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1. 发明专利

TWI558291B 多層電路基板及半導體裝置有权
简体标题：多层电路基板及半导体设备
公开(公告)号：TWI558291B
公开(公告)日：2016-11-11
申请号：TW103136162
申请日：2014-10-20
申请人：野田士克林股份有限公司 , NODA SCREEN CO., LTD.
发明人：小山田成聖 , OYAMADA, SEISEI , 吉澤正充 , YOSHIZAWA, MASAMITSU , 小川裕誉 , OGAWA, HIROTAKA
IPC分类号： H05K3/46 , H05K1/16
CPC分类号： H05K1/0231 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L2224/131 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2924/15311 , H01L2924/15747 , H01L2924/19011 , H01L2924/19041 , H05K1/0298 , H05K1/11 , H05K1/113 , H05K1/162 , H05K1/181 , H05K1/185 , H05K2201/09672 , H01L2924/014

2. 发明专利

TWI512859B 用以降低導引出之串擾的插座及封裝組件設備、計算系統及插座接腳的構成方法有权
简体标题：用以降低导引出之串扰的插座及封装组件设备、计算系统及插座接脚的构成方法
公开(公告)号：TWI512859B
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：TW100134630
申请日：2011-09-26
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：鄒斌 , ZOU, BIN , 郭言 , GUO, YAN , 杉克曼羅伯特 , SANKMAN, ROBERT , 何珍魁 , HE, JIANGQI
IPC分类号： H01L21/60 , H01R13/648
CPC分类号： H01R43/16 , H01L23/49811 , H01L2924/0002 , H01R12/57 , H01R2103/00 , H05K1/0219 , H05K1/0231 , H05K1/0242 , H05K1/0251 , H05K1/113 , H05K2201/09336 , H05K2201/09663 , H05K2201/1031 , Y02P70/611 , Y10T29/49204 , H01L2924/00

3. 发明专利

TW201532488A 多層電路基板及半導體裝置审中-公开
简体标题：多层电路基板及半导体设备
公开(公告)号：TW201532488A
公开(公告)日：2015-08-16
申请号：TW103136162
申请日：2014-10-20
申请人：野田士克林股份有限公司 , NODA SCREEN CO., LTD.
发明人：小山田成聖 , OYAMADA, SEISEI , 吉澤正充 , YOSHIZAWA, MASAMITSU , 小川裕誉 , OGAWA, HIROTAKA
IPC分类号： H05K3/46 , H05K1/16
CPC分类号： H05K1/0231 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L2224/131 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2924/15311 , H01L2924/15747 , H01L2924/19011 , H01L2924/19041 , H05K1/0298 , H05K1/11 , H05K1/113 , H05K1/162 , H05K1/181 , H05K1/185 , H05K2201/09672 , H01L2924/014
摘要：本發明係一種多層電路基板及半導體裝置，其中，多層電路基板係具備第1及第2絕緣層，和位置於第1絕緣層與第2絕緣層之間的薄板電容器。薄板電容器係夾持介電體而一對的電極則對向，個別連結於一對的電極之各導線配線係同時在與第1或第2絕緣層之薄板電容器相反側中，從多層電路基板之層積方向而視，呈與電極重疊地加以配置者。在多層電路基板之層積方向中，由導線配線則呈與電極重疊地加以配置者，可降低抑制薄板電容器之ESL。
简体摘要：本发明系一种多层电路基板及半导体设备，其中，多层电路基板系具备第1及第2绝缘层，和位置于第1绝缘层与第2绝缘层之间的薄板电容器。薄板电容器系夹持介电体而一对的电极则对向，个别链接于一对的电极之各导线配线系同时在与第1或第2绝缘层之薄板电容器相反侧中，从多层电路基板之层积方向而视，呈与电极重叠地加以配置者。在多层电路基板之层积方向中，由导线配线则呈与电极重叠地加以配置者，可降低抑制薄板电容器之ESL。

4. 发明专利

TWI448707B 半導體測試裝置有权
简体标题：半导体测试设备
公开(公告)号：TWI448707B
公开(公告)日：2014-08-11
申请号：TW100146149
申请日：2011-12-14
申请人：半導體測試股份有限公司 , SEMICONTEST CO., LTD.
发明人：朴成學 , PARK, SUNG-HAK
IPC分类号： G01R31/28
CPC分类号： G01R31/2601 , G01R1/045 , G01R1/0483 , H01L2224/16225 , H01L2924/15174 , H01L2924/19105 , H05K1/0231 , H05K1/181 , H05K2201/10636 , Y02P70/611

