於半導體記憶裝置所含之周邊電路元件產生不良之概率。實施形態之半導體記憶裝置1具備：半導體基板21，其具有第1面；第1半導體層41，其設置於上述半導體基板之上述第1面之第1區域上；電晶體51，其設置於上述第1半導體層之上方；第2半導體層41，其設置於上述半導體基板之上述第1面之第2區域上；層間絕緣體42，其設置於上述第1半導體層與上述第2半導體層之間；積層體，其設置於上述半導體基板之上述第1面之第3區域上，且包含交替積層之絕緣體32與導電體31。
简体摘要：实施形态提供一种半导体记忆设备及其制造方法，而减低于半导体记忆设备所含之周边电路组件产生不良之概率。实施形态之半导体记忆设备1具备：半导体基板21，其具有第1面；第1半导体层41，其设置于上述半导体基板之上述第1面之第1区域上；晶体管51，其设置于上述第1半导体层之上方；第2半导体层41，其设置于上述半导体基板之上述第1面之第2区域上；层间绝缘体42，其设置于上述第1半导体层与上述第2半导体层之间；积层体，其设置于上述半导体基板之上述第1面之第3区域上，且包含交替积层之绝缘体32与导电体31。

4. 发明专利

TW202008367A 記憶體陣列的操作方法审中-公开
简体标题：内存数组的操作方法
公开(公告)号：TW202008367A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW107127475
申请日：2018-08-07
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：林道遠 , LIN, TAO-YUAN , 楊怡箴 , YANG, I-CHEN , 張耀文 , CHANG, YAO-WEN
IPC分类号： G11C16/10 , G11C16/16
摘要：記憶體陣列的操作方法。記憶體陣列包括一第一NAND記憶體串列。第一NAND記憶體串列包括一第i個記憶胞、一第i-1個記憶胞、一第i條字元線與一第i-1條字元線。第i個記憶胞與第i-1個記憶胞依序電性串聯。第i條字元線電性連接至第i個記憶胞。第i-1條字元線電性連接至第i-1個記憶胞。記憶體陣列的操作方法包括在一操作時段期間，對第i個記憶胞進行一抑制程式化程序，並同時對第i-1個記憶胞進行一第一程序。抑制程式化程序包括提供一第一預開啟電壓至第i條字元線。第一程序包括提供第二預開啟電壓至第i-1條字元線。
简体摘要：内存数组的操作方法。内存数组包括一第一NAND内存串行。第一NAND内存串行包括一第i个记忆胞、一第i-1个记忆胞、一第i条字符线与一第i-1条字符线。第i个记忆胞与第i-1个记忆胞依序电性串联。第i条字符线电性连接至第i个记忆胞。第i-1条字符线电性连接至第i-1个记忆胞。内存数组的操作方法包括在一操作时段期间，对第i个记忆胞进行一抑制进程化进程，并同时对第i-1个记忆胞进行一第一进程。抑制进程化进程包括提供一第一预打开电压至第i条字符线。第一进程包括提供第二预打开电压至第i-1条字符线。

5. 发明专利

TWI682396B 記憶體陣列的操作方法有权
简体标题：内存数组的操作方法
公开(公告)号：TWI682396B
公开(公告)日：2020-01-11
申请号：TW107127475
申请日：2018-08-07
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：林道遠 , LIN, TAO-YUAN , 楊怡箴 , YANG, I-CHEN , 張耀文 , CHANG, YAO-WEN
IPC分类号： G11C16/10 , G11C16/16

6. 发明专利

TW201947596A 具有位元組抹除操作之分離閘快閃記憶體陣列审中-公开
简体标题：具有字节抹除操作之分离闸闪存数组
公开(公告)号：TW201947596A
公开(公告)日：2019-12-16
申请号：TW108116147
申请日：2019-05-10
申请人：美商超捷公司 , SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.
发明人：梁宣 , LIANG, HSUAN , 楊正威 , YANG, JENG-WEI , 吳滿堂 , WU, MAN-TANG , 杜恩漢 , DO, NHAN , 陳曉萬 , TRAN, HIEU VAN
IPC分类号： G11C16/16
摘要：一種記憶體裝置，其具有：在列與行中的記憶體單元；字線，其等將用於記憶體單元的控制閘連接在一起；位元線，其等將用於記憶體單元的汲極區域電氣連接在一起；第一子源極線，其等各將在記憶體單元列之一者中且在第一複數個記憶體單元行中的源極區域電氣連接在一起；第二子源極線，其等各將在記憶體單元列之一者中且在第二複數個記憶體單元行中的源極區域電氣連接在一起；第一源極線及第二源極線；第一選擇電晶體，其等各經連接於第一子源極線之一者與第一源極線之間；第二選擇電晶體，其等各經連接於第二子源極線之一者與第二源極線之間；及選擇電晶體線，其等各經連接至第一選擇電晶體之一者的閘極及第二選擇電晶體之一者的閘極。
简体摘要：一种内存设备，其具有：在列与行中的内存单元；字线，其等将用于内存单元的控制闸连接在一起；比特线，其等将用于内存单元的汲极区域电气连接在一起；第一子源极线，其等各将在内存单元列之一者中且在第一复数个内存单元行中的源极区域电气连接在一起；第二子源极线，其等各将在内存单元列之一者中且在第二复数个内存单元行中的源极区域电气连接在一起；第一源极线及第二源极线；第一选择晶体管，其等各经连接于第一子源极线之一者与第一源极线之间；第二选择晶体管，其等各经连接于第二子源极线之一者与第二源极线之间；及选择晶体管线，其等各经连接至第一选择晶体管之一者的闸极及第二选择晶体管之一者的闸极。

