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1. 发明专利

TWI611411B 記憶體裝置的操作方法有权
简体标题：内存设备的操作方法
公开(公告)号：TWI611411B
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：TW105142484
申请日：2016-12-21
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：林道遠 , LIN, TAO-YUAN , 楊怡箴 , YANG, I-CHEN , 張耀文 , CHANG, YAO-WEN
IPC分类号： G11C16/24 , G11C8/08

2. 发明专利

TWI699774B 半導體裝置及其操作方法有权
简体标题：半导体设备及其操作方法
公开(公告)号：TWI699774B
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：TW109101508
申请日：2020-01-16
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：吳冠緯 , WU, GUAN-WEI , 張耀文 , CHANG, YAO-WEN , 楊怡箴 , YANG, I-CHEN
IPC分类号： G11C16/10 , G11C16/14 , H01L27/11551

3. 发明专利

TWI681539B 記憶體元件及其製造方法有权
简体标题：内存组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI681539B
公开(公告)日：2020-01-01
申请号：TW107136243
申请日：2018-10-15
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：吳冠緯 , WU, GUAN-WEI , 張耀文 , CHANG, YAO-WEN , 楊怡箴 , YANG, I-CHEN
IPC分类号： H01L27/105 , G11C8/16

4. 发明专利

TW201824283A 記憶體裝置的操作方法审中-公开
简体标题：内存设备的操作方法
公开(公告)号：TW201824283A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW105142484
申请日：2016-12-21
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：林道遠 , LIN, TAO-YUAN , 楊怡箴 , YANG, I-CHEN , 張耀文 , CHANG, YAO-WEN
IPC分类号： G11C16/24 , G11C8/08
摘要：一種記憶體裝置包括N條字元線，其中該些字元線包括一第i條字元線和一第i+1條字元線，第i條字元線耦接至一第i個記憶胞，第i+1條字元線耦接至相鄰於第i個記憶胞的一第i+1個記憶胞，第i+1個記憶胞是一被寫入的記憶胞，i是0至N-2的整數。操作此種記憶體裝置的一種操作方法包括一讀取步驟。在該讀取步驟中，提供一讀取電壓至第i條字元線，提供一第一通過電壓至第i+1條字元線，並提供一第二通過電壓至所有其他字元線，其中第二通過電壓低於第一通過電壓。
简体摘要：一种内存设备包括N条字符线，其中该些字符线包括一第i条字符线和一第i+1条字符线，第i条字符线耦接至一第i个记忆胞，第i+1条字符线耦接至相邻于第i个记忆胞的一第i+1个记忆胞，第i+1个记忆胞是一被写入的记忆胞，i是0至N-2的整数。操作此种内存设备的一种操作方法包括一读取步骤。在该读取步骤中，提供一读取电压至第i条字符线，提供一第一通过电压至第i+1条字符线，并提供一第二通过电压至所有其他字符线，其中第二通过电压低于第一通过电压。

5. 发明专利

TW201635350A 製造半導體裝置的方法审中-公开
简体标题：制造半导体设备的方法
公开(公告)号：TW201635350A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW104108898
申请日：2015-03-20
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：周承翰 , CHOU, CHEN-HAN , 楊怡箴 , YANG, I-CHEN , 張耀文 , CHANG, YAO-WEN , 盧道政 , LU, TAO-CHENG
IPC分类号： H01L21/265
摘要：一種半導體裝置的製造方法，包含準備包含多個凸起部形成在一基板上的一晶圓。這些突起部向上突起在基板的一表面並且具有從基板的表面上測量的一高度。此方法更包含決定代表相鄰的突起部之間的間隔的分布的一間隔分布，以及基於高度和間隔分布計算一注入角度。此注入角度為基板的一法線方向和一注入方向之間的一角度。此方法也包含以計算的注入角度注入離子。
简体摘要：一种半导体设备的制造方法，包含准备包含多个凸起部形成在一基板上的一晶圆。这些突起部向上突起在基板的一表面并且具有从基板的表面上测量的一高度。此方法更包含决定代表相邻的突起部之间的间隔的分布的一间隔分布，以及基于高度和间隔分布计算一注入角度。此注入角度为基板的一法线方向和一注入方向之间的一角度。此方法也包含以计算的注入角度注入离子。

