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1. 发明专利

TW202030839A 用於增大浮動閘極胞元之寫抹窗口的記憶體裝置审中-公开
简体标题：用于增大浮动闸极胞元之写抹窗口的内存设备
公开(公告)号：TW202030839A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW108104855
申请日：2019-02-13
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：楊怡箴 , YANG, I CHEN , 張耀文 , CHANG, YAO-WEN , 吳冠緯 , WU, GUAN-WEI , 林道遠 , LIN, TAO YUAN , 陳永翔 , CHEN, YUNG HSIANG
IPC分类号： H01L21/8239
摘要：一種記憶體裝置，包含複數個浮動閘極胞元，其中各該浮動閘極胞元包括一浮動閘極，具有一頂端、位於該頂端兩側的一第一與一第二圓弧導角和一第一寬度，以及一主動區間，具有一第二寬度，其中該浮動閘極設置於該主動區間上，該第二寬度小於該第一寬度。
简体摘要：一种内存设备，包含复数个浮动闸极胞元，其中各该浮动闸极胞元包括一浮动闸极，具有一顶端、位于该顶端两侧的一第一与一第二圆弧导角和一第一宽度，以及一主动区间，具有一第二宽度，其中该浮动闸极设置于该主动区间上，该第二宽度小于该第一宽度。

2. 发明专利

TWI665677B 可緩解記憶胞干擾之編程抑制程序方法、記憶體裝置及控制器有权
简体标题：可缓解记忆胞干扰之编程抑制进程方法、内存设备及控制器
公开(公告)号：TWI665677B
公开(公告)日：2019-07-11
申请号：TW107119873
申请日：2018-06-08
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：林道遠 , LIN, TAO-YUAN , 楊怡箴 , YANG, I-CHEN , 張耀文 , CHANG, YAO-WEN
IPC分类号： G11C16/10

3. 发明专利

TW201824283A 記憶體裝置的操作方法审中-公开
简体标题：内存设备的操作方法
公开(公告)号：TW201824283A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW105142484
申请日：2016-12-21
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：林道遠 , LIN, TAO-YUAN , 楊怡箴 , YANG, I-CHEN , 張耀文 , CHANG, YAO-WEN
IPC分类号： G11C16/24 , G11C8/08
摘要：一種記憶體裝置包括N條字元線，其中該些字元線包括一第i條字元線和一第i+1條字元線，第i條字元線耦接至一第i個記憶胞，第i+1條字元線耦接至相鄰於第i個記憶胞的一第i+1個記憶胞，第i+1個記憶胞是一被寫入的記憶胞，i是0至N-2的整數。操作此種記憶體裝置的一種操作方法包括一讀取步驟。在該讀取步驟中，提供一讀取電壓至第i條字元線，提供一第一通過電壓至第i+1條字元線，並提供一第二通過電壓至所有其他字元線，其中第二通過電壓低於第一通過電壓。
简体摘要：一种内存设备包括N条字符线，其中该些字符线包括一第i条字符线和一第i+1条字符线，第i条字符线耦接至一第i个记忆胞，第i+1条字符线耦接至相邻于第i个记忆胞的一第i+1个记忆胞，第i+1个记忆胞是一被写入的记忆胞，i是0至N-2的整数。操作此种内存设备的一种操作方法包括一读取步骤。在该读取步骤中，提供一读取电压至第i条字符线，提供一第一通过电压至第i+1条字符线，并提供一第二通过电压至所有其他字符线，其中第二通过电压低于第一通过电压。

4. 发明专利

TWI527130B 半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI527130B
公开(公告)日：2016-03-21
申请号：TW103115781
申请日：2014-05-02
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：林道遠 , LIN, TAO YUAN , 楊怡箴 , YANG, I CHEN , 張耀文 , CHANG, YAO WEN
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/265
CPC分类号： H01L29/7833 , H01L21/26506 , H01L21/26513 , H01L21/26593 , H01L29/6659

5. 发明专利

TW202008367A 記憶體陣列的操作方法审中-公开
简体标题：内存数组的操作方法
公开(公告)号：TW202008367A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW107127475
申请日：2018-08-07
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：林道遠 , LIN, TAO-YUAN , 楊怡箴 , YANG, I-CHEN , 張耀文 , CHANG, YAO-WEN
IPC分类号： G11C16/10 , G11C16/16
摘要：記憶體陣列的操作方法。記憶體陣列包括一第一NAND記憶體串列。第一NAND記憶體串列包括一第i個記憶胞、一第i-1個記憶胞、一第i條字元線與一第i-1條字元線。第i個記憶胞與第i-1個記憶胞依序電性串聯。第i條字元線電性連接至第i個記憶胞。第i-1條字元線電性連接至第i-1個記憶胞。記憶體陣列的操作方法包括在一操作時段期間，對第i個記憶胞進行一抑制程式化程序，並同時對第i-1個記憶胞進行一第一程序。抑制程式化程序包括提供一第一預開啟電壓至第i條字元線。第一程序包括提供第二預開啟電壓至第i-1條字元線。
简体摘要：内存数组的操作方法。内存数组包括一第一NAND内存串行。第一NAND内存串行包括一第i个记忆胞、一第i-1个记忆胞、一第i条字符线与一第i-1条字符线。第i个记忆胞与第i-1个记忆胞依序电性串联。第i条字符线电性连接至第i个记忆胞。第i-1条字符线电性连接至第i-1个记忆胞。内存数组的操作方法包括在一操作时段期间，对第i个记忆胞进行一抑制进程化进程，并同时对第i-1个记忆胞进行一第一进程。抑制进程化进程包括提供一第一预打开电压至第i条字符线。第一进程包括提供第二预打开电压至第i-1条字符线。

