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1. 发明专利

TW201947596A 具有位元組抹除操作之分離閘快閃記憶體陣列审中-公开
简体标题：具有字节抹除操作之分离闸闪存数组
公开(公告)号：TW201947596A
公开(公告)日：2019-12-16
申请号：TW108116147
申请日：2019-05-10
申请人：美商超捷公司 , SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.
发明人：梁宣 , LIANG, HSUAN , 楊正威 , YANG, JENG-WEI , 吳滿堂 , WU, MAN-TANG , 杜恩漢 , DO, NHAN , 陳曉萬 , TRAN, HIEU VAN
IPC分类号： G11C16/16
摘要：一種記憶體裝置，其具有：在列與行中的記憶體單元；字線，其等將用於記憶體單元的控制閘連接在一起；位元線，其等將用於記憶體單元的汲極區域電氣連接在一起；第一子源極線，其等各將在記憶體單元列之一者中且在第一複數個記憶體單元行中的源極區域電氣連接在一起；第二子源極線，其等各將在記憶體單元列之一者中且在第二複數個記憶體單元行中的源極區域電氣連接在一起；第一源極線及第二源極線；第一選擇電晶體，其等各經連接於第一子源極線之一者與第一源極線之間；第二選擇電晶體，其等各經連接於第二子源極線之一者與第二源極線之間；及選擇電晶體線，其等各經連接至第一選擇電晶體之一者的閘極及第二選擇電晶體之一者的閘極。
简体摘要：一种内存设备，其具有：在列与行中的内存单元；字线，其等将用于内存单元的控制闸连接在一起；比特线，其等将用于内存单元的汲极区域电气连接在一起；第一子源极线，其等各将在内存单元列之一者中且在第一复数个内存单元行中的源极区域电气连接在一起；第二子源极线，其等各将在内存单元列之一者中且在第二复数个内存单元行中的源极区域电气连接在一起；第一源极线及第二源极线；第一选择晶体管，其等各经连接于第一子源极线之一者与第一源极线之间；第二选择晶体管，其等各经连接于第二子源极线之一者与第二源极线之间；及选择晶体管线，其等各经连接至第一选择晶体管之一者的闸极及第二选择晶体管之一者的闸极。

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