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1. 发明专利

TW202030840A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW202030840A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW109104519
申请日：2010-11-11
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 小山潤 , KOYAMA, JUN , 加藤清 , KATO, KIYOSHI
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L27/108 , G11C5/06 , G11C16/24 , H01L29/788
摘要：本發之目的在於提供一種半導體裝置，其組合整合於相同基板上之電晶體，其中電晶體包含於其通道形成區中之氧化物半導體以及電晶體包含於其通道形成區中之非氧化物半導體。本發明之應用在於實現實質上非易失性半導體記憶體，其不需特別擦除工作並不會遭受由於重覆寫入工作所產生之損害。此外，半導體裝置受適當調配以儲存多值。於說明內容中詳細地說明了製造方法、應用電路及驅動/讀出方法。
简体摘要：本发之目的在于提供一种半导体设备，其组合集成于相同基板上之晶体管，其中晶体管包含于其信道形成区中之氧化物半导体以及晶体管包含于其信道形成区中之非氧化物半导体。本发明之应用在于实现实质上非易失性半导体内存，其不需特别擦除工作并不会遭受由于重复写入工作所产生之损害。此外，半导体设备受适当调配以存储多值。于说明内容中详细地说明了制造方法、应用电路及驱动/读出方法。

2. 发明专利

TWI697905B 半導體記憶裝置有权
简体标题：半导体记忆设备
公开(公告)号：TWI697905B
公开(公告)日：2020-07-01
申请号：TW107127507
申请日：2018-08-07
申请人：日商東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：東和幸 , HIGASHI, KAZUYUKI , 津村一道 , TSUMURA, KAZUMICHI , 勝又竜太 , KATSUMATA, RYOTA , 荒井史隆 , ARAI, FUMITAKA
IPC分类号： G11C16/16 , G11C16/24

3. 发明专利

TWI695382B 記憶體定址方法及相關聯的控制器有权
简体标题：内存寻址方法及相关联的控制器
公开(公告)号：TWI695382B
公开(公告)日：2020-06-01
申请号：TW107147893
申请日：2018-12-28
申请人：慧榮科技股份有限公司 , SILICON MOTION INC.
发明人：謝兆魁 , HSIEH, CHAO-KUEI
IPC分类号： G11C16/24 , G11C16/26

4. 发明专利

TWI692765B 摺疊電路和非揮發性記憶體裝置有权
简体标题：折叠电路和非挥发性内存设备
公开(公告)号：TWI692765B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：TW105128067
申请日：2016-08-31
申请人：南韓商愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：鄭會三 , JEONG, HOE SAM
IPC分类号： G11C16/24 , G11C16/26

5. 发明专利

TWI685847B 資料儲存裝置之非揮發式記憶體的命名空間規劃有权
简体标题：数据存储设备之非挥发式内存的命名空间规划
公开(公告)号：TWI685847B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：TW107131283
申请日：2018-09-06
申请人：慧榮科技股份有限公司 , SILICON MOTION, INC.
发明人：林聖嵂 , LIN, SHENG-LIU
IPC分类号： G11C16/16 , G11C16/24

6. 发明专利

TW202004758A 限流電路、電阻式隨機存取記憶體電路，與在電阻式隨機存取記憶體元件中形成細絲的方法审中-公开
简体标题：限流电路、电阻式随机存取内存电路，与在电阻式随机存取内存组件中形成细丝的方法
公开(公告)号：TW202004758A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108118374
申请日：2019-05-28
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：鄒宗成 , CHOU, CHUNG-CHENG , 曾珮玲 , TSENG, PEI-LING , 林鉦峻 , LIN, ZHENG-JUN
IPC分类号： G11C11/4074 , G11C8/08 , G11C16/24
摘要：本發明的實施例提供一種包含偏壓電壓產生器及限流器的電路。偏壓電壓產生器經組態以接收第一參考電壓且回應於第一電流及第一參考電壓而輸出偏壓電壓。限流器經組態以接收輸入端子處的第二電流、第二參考電壓及偏壓電壓，且回應於第二參考電壓及輸入端子的電壓準位而將第二電流限制至電流限制準位，輸入端子的電壓準位是基於偏壓電壓。
简体摘要：本发明的实施例提供一种包含偏压电压产生器及限流器的电路。偏压电压产生器经组态以接收第一参考电压且回应于第一电流及第一参考电压而输出偏压电压。限流器经组态以接收输入端子处的第二电流、第二参考电压及偏压电压，且回应于第二参考电压及输入端子的电压准位而将第二电流限制至电流限制准位，输入端子的电压准位是基于偏压电压。

