专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI695488B 具有整合式高K金屬控制閘之非揮發性分離閘記憶體單元及其製造方法有权
简体标题：具有集成式高K金属控制闸之非挥发性分离闸内存单元及其制造方法
公开(公告)号：TWI695488B
公开(公告)日：2020-06-01
申请号：TW107143482
申请日：2018-12-04
申请人：美商超捷公司 , SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.
发明人：楊正威 , YANG, JENG-WEI , 吳滿堂 , WU, MAN-TANG , 陳俊明 , CHEN, CHUN-MING , 蘇堅昇 , SU, CHIEN-SHENG , 杜恩漢 , DO, NHAN
IPC分类号： H01L27/115 , H01L27/11521

2. 发明专利

TWI689082B 製造具有抹除閘的分離閘快閃記憶體單元之方法有权
简体标题：制造具有抹除闸的分离闸闪存单元之方法
公开(公告)号：TWI689082B
公开(公告)日：2020-03-21
申请号：TW107134989
申请日：2018-10-03
申请人：美商超捷公司 , SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.
发明人：楊正威 , YANG, JENG-WEI , 陳俊明 , CHEN, CHUN-MING , 吳滿堂 , WU, MAN-TANG , 范振智 , FAN, CHEN-CHIH , 杜恩漢 , DO, NHAN
IPC分类号： H01L27/115

3. 发明专利

TW201947596A 具有位元組抹除操作之分離閘快閃記憶體陣列审中-公开
简体标题：具有字节抹除操作之分离闸闪存数组
公开(公告)号：TW201947596A
公开(公告)日：2019-12-16
申请号：TW108116147
申请日：2019-05-10
申请人：美商超捷公司 , SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.
发明人：梁宣 , LIANG, HSUAN , 楊正威 , YANG, JENG-WEI , 吳滿堂 , WU, MAN-TANG , 杜恩漢 , DO, NHAN , 陳曉萬 , TRAN, HIEU VAN
IPC分类号： G11C16/16
摘要：一種記憶體裝置，其具有：在列與行中的記憶體單元；字線，其等將用於記憶體單元的控制閘連接在一起；位元線，其等將用於記憶體單元的汲極區域電氣連接在一起；第一子源極線，其等各將在記憶體單元列之一者中且在第一複數個記憶體單元行中的源極區域電氣連接在一起；第二子源極線，其等各將在記憶體單元列之一者中且在第二複數個記憶體單元行中的源極區域電氣連接在一起；第一源極線及第二源極線；第一選擇電晶體，其等各經連接於第一子源極線之一者與第一源極線之間；第二選擇電晶體，其等各經連接於第二子源極線之一者與第二源極線之間；及選擇電晶體線，其等各經連接至第一選擇電晶體之一者的閘極及第二選擇電晶體之一者的閘極。
简体摘要：一种内存设备，其具有：在列与行中的内存单元；字线，其等将用于内存单元的控制闸连接在一起；比特线，其等将用于内存单元的汲极区域电气连接在一起；第一子源极线，其等各将在内存单元列之一者中且在第一复数个内存单元行中的源极区域电气连接在一起；第二子源极线，其等各将在内存单元列之一者中且在第二复数个内存单元行中的源极区域电气连接在一起；第一源极线及第二源极线；第一选择晶体管，其等各经连接于第一子源极线之一者与第一源极线之间；第二选择晶体管，其等各经连接于第二子源极线之一者与第二源极线之间；及选择晶体管线，其等各经连接至第一选择晶体管之一者的闸极及第二选择晶体管之一者的闸极。

4. 发明专利

TWI683314B 具有位元組抹除操作之分離閘快閃記憶體陣列有权
简体标题：具有字节抹除操作之分离闸闪存数组
公开(公告)号：TWI683314B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：TW108116147
申请日：2019-05-10
申请人：美商超捷公司 , SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.
发明人：梁宣 , LIANG, HSUAN , 楊正威 , YANG, JENG-WEI , 吳滿堂 , WU, MAN-TANG , 杜恩漢 , DO, NHAN , 陳曉萬 , TRAN, HIEU VAN
IPC分类号： G11C16/16

