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1. 发明专利

TWI595542B 半導體結構有权
简体标题：半导体结构
公开(公告)号：TWI595542B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：TW105140689
申请日：2016-12-08
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：陳永翔 , CHEN, YUNG-HSIANG , 張耀文 , CHANG, YAO-WEN , 劉注雍 , LIU, CHU-YUNG , 楊怡箴 , YANG, I-CHEN , 張馨文 , CHANG, HSING-WEN
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/336

2. 发明专利

TW201709212A 記憶體陣列的程式化方法审中-公开
简体标题：内存数组的进程化方法
公开(公告)号：TW201709212A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW104127099
申请日：2015-08-20
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：劉注雍 , LIU, CHU-YUNG , 張馨文 , CHANG, HSING-WEN , 張耀文 , CHANG, YAO-WEN , 盧道政 , LU, TAO-CHENG
IPC分类号： G11C29/38 , G11C16/02
摘要：一種記憶體陣列的程式化方法包括下列步驟，其中所述記憶體陣列包括電性連接第一字元線的目標記憶胞與兩周邊記憶胞。在執行目標記憶胞的第一程式化操作後，驗證目標記憶胞與兩周邊記憶胞以取得第一驗證結果。依據第一驗證結果而決定是否對目標記憶胞執行第二程式化操作或是第三程式化操作，且對目標記憶胞執行第二程式化操作或是第三程式化操作的步驟包括：關閉第一電晶體與第二電晶體；以及，提升用以導通多個非目標記憶胞之傳遞電壓的準位以及第一字元線所傳送之程式化電壓的準位。
简体摘要：一种内存数组的进程化方法包括下列步骤，其中所述内存数组包括电性连接第一字符线的目标记忆胞与两周边记忆胞。在运行目标记忆胞的第一进程化操作后，验证目标记忆胞与两周边记忆胞以取得第一验证结果。依据第一验证结果而决定是否对目标记忆胞运行第二进程化操作或是第三进程化操作，且对目标记忆胞运行第二进程化操作或是第三进程化操作的步骤包括：关闭第一晶体管与第二晶体管；以及，提升用以导通多个非目标记忆胞之传递电压的准位以及第一字符线所发送之进程化电压的准位。

3. 发明专利

TWI433154B 非揮發性記憶體及其操作方法有权
简体标题：非挥发性内存及其操作方法
公开(公告)号：TWI433154B
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW098123740
申请日：2009-07-14
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：張耀文 , CHANG, YAO WEN , 盧道政 , LU, TAO CHENG , 楊怡箴 , YANG, I CHEN , 張馨文 , CHANG, HSING WEN
IPC分类号： G11C16/06 , G11C7/14
CPC分类号： G11C16/0475 , G11C11/56 , G11C16/3418 , G11C16/3454 , G11C2211/5621 , G11C2211/5634

4. 发明专利

TWI517164B 記憶裝置、於該記憶裝置中產生程式化偏壓脈衝的方法、及包含記憶裝置之積體電路有权
简体标题：记忆设备、于该记忆设备中产生进程化偏压脉冲的方法、及包含记忆设备之集成电路
公开(公告)号：TWI517164B
公开(公告)日：2016-01-11
申请号：TW101104243
申请日：2012-02-09
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：劉注雍 , LIU, CHU YUNG , 張馨文 , CHANG, HSING WEN , 張耀文 , CHANG, YAO WEN , 盧道政 , LU, TAO CHENG
IPC分类号： G11C16/10 , G11C16/12
CPC分类号： G11C16/0483 , G11C16/3427 , G11C16/3459

5. 发明专利

TWI496148B 快閃記憶體的可程式方法有权
简体标题：闪存的可进程方法
公开(公告)号：TWI496148B
公开(公告)日：2015-08-11
申请号：TW102105132
申请日：2013-02-08
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：劉注雍 , LIU, CHU YUNG , 張馨文 , CHANG, HSING WEN , 張耀文 , CHANG, YAO WEN , 盧道政 , LU, TAO CHENG
IPC分类号： G11C16/10 , G11C16/34

6. 发明专利

TWI486955B 快閃記憶體裝置與其程式化方法有权
简体标题：闪存设备与其进程化方法
公开(公告)号：TWI486955B
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW100109989
申请日：2011-03-23
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：張馨文 , CHANG, HSING WEN , 張耀文 , CHANG, YAO WEN , 劉注雍 , LIU, CHU YUNG
IPC分类号： G11C16/10

