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1. 发明专利

TW202004762A 電阻式記憶體及寫入方法审中-公开
简体标题：电阻式内存及写入方法
公开(公告)号：TW202004762A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW107118282
申请日：2018-05-29
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：王炳琨 , WANG, PING KUN , 廖紹憬 , LIAO, SHAO CHING , 吳健民 , WU, CHIEN MIN , 何家驊 , HO, CHIA HUA , 陳達 , CHEN, FREDERICK , 趙鶴軒 , CHAO, HE HSUAN , 林小峰 , LIM, SEOW-FONG
IPC分类号： G11C13/00
摘要：一種電阻式記憶體，包括一記憶陣列、一記憶電路、一控制電路、一電壓產生電路以及一存取電路。記憶陣列具有複數區塊。每一區塊具有複數記憶胞。記憶電路儲存複數計數值。每一計數值表示一相對應區塊執行一寫入操作的次數。當一外部指令係為一寫入指令時，控制電路根據該等計數值產生一控制信號。電壓產生電路根據該控制信號提供一操作電壓組。存取電路根據操作電壓組存取記憶陣列。
简体摘要：一种电阻式内存，包括一记忆数组、一记忆电路、一控制电路、一电压产生电路以及一存取电路。记忆数组具有复数区块。每一区块具有复数记忆胞。记忆电路存储复数计数值。每一计数值表示一相对应区块运行一写入操作的次数。当一外部指令系为一写入指令时，控制电路根据该等计数值产生一控制信号。电压产生电路根据该控制信号提供一操作电压组。存取电路根据操作电压组存取记忆数组。

2. 发明专利

TWI633558B 電阻式記憶體元件的操作方法有权
简体标题：电阻式内存组件的操作方法
公开(公告)号：TWI633558B
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：TW106131660
申请日：2017-09-15
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：林立偉 , LIN, LIH-WEI , 蔡宗寰 , TSAI, TSUNG-HUAN , 林紀舜 , LIN, CHI-SHUN , 林小峰 , LIM, SEOW-FONG
IPC分类号： G11C7/04 , G11C13/00

3. 发明专利

TW201725586A 電阻式隨機存取記憶體审中-公开
简体标题：电阻式随机存取内存
公开(公告)号：TW201725586A
公开(公告)日：2017-07-16
申请号：TW105104066
申请日：2016-02-05
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：林小峰 , LIM, SEOW-FONG , 陳毓明 , CHAN, JOHNNY , 柳德鉉 , RYU, DOUK-HYOUN , 林紀舜 , LIN, CHI-SHUN
IPC分类号： G11C13/00
CPC分类号： G11C13/004 , G11C11/1655 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1677 , G11C13/0026 , G11C13/0033 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0054 , G11C2013/0073 , G11C2213/79 , G11C2213/82 , H01L27/2436
摘要：本發明提供一種電阻式記憶體，包括至少一第一電阻式記憶胞、第一位元線選擇開關、第一源極線選擇開關、第一下拉開關以及第二下拉開關。第一位元線選擇開關耦接至第一位元線以及感測放大器。第一源極線選擇開關耦接至源極線以及感測放大器。第一及第二下拉開關分別地耦接至位元線及源極線。當讀取操作被執行時，第一位元線選擇開關以及第二下拉開關的導通或斷開狀態相同，第一源極線選擇開關以及第一下拉開關的導通或斷開狀態相同，且第一及第二下拉開關的導通或斷開為互補的。
简体摘要：本发明提供一种电阻式内存，包括至少一第一电阻式记忆胞、第一比特线选择开关、第一源极线选择开关、第一下拉开关以及第二下拉开关。第一比特线选择开关耦接至第一比特线以及传感放大器。第一源极线选择开关耦接至源极线以及传感放大器。第一及第二下拉开关分别地耦接至比特线及源极线。当读取操作被运行时，第一比特线选择开关以及第二下拉开关的导通或断开状态相同，第一源极线选择开关以及第一下拉开关的导通或断开状态相同，且第一及第二下拉开关的导通或断开为互补的。

4. 发明专利

TWI691834B 採用連氏錯誤校正碼設計的記憶體儲存裝置及其編碼方法有权
简体标题：采用连氏错误校正码设计的内存存储设备及其编码方法
公开(公告)号：TWI691834B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：TW107139229
申请日：2018-11-06
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：連存德 , LIEN, CHUEN-DER , 謝明輝 , SHIEH, MING-HUEI , 林小峰 , LIM, SEOW-FONG , 張雅廸 , CHEUNG, NGATIK , 林紀舜 , LIN, CHI-SHUN
IPC分类号： G06F11/10