5. 发明专利

TW201804604A 集成鰭式場效電晶體(FINFET) CMOS裝置與嵌入式非揮發性記憶體單元之方法审中-公开
简体标题：集成鳍式场效应管(FINFET) CMOS设备与嵌入式非挥发性内存单元之方法
公开(公告)号：TW201804604A
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW106117018
申请日：2017-05-23
申请人：超捷公司 , SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.
发明人：蘇堅昇 , SU, CHIEN-SHENG , 楊正威 , YANG, JENG-WEI , 吳滿堂 , WU, MAN-TANG , 陳俊明 , CHEN, CHUN-MING , 陳曉萬 , TRAN, HIEU VAN , 杜恩漢 , DO, NHAN
IPC分类号： H01L27/115 , H01L27/1156
CPC分类号： H01L27/11568 , H01L21/30604 , H01L21/30625 , H01L21/3065 , H01L21/823821 , H01L28/00
摘要：一種形成一記憶體裝置的方法，該記憶體裝置具有在一平面狀基材表面上方之記憶體單元以及在鰭形基材表面部分上方的FinFET邏輯裝置，該方法包括：形成一保護層於該基材之一記憶體單元部分中之先前形成的浮閘、抹除閘、字線多晶矽、及源極區上方；接著形成鰭片至該基材之該表面中，及在該基材之一邏輯部分中沿著該鰭片形成邏輯閘；接著移除該保護層，及完成自該基材之該記憶體單元部分中之該等字線多晶矽及汲極區形成字線閘。
简体摘要：一种形成一内存设备的方法，该内存设备具有在一平面状基材表面上方之内存单元以及在鳍形基材表面部分上方的FinFET逻辑设备，该方法包括：形成一保护层于该基材之一内存单元部分中之先前形成的浮闸、抹除闸、字线多晶硅、及源极区上方；接着形成鳍片至该基材之该表面中，及在该基材之一逻辑部分中沿着该鳍片形成逻辑门；接着移除该保护层，及完成自该基材之该内存单元部分中之该等字线多晶硅及汲极区形成字线闸。

6. 发明专利

TW201644040A 分離閘快閃記憶體陣列及邏輯裝置之整合审中-公开
简体标题：分离闸闪存数组及逻辑设备之集成
公开(公告)号：TW201644040A
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：TW105106493
申请日：2016-03-03
申请人：超捷公司 , SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.
发明人：陳俊明 , CHEN, CHUN MING , 楊正威 , YANG, JENG WEI , 蘇堅昇 , SU, CHIEN-SHENG , 吳滿堂 , WU, MAN TANG , 杜恩漢 , DO, NHAN
IPC分类号： H01L27/115 , H01L29/423 , G11C16/04
CPC分类号： H01L27/11531 , G11C16/0425 , H01L21/28273 , H01L27/11534 , H01L29/42328 , H01L29/66825
摘要：一種記憶體裝置及方法包括具有記憶體及邏輯裝置區域的一半導體基材。形成複數個記憶體單元於該記憶體區域中，該等記憶體單元各包括：第一源極區及汲極區，其等之間具有一第一通道區；一浮閘，其設置於該第一通道之一第一部分上方；一控制閘，其設置於該浮閘上方；一選擇閘，其設置於該第一通道區之一第二部分上方；以及一抹除閘，其設置於該源極區上方。形成複數個邏輯裝置於該邏輯裝置區域中，該等邏輯裝置各包括：第二源極區及汲極區，其等之間具有一第二通道區；以及一邏輯閘，其設置於該第二通道區上方。在該記憶體區域中之該基材上表面凹陷而低於該基材在該邏輯裝置區域中之上表面，以使較高的該等記憶體單元具有相似於該等邏輯裝置之上高度的一上高度。
简体摘要：一种内存设备及方法包括具有内存及逻辑设备区域的一半导体基材。形成复数个内存单元于该内存区域中，该等内存单元各包括：第一源极区及汲极区，其等之间具有一第一信道区；一浮闸，其设置于该第一信道之一第一部分上方；一控制闸，其设置于该浮闸上方；一选择闸，其设置于该第一信道区之一第二部分上方；以及一抹除闸，其设置于该源极区上方。形成复数个逻辑设备于该逻辑设备区域中，该等逻辑设备各包括：第二源极区及汲极区，其等之间具有一第二信道区；以及一逻辑门，其设置于该第二信道区上方。在该内存区域中之该基材上表面凹陷而低于该基材在该逻辑设备区域中之上表面，以使较高的该等内存单元具有相似于该等逻辑设备之上高度的一上高度。

7. 发明专利

TWI562338B 具有金屬強化閘極之分離閘非揮發性快閃記憶體單元及其製造方法有权
简体标题：具有金属强化闸极之分离闸非挥发性闪存单元及其制造方法
公开(公告)号：TWI562338B
公开(公告)日：2016-12-11
申请号：TW104139924
申请日：2015-11-30
申请人：超捷公司 , SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.
发明人：陳俊明 , CHEN, CHUN MING , 吳滿堂 , WU, MAN TANG , 楊正威 , YANG, JENG WEI , 蘇堅昇 , SU, CHIEN-SHENG
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L27/11521 , H01L21/02181 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/28273 , H01L29/42328 , H01L29/4916 , H01L29/66825 , H01L29/7885