7. 发明专利

TW201333958A 改善邊界及抑制干擾的快閃記憶體程式化技術审中-公开
简体标题：改善边界及抑制干扰的闪存进程化技术
公开(公告)号：TW201333958A
公开(公告)日：2013-08-16
申请号：TW101104243
申请日：2012-02-09
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：劉注雍 , LIU, CHU YUNG , 張馨文 , CHANG, HSING WEN , 張耀文 , CHANG, YAO WEN , 盧道政 , LU, TAO CHENG
IPC分类号： G11C16/10 , G11C16/12
CPC分类号： G11C16/0483 , G11C16/3427 , G11C16/3459
摘要：本發明係揭露一種記憶裝置，其包括複數個記憶胞串列串聯安排於半導體主體中，例如是反及閘串列，具有複數條字元線。一選取目標記憶胞係由遞增步進脈衝程式化加以程式化，其中包括施加一程式化偏壓脈衝具有至少一循環的階梯輪廓，包括一初始階段中程式化電壓及通過電壓設定為具有一初始階級，及一後續部份該程式化電壓及選擇性地將通過電壓升壓至第二階級。於初始階段中，該位元線電壓及該串列選擇線電壓係用來開啟該串列選擇切換開關，並於該後續階段中關閉該串列選擇切換開關。此外，於施加該抑制位元線電壓以關閉該未選取串列的該串列選擇切換開關之前，該程式化電壓降至小於該程式化大小的一第一大小，並於施加該抑制位元線電壓以關閉該未選取串列的該串列選擇切換開關之後，該程式化電壓升至該程式化大小。
简体摘要：本发明系揭露一种记忆设备，其包括复数个记忆胞串行串联安排于半导体主体中，例如是反及闸串行，具有复数条字符线。一选取目标记忆胞系由递增步进脉冲进程化加以进程化，其中包括施加一进程化偏压脉冲具有至少一循环的阶梯轮廓，包括一初始阶段中进程化电压及通过电压设置为具有一初始阶级，及一后续部份该进程化电压及选择性地将通过电压升压至第二阶级。于初始阶段中，该比特线电压及该串行选择线电压系用来打开该串行选择切换开关，并于该后续阶段中关闭该串行选择切换开关。此外，于施加该抑制比特线电压以关闭该未选取串行的该串行选择切换开关之前，该进程化电压降至小于该进程化大小的一第一大小，并于施加该抑制比特线电压以关闭该未选取串行的该串行选择切换开关之后，该进程化电压升至该进程化大小。

8. 发明专利

TWI692761B 非揮發性記憶體裝置的操作方法有权
简体标题：非挥发性内存设备的操作方法
公开(公告)号：TWI692761B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：TW108119562
申请日：2019-06-05
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：張馨文 , CHANG, HSING WEN , 張耀文 , CHANG, YAO WEN , 秦啟元 , CHIN, CHI YUAN
IPC分类号： G11C16/02 , G11C16/16 , G06F12/02

9. 发明专利

TWI506632B 編程記憶胞之方法與裝置有权
简体标题：编程记忆胞之方法与设备
公开(公告)号：TWI506632B
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW102123114
申请日：2013-06-28
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：張馨文 , CHANG, HSING WEN , 張耀文 , CHANG, YAO WEN , 趙元鵬 , CHAO, YUAN PENG
IPC分类号： G11C16/10 , G11C16/34
CPC分类号： G11C16/0483 , G11C16/3427 , G11C16/3459

10. 发明专利

TW201435886A 編程記憶胞之方法與裝置审中-公开
简体标题：编程记忆胞之方法与设备
公开(公告)号：TW201435886A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW102123114
申请日：2013-06-28
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：張馨文 , CHANG, HSING WEN , 張耀文 , CHANG, YAO WEN , 趙元鵬 , CHAO, YUAN PENG
IPC分类号： G11C16/10 , G11C16/34
CPC分类号： G11C16/0483 , G11C16/3427 , G11C16/3459
摘要：一種編程記憶胞的方法，包括施加一編程電壓至一記憶胞陣列中的一被選擇記憶胞，以及施加一鄰近通過電壓至一鄰近記憶胞，該鄰近記憶胞相鄰於該被選擇記憶胞，增加該編程電壓以編程該被選擇記憶胞，增加該鄰近通過電壓以編程該被選擇記憶胞。
简体摘要：一种编程记忆胞的方法，包括施加一编程电压至一记忆胞数组中的一被选择记忆胞，以及施加一邻近通过电压至一邻近记忆胞，该邻近记忆胞相邻于该被选择记忆胞，增加该编程电压以编程该被选择记忆胞，增加该邻近通过电压以编程该被选择记忆胞。

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