5. 发明专利

TWI640004B 電阻式隨機存取記憶體有权
简体标题：电阻式随机存取内存
公开(公告)号：TWI640004B
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW105104066
申请日：2016-02-05
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：林小峰 , LIM, SEOW-FONG , 陳毓明 , CHAN, JOHNNY , 柳德鉉 , RYU, DOUK-HYOUN , 林紀舜 , LIN, CHI-SHUN
IPC分类号： G11C13/00

6. 发明专利

TW201840135A 非易失性雙穩態觸發器單調計數器及其實施方法审中-公开
简体标题：非易失性双稳态触发器单调计数器及其实施方法
公开(公告)号：TW201840135A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW106143506
申请日：2017-12-12
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：林小峰 , LIM, SEOW-FONG , 林紀舜 , LIN, CHI-SHUN
IPC分类号： H03K21/40 , H03K21/02 , G11C14/00 , H03K19/00
摘要：一種單調計數器包括多個級，所述多個級分別對應於所述單調計數器的多個計數位元。該多個級中的至少一個是包括多個非易失性雙穩態觸發器（NVFF）的非易失性雙穩態觸發器計數器，每一非易失性雙穩態觸發器包括一對非易失性存儲胞元。
简体摘要：一种单调计数器包括多个级，所述多个级分别对应于所述单调计数器的多个计数码元。该多个级中的至少一个是包括多个非易失性双稳态触发器（NVFF）的非易失性双稳态触发器计数器，每一非易失性双稳态触发器包括一对非易失性存储胞元。

7. 发明专利

TWI663599B 儲存裝置及對其資料進行刷新的方法有权
简体标题：存储设备及对其数据进行刷新的方法
公开(公告)号：TWI663599B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：TW106141686
申请日：2017-11-29
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：洪希賢 , HUNG, HSI-HSIEN , 林小峰 , LIM, SEOW-FONG
IPC分类号： G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/16 , G11C16/26 , G11C16/34

8. 发明专利

TW201842506A 儲存裝置及對其資料進行刷新的方法审中-公开
简体标题：存储设备及对其数据进行刷新的方法
公开(公告)号：TW201842506A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW106141686
申请日：2017-11-29
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：洪希賢 , HUNG, HSI-HSIEN , 林小峰 , LIM, SEOW-FONG
IPC分类号： G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/16 , G11C16/26 , G11C16/34
摘要：一種儲存裝置及對其資料進行刷新的方法。裝置包括：儲存區塊，包括多個扇區；及控制單元，被配置成：將多個第一指示符預先儲存在儲存單元中，多個第一指示符分別對應於儲存區塊中的多個刷新單元，各刷新單元包括至少一個扇區，第一指示符是基於第一參考電壓準位來產生，在用於抹除儲存區塊的目標扇區的抹除迴圈中，以第二參考電壓準位從所選擇的刷新單元讀取資料，基此來產生所選擇的刷新單元的第二指示符，將與所選擇的刷新單元對應的第一指示符與第二指示符進行比較，如果第二指示符不等於第一指示符，則刷新所選擇的刷新單元中的資料。
简体摘要：一种存储设备及对其数据进行刷新的方法。设备包括：存储区块，包括多个扇区；及控制单元，被配置成：将多个第一指示符预先存储在存储单元中，多个第一指示符分别对应于存储区块中的多个刷新单元，各刷新单元包括至少一个扇区，第一指示符是基于第一参考电压准位来产生，在用于抹除存储区块的目标扇区的抹除循环中，以第二参考电压准位从所选择的刷新单元读取数据，基此来产生所选择的刷新单元的第二指示符，将与所选择的刷新单元对应的第一指示符与第二指示符进行比较，如果第二指示符不等于第一指示符，则刷新所选择的刷新单元中的数据。

9. 发明专利

TWI640985B 非揮發性半導體儲存裝置有权
简体标题：非挥发性半导体存储设备
公开(公告)号：TWI640985B
公开(公告)日：2018-11-11
申请号：TW106115407
申请日：2017-05-10
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：妹尾真言 , SENOO, MAKOTO , 林小峰 , LIM, SEOW-FONG
IPC分类号： G11C11/4063 , G11C13/00

10. 发明专利

TWI611412B 數據感測裝置有权
简体标题：数据传感设备
公开(公告)号：TWI611412B
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：TW105143149
申请日：2016-12-26
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：林紀舜 , LIN, CHI-SHUN , 張雅廸 , CHEUNG, NGATIK , 柳德鉉 , RYU, DOUK-HYOUN , 林小峰 , LIM, SEOW-FONG , 黃科頴 , HUANG, KOYING
IPC分类号： G11C16/26 , G11C7/06 , G11C7/10
CPC分类号： G11C13/004 , G11C11/1673 , G11C2013/0045 , G11C2013/005 , G11C2013/0054

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