6. 发明专利

TWI682396B 記憶體陣列的操作方法有权
简体标题：内存数组的操作方法
公开(公告)号：TWI682396B
公开(公告)日：2020-01-11
申请号：TW107127475
申请日：2018-08-07
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：林道遠 , LIN, TAO-YUAN , 楊怡箴 , YANG, I-CHEN , 張耀文 , CHANG, YAO-WEN
IPC分类号： G11C16/10 , G11C16/16

7. 发明专利

TWI611411B 記憶體裝置的操作方法有权
简体标题：内存设备的操作方法
公开(公告)号：TWI611411B
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：TW105142484
申请日：2016-12-21
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：林道遠 , LIN, TAO-YUAN , 楊怡箴 , YANG, I-CHEN , 張耀文 , CHANG, YAO-WEN
IPC分类号： G11C16/24 , G11C8/08

8. 发明专利

TW201528382A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201528382A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：TW103115781
申请日：2014-05-02
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：林道遠 , LIN, TAO YUAN , 楊怡箴 , YANG, I CHEN , 張耀文 , CHANG, YAO WEN
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/265
CPC分类号： H01L29/7833 , H01L21/26506 , H01L21/26513 , H01L21/26593 , H01L29/6659
摘要：一種形成半導體裝置的方法，包括：形成一閘極結構在一基板上；使用該閘極結構為一罩幕(mask)執行第一摻雜離子(dopant ion)之一輕摻雜汲極(Lightly Doped Drain, LDD)佈植(Implantation)至該基板中，以在該基板中形成輕摻雜汲極區域；在該輕摻雜汲極佈植後，使用該閘極結構為一罩幕執行一前非晶化佈植(pre-amorphization implantation, PAI)至該基板中，以非晶化至少一部分的該些輕摻雜汲極區域；以及在該前非晶化佈植後，使用該閘極結構為一罩幕執行第二摻雜離子的一高摻雜佈植(high-doping implantation)至該基板中，以形成與該些輕摻雜汲極區域至少部分重疊(overlap)的高摻雜區域。
简体摘要：一种形成半导体设备的方法，包括：形成一闸极结构在一基板上；使用该闸极结构为一罩幕(mask)运行第一掺杂离子(dopant ion)之一轻掺杂汲极(Lightly Doped Drain, LDD)布植(Implantation)至该基板中，以在该基板中形成轻掺杂汲极区域；在该轻掺杂汲极布植后，使用该闸极结构为一罩幕运行一前非晶化布植(pre-amorphization implantation, PAI)至该基板中，以非晶化至少一部分的该些轻掺杂汲极区域；以及在该前非晶化布植后，使用该闸极结构为一罩幕运行第二掺杂离子的一高掺杂布植(high-doping implantation)至该基板中，以形成与该些轻掺杂汲极区域至少部分重叠(overlap)的高掺杂区域。

9. 发明专利

TW201442156A 非揮發性記憶體結構审中-公开
简体标题：非挥发性内存结构
公开(公告)号：TW201442156A
公开(公告)日：2014-11-01
申请号：TW102115093
申请日：2013-04-26
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：林道遠 , LIN, TAO YUAN , 周承翰 , CHOU, CHEN HAN , 楊怡箴 , YANG, I CHEN , 張耀文 , CHANG, YAO WEN , 盧道政 , LU, TAO CHENG
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115
摘要：一具有源極和汲極的非揮發性記憶體結構。所述的非揮發性記憶體結構包括一基板和在所述基板上的一介電層。所述非揮發性記憶體結構可進一步包含一閘極在介電層上，它可以是一個浮動閘極。在汲極側上有一凹陷且極接近介電層的底部角落。所述凹陷是用來降低記憶體的介電層在受一偏壓時其底部角落周圍的電場密度，以減少介電層的損傷。
简体摘要：一具有源极和汲极的非挥发性内存结构。所述的非挥发性内存结构包括一基板和在所述基板上的一介电层。所述非挥发性内存结构可进一步包含一闸极在介电层上，它可以是一个浮动闸极。在汲极侧上有一凹陷且极接近介电层的底部角落。所述凹陷是用来降低内存的介电层在受一偏压时其底部角落周围的电场密度，以减少介电层的损伤。

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