7. 发明专利

TWI638358B 記憶體裝置及其操作方法有权
简体标题：内存设备及其操作方法
公开(公告)号：TWI638358B
公开(公告)日：2018-10-11
申请号：TW106136610
申请日：2017-10-25
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：李亞叡 , LEE, YA-JUI , 陳冠復 , CHEN, KUAN-FU
IPC分类号： G11C16/08 , G11C16/24

8. 发明专利

TW201835928A 半導體記憶裝置审中-公开
简体标题：半导体记忆设备
公开(公告)号：TW201835928A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW106123914
申请日：2017-07-18
申请人：東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：中川知己 , NAKAGAWA, TOMOKI , 細野浩司 , HOSONO, KOJI
IPC分类号： G11C16/08 , G11C16/24
摘要：本發明之實施形態提供一種高品質之半導體記憶裝置。實施形態之半導體記憶裝置具備控制電路，上述控制電路係於對記憶胞寫入資料之情形時，進行對字線施加第1電壓之第1編程，進行對字線施加較第1電壓低之第2電壓之第1編程驗證，進行對字線施加較第1電壓低且較第2電壓高之第3電壓之第2驗證，於進行第1及第2驗證後，調整對位元線施加之電壓，進行第1編程、第1及第2驗證，當完成第2驗證時，進行對字線施加較第1電壓高之第4電壓之第2編程，當完成第2編程時，進行對字線施加較第4電壓高之第5電壓之第3編程。
简体摘要：本发明之实施形态提供一种高品质之半导体记忆设备。实施形态之半导体记忆设备具备控制电路，上述控制电路系于对记忆胞写入数据之情形时，进行对字线施加第1电压之第1编程，进行对字线施加较第1电压低之第2电压之第1编程验证，进行对字线施加较第1电压低且较第2电压高之第3电压之第2验证，于进行第1及第2验证后，调整对比特线施加之电压，进行第1编程、第1及第2验证，当完成第2验证时，进行对字线施加较第1电压高之第4电压之第2编程，当完成第2编程时，进行对字线施加较第4电压高之第5电压之第3编程。

9. 发明专利

TWI625730B 可再構成之邏輯元件、可再構成之邏輯元件之控制方法、用以控制可再構成之邏輯元件之程式產品及電腦可讀取之記錄媒體有权
简体标题：可再构成之逻辑组件、可再构成之逻辑组件之控制方法、用以控制可再构成之逻辑组件之进程产品及电脑可读取之记录媒体
公开(公告)号：TWI625730B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW103128496
申请日：2014-08-19
申请人：太陽誘電股份有限公司 , TAIYO YUDEN CO., LTD.
发明人：佐藤正幸 , SATOU, MASAYUKI , 志水勲 , SHIMIZU, ISAO
IPC分类号： G11C16/24 , G11C16/06

10. 发明专利

TWI623939B 記憶體裝置與其控制方法有权
简体标题：内存设备与其控制方法
公开(公告)号：TWI623939B
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：TW105121252
申请日：2016-07-05
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：李嘉富 , LEE, CHIA FU , 池育德 , CHIH, YU DER , 林弘璋 , LIN, HON JARN , 史毅駿 , SHIH, YI CHUN
IPC分类号： G11C16/28 , G11C16/24 , G11C16/34

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