6. 发明专利

TW201822261A 半導體結構审中-公开
简体标题：半导体结构
公开(公告)号：TW201822261A
公开(公告)日：2018-06-16
申请号：TW105140689
申请日：2016-12-08
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：陳永翔 , CHEN, YUNG-HSIANG , 張耀文 , CHANG, YAO-WEN , 劉注雍 , LIU, CHU-YUNG , 楊怡箴 , YANG, I-CHEN , 張馨文 , CHANG, HSING-WEN
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/336
摘要：一種半導體結構，包括一第一源極/汲極區、一第二源極/汲極區、一通道摻雜區、一閘極結構、一第一井、和一第二井。第二源極/汲極區與第一源極/汲極區相對設置。通道摻雜區設置在第一源極/汲極區和第二源極/汲極區之間。閘極結構設置在通道摻雜區上。第一井具有設置在第一源極/汲極區下的一第一部分。第二井與第一井相對設置，並與第二源極/汲極區分離。第一源極/汲極區、第二源極/汲極區、和通道摻雜區具有一第一導電類型。第一井和第二井具有不同於第一導電類型的一第二導電類型。
简体摘要：一种半导体结构，包括一第一源极/汲极区、一第二源极/汲极区、一信道掺杂区、一闸极结构、一第一井、和一第二井。第二源极/汲极区与第一源极/汲极区相对设置。信道掺杂区设置在第一源极/汲极区和第二源极/汲极区之间。闸极结构设置在信道掺杂区上。第一井具有设置在第一源极/汲极区下的一第一部分。第二井与第一井相对设置，并与第二源极/汲极区分离。第一源极/汲极区、第二源极/汲极区、和信道掺杂区具有一第一导电类型。第一井和第二井具有不同于第一导电类型的一第二导电类型。

7. 发明专利

TWI607447B 記憶體陣列的操作方法有权
简体标题：内存数组的操作方法
公开(公告)号：TWI607447B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW105133168
申请日：2016-10-14
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：陳永翔 , CHEN, YUNG-HSIANG , 張耀文 , CHANG, YAO-WEN , 楊怡箴 , YANG, I-CHEN
IPC分类号： G11C16/10 , G11C16/24

8. 发明专利

TW201642394A 記憶元件及其製造方法审中-公开
简体标题：记忆组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201642394A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW104116028
申请日：2015-05-20
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：吳冠緯 , WU, GUAN-WEI , 張耀文 , CHANG, YAO-WEN , 楊怡箴 , YANG, I-CHEN , 盧道政 , LU, TAO-CHENG
IPC分类号： H01L21/8239 , H01L27/105
摘要：一種記憶元件及其製造方法。記憶元件包括基底、多個堆疊結構、多個導體柱、多個電荷儲存層以及多個第三導體層。堆疊結構位於基底上，堆疊結構沿著第一方向排列且沿著第二方向延伸，其中每一堆疊結構包括多個第一導體層和多個介電層沿著第三方向相互交替堆疊。每一導體柱位於相鄰兩個堆疊結構之間的基底上。每一電荷儲存層位於堆疊結構與導體柱之間。每一第三導體層沿著第一方向延伸，與堆疊結構交錯於多個交錯區域，且覆蓋部分堆疊結構和導體柱的頂部。堆疊結構與第三導體層交錯的每一交錯區域具有空氣間隙，且空氣間隙沿著第三方向延伸。
简体摘要：一种记忆组件及其制造方法。记忆组件包括基底、多个堆栈结构、多个导体柱、多个电荷存储层以及多个第三导体层。堆栈结构位于基底上，堆栈结构沿着第一方向排列且沿着第二方向延伸，其中每一堆栈结构包括多个第一导体层和多个介电层沿着第三方向相互交替堆栈。每一导体柱位于相邻两个堆栈结构之间的基底上。每一电荷存储层位于堆栈结构与导体柱之间。每一第三导体层沿着第一方向延伸，与堆栈结构交错于多个交错区域，且覆盖部分堆栈结构和导体柱的顶部。堆栈结构与第三导体层交错的每一交错区域具有空气间隙，且空气间隙沿着第三方向延伸。

9. 发明专利

TWI549227B 記憶元件及其製造方法有权
简体标题：记忆组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI549227B
公开(公告)日：2016-09-11
申请号：TW104116028
申请日：2015-05-20
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：吳冠緯 , WU, GUAN-WEI , 張耀文 , CHANG, YAO-WEN , 楊怡箴 , YANG, I-CHEN , 盧道政 , LU, TAO-CHENG
IPC分类号： H01L21/8239 , H01L27/105

10. 发明专利

TWI665677B 可緩解記憶胞干擾之編程抑制程序方法、記憶體裝置及控制器有权
简体标题：可缓解记忆胞干扰之编程抑制进程方法、内存设备及控制器
公开(公告)号：TWI665677B
公开(公告)日：2019-07-11
申请号：TW107119873
申请日：2018-06-08
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：林道遠 , LIN, TAO-YUAN , 楊怡箴 , YANG, I-CHEN , 張耀文 , CHANG, YAO-WEN
IPC分类号： G11C16/10

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