8. 发明专利

TW201635336A 具有金屬閘極之分離閘非揮發性快閃記憶體單元及其製造方法审中-公开
简体标题：具有金属闸极之分离闸非挥发性闪存单元及其制造方法
公开(公告)号：TW201635336A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW104142469
申请日：2015-12-17
申请人：超捷公司 , SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.
发明人：陳俊明 , CHEN, CHUN MING , 吳滿堂 , WU, MAN TANG , 楊正威 , YANG, JENG WEI , 蘇堅昇 , SU, CHIEN-SHENG
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/28 , H01L27/115 , H01L29/423 , H01L29/45 , H01L29/49 , H01L29/51 , H01L29/66 , H01L29/788
CPC分类号： H01L27/11521 , H01L21/02181 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/28273 , H01L27/11524 , H01L29/42328 , H01L29/45 , H01L29/4916 , H01L29/495 , H01L29/511 , H01L29/517 , H01L29/66825 , H01L29/788 , H01L29/7881
摘要：一非揮發性記憶體單元包括一第一導電性類型之一基材，該基材具有：一第二導電性類型之一第一區域、該第二導電性類型之一第二區域，該第二區域與該第一區域分隔開而在其等之間形成一通道區域。一浮閘經設置於與該第一區域相鄰的該通道區域之一第一部分上方並與該第一部分絕緣。一選擇閘經設置於與該第二區域相鄰的該通道區域之一第二部分上方，該選擇閘由一金屬材料形成，並藉由一二氧化矽層與一高K絕緣材料層而與該通道區域之該第二部分絕緣。一控制閘經設置於該浮閘上方且與該浮閘絕緣。一抹除閘經設置於該第一區域上方並與該第一區域絕緣，且經設置成與該浮閘橫向相鄰並與該浮閘絕緣。
简体摘要：一非挥发性内存单元包括一第一导电性类型之一基材，该基材具有：一第二导电性类型之一第一区域、该第二导电性类型之一第二区域，该第二区域与该第一区域分隔开而在其等之间形成一信道区域。一浮闸经设置于与该第一区域相邻的该信道区域之一第一部分上方并与该第一部分绝缘。一选择闸经设置于与该第二区域相邻的该信道区域之一第二部分上方，该选择闸由一金属材料形成，并借由一二氧化硅层与一高K绝缘材料层而与该信道区域之该第二部分绝缘。一控制闸经设置于该浮闸上方且与该浮闸绝缘。一抹除闸经设置于该第一区域上方并与该第一区域绝缘，且经设置成与该浮闸横向相邻并与该浮闸绝缘。

9. 发明专利

TW201806009A 形成低高度分離閘記憶體單元之方法审中-公开
简体标题：形成低高度分离闸内存单元之方法
公开(公告)号：TW201806009A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106120590
申请日：2017-06-20
申请人：超捷公司 , SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.
发明人：蘇堅昇 , SU, CHIEN-SHENG , 楊正威 , YANG, JENG-WEI , 吳滿堂 , WU, MAN-TANG , 陳俊明 , CHEN, CHUN-MING , 陳曉萬 , TRAN, HIEU VAN , 杜恩漢 , DO, NHAN
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L21/28 , G11C16/0425 , H01L21/28273 , H01L21/30604 , H01L27/11539 , H01L29/42328 , H01L29/772
摘要：一種形成一記憶體裝置之方法，該方法包括：形成一第一絕緣層於該半導體基材上；形成一導電材料層於該第一絕緣層上；形成一絕緣區塊於該導電材料層上；沿著該絕緣區塊之一側表面及於該導電材料層上形成一絕緣間隔物；蝕刻該導電材料層以形成該導電材料之一區塊，該區塊直接設置於該絕緣區塊及該絕緣間隔物下方；移除該絕緣間隔物；形成一第二絕緣層，其具有一第一部分及一第二部分，該第一部分包覆圍繞該導電材料之該區塊之一經暴露上邊緣，該第二部分設置於該基材上方之該第一絕緣層之一第一部分上；及形成一導電區塊，其係藉由該第二絕緣層與該導電材料之該區塊絕緣並藉由該第一絕緣層及該第二絕緣層與該基材絕緣。
简体摘要：一种形成一内存设备之方法，该方法包括：形成一第一绝缘层于该半导体基材上；形成一导电材料层于该第一绝缘层上；形成一绝缘区块于该导电材料层上；沿着该绝缘区块之一侧表面及于该导电材料层上形成一绝缘间隔物；蚀刻该导电材料层以形成该导电材料之一区块，该区块直接设置于该绝缘区块及该绝缘间隔物下方；移除该绝缘间隔物；形成一第二绝缘层，其具有一第一部分及一第二部分，该第一部分包覆围绕该导电材料之该区块之一经暴露上边缘，该第二部分设置于该基材上方之该第一绝缘层之一第一部分上；及形成一导电区块，其系借由该第二绝缘层与该导电材料之该区块绝缘并借由该第一绝缘层及该第二绝缘层与该基材绝缘。

10. 发明专利

TWI590313B 形成含有金屬閘及邏輯裝置之自我對準分離閘記憶體單元陣列之方法有权
简体标题：形成含有金属闸及逻辑设备之自我对准分离闸内存单元数组之方法
公开(公告)号：TWI590313B
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105102081
申请日：2016-01-22
申请人：超捷公司 , SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.
发明人：楊正威 , YANG, JENG WEI , 陳俊明 , CHEN, CHUN MING , 吳滿堂 , WU, MAN TANG , 周峰 , ZHOU, FENG , 呂祥 , LIU, XIAN , 蘇堅昇 , SU, CHIEN-SHENG , 杜恩漢 , DO, NHAN
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/306 , H01L27/115 , H01L29/66
CPC分类号： H01L27/11524 , H01L21/28273 , H01L21/30604 , H01L27/11536 , H01L29/42328 , H01L29/66545 , H01L29/66825 , H01L29/7881

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式