7. 发明专利

TW201947595A 離群位元修復方法和記憶體裝置审中-公开
简体标题：离群比特修复方法和内存设备
公开(公告)号：TW201947595A
公开(公告)日：2019-12-16
申请号：TW107116121
申请日：2018-05-11
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：吳尚融 , WU, SHANG RONG , 張尚文 , CHANG, SHANG WEN
IPC分类号： G11C16/16 , G11C8/12
摘要：本發明提供了一種離群位元修復方法。上述離群位元修復方法適用於一記憶體裝置，且上述記憶體裝置之一記憶體陣列被分成複數區塊。上述離群位元修復方法包括：在每一上述區塊中設定一邊界讀取操作之一起始電壓以及一結束電壓，其中上述起始電壓會設定在每一上述區塊對應之一臨界電壓分佈中；在上述起始電壓以及上述結束電壓所界定之一範圍中，找出每一上述區塊對應之一邊界讀取門檻；在每一上述區塊根據其對應之上述邊界讀取門檻偵測每一上述區塊所包含之離群位元；以及修復每一上述區塊所包含之上述離群位元。
简体摘要：本发明提供了一种离群比特修复方法。上述离群比特修复方法适用于一内存设备，且上述内存设备之一内存数组被分成复数区块。上述离群比特修复方法包括：在每一上述区块中设置一边界读取操作之一起始电压以及一结束电压，其中上述起始电压会设置在每一上述区块对应之一临界电压分布中；在上述起始电压以及上述结束电压所界定之一范围中，找出每一上述区块对应之一边界读取门槛；在每一上述区块根据其对应之上述边界读取门槛侦测每一上述区块所包含之离群比特；以及修复每一上述区块所包含之上述离群比特。

8. 发明专利

TWI663599B 儲存裝置及對其資料進行刷新的方法有权
简体标题：存储设备及对其数据进行刷新的方法
公开(公告)号：TWI663599B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：TW106141686
申请日：2017-11-29
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：洪希賢 , HUNG, HSI-HSIEN , 林小峰 , LIM, SEOW-FONG
IPC分类号： G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/16 , G11C16/26 , G11C16/34

9. 发明专利

TWI650769B 記憶體裝置及記憶胞陣列的程式化方法有权
简体标题：内存设备及记忆胞数组的进程化方法
公开(公告)号：TWI650769B
公开(公告)日：2019-02-11
申请号：TW107117433
申请日：2018-05-22
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：何文喬 , HO, WEN-CHIAO
IPC分类号： G11C8/12 , G11C16/16 , G06F12/02

10. 发明专利

TW201842506A 儲存裝置及對其資料進行刷新的方法审中-公开
简体标题：存储设备及对其数据进行刷新的方法
公开(公告)号：TW201842506A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW106141686
申请日：2017-11-29
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：洪希賢 , HUNG, HSI-HSIEN , 林小峰 , LIM, SEOW-FONG
IPC分类号： G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/16 , G11C16/26 , G11C16/34
摘要：一種儲存裝置及對其資料進行刷新的方法。裝置包括：儲存區塊，包括多個扇區；及控制單元，被配置成：將多個第一指示符預先儲存在儲存單元中，多個第一指示符分別對應於儲存區塊中的多個刷新單元，各刷新單元包括至少一個扇區，第一指示符是基於第一參考電壓準位來產生，在用於抹除儲存區塊的目標扇區的抹除迴圈中，以第二參考電壓準位從所選擇的刷新單元讀取資料，基此來產生所選擇的刷新單元的第二指示符，將與所選擇的刷新單元對應的第一指示符與第二指示符進行比較，如果第二指示符不等於第一指示符，則刷新所選擇的刷新單元中的資料。
简体摘要：一种存储设备及对其数据进行刷新的方法。设备包括：存储区块，包括多个扇区；及控制单元，被配置成：将多个第一指示符预先存储在存储单元中，多个第一指示符分别对应于存储区块中的多个刷新单元，各刷新单元包括至少一个扇区，第一指示符是基于第一参考电压准位来产生，在用于抹除存储区块的目标扇区的抹除循环中，以第二参考电压准位从所选择的刷新单元读取数据，基此来产生所选择的刷新单元的第二指示符，将与所选择的刷新单元对应的第一指示符与第二指示符进行比较，如果第二指示符不等于第一指示符，则刷新所选择的刷新单元中的数据。

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