5. 发明专利

TW201431456A 具有電子元件內嵌於其中的基板及其製造方法审中-公开
简体标题：具有电子组件内嵌于其中的基板及其制造方法
公开(公告)号：TW201431456A
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW102144749
申请日：2013-12-06
申请人：三星電機股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.
发明人：李斗煥 , LEE, DOO HWAN , 鄭栗敎 , CHUNG, YUL KYO , 朴大賢 , PARK, DAE HYUN , 申伊那 , SHIN, YEE NA , 李承恩 , LEE, SEUNG EUN
IPC分类号： H05K3/46
CPC分类号： H05K1/185 , H01L2224/16227 , H01L2924/15313 , H05K1/0231 , H05K3/4602 , H05K3/4644 , H05K2201/10015 , Y10T29/49139
摘要：本發明係揭露一種具有一電子元件內嵌於其中的基板，包括：一第一絕緣層、一電子元件、複數個堆積的絕緣層、一上電路圖案與一下電路圖案、及複數個介層。第一絕緣層包括一空腔，且包括一第一電路圖案與一第二電路圖案，第一電路圖案與第二電路圖案分別提供於第一絕緣層之上表面與下表面之上。電子元件至少部分地插入空腔中，且電子元件包括一外部電極。複數個堆積的絕緣層堆疊於第一絕緣層之上或之下。上電路圖案與下電路圖案分別形成於堆積的絕緣層之上。複數個介層將外部電極、上電路圖案、第一電路圖案、第二電路圖案、與下電路圖案彼此連接，以形成一電性迴路。藉由這些配置，經由電子元件與外部裝置彼此連接的路徑之阻抗，相較於相關技術可能降低。
简体摘要：本发明系揭露一种具有一电子组件内嵌于其中的基板，包括：一第一绝缘层、一电子组件、复数个堆积的绝缘层、一上电路图案与一下电路图案、及复数个介层。第一绝缘层包括一空腔，且包括一第一电路图案与一第二电路图案，第一电路图案与第二电路图案分别提供于第一绝缘层之上表面与下表面之上。电子组件至少部分地插入空腔中，且电子组件包括一外部电极。复数个堆积的绝缘层堆栈于第一绝缘层之上或之下。上电路图案与下电路图案分别形成于堆积的绝缘层之上。复数个介层将外部电极、上电路图案、第一电路图案、第二电路图案、与下电路图案彼此连接，以形成一电性回路。借由这些配置，经由电子组件与外部设备彼此连接的路径之阻抗，相较于相关技术可能降低。

6. 发明专利

TW201338105A 固態電解電容基板模組及包括該固態電解電容基板模組的電路板审中-公开
简体标题：固态电解电容基板模块及包括该固态电解电容基板模块的电路板
公开(公告)号：TW201338105A
公开(公告)日：2013-09-16
申请号：TW101108286
申请日：2012-03-12
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：徐健明 , HSU, CHIEN MIN , 李明林 , LEE, MIN LIN , 蔡麗端 , TSAI, LI DUAN
IPC分类号： H01L23/14 , H01G9/012
CPC分类号： H05K1/162 , H01G9/012 , H01G9/04 , H01G9/15 , H01G9/26 , H05K1/0231 , H05K1/053 , H05K2201/0116 , H05K2201/0175 , H05K2201/0191 , H05K2201/0323 , H05K2201/0329 , H05K2201/0338 , H05K2201/09063 , H05K2201/10522 , H05K2203/0307 , H05K2203/0315 , H05K2203/0369 , H05K2203/0723
摘要：一種固態電解電容基板模組及包括此基板模組的電路板。固態電解電容基板模組包括基板、氧化層、第二電極、絕緣層、導通薄片及導通孔。基板包括第一電極與多孔隙結構，第一電極包括第一表面。多孔隙結構包括表面及多個分布區域，每一分布區域分別具有一深度。氧化層設置於多孔隙結構之表面上。第二電極設置於氧化層之上，並包括導電性高分子材料。絕緣層設置於第二電極上，且包括第三表面及第四表面，第四表面連接第二電極。導通薄片設置於第一電極之第一表面上及絕緣層之第三表面上，並對應性地與導通孔電性連接。
简体摘要：一种固态电解电容基板模块及包括此基板模块的电路板。固态电解电容基板模块包括基板、氧化层、第二电极、绝缘层、导通薄片及导通孔。基板包括第一电极与多孔隙结构，第一电极包括第一表面。多孔隙结构包括表面及多个分布区域，每一分布区域分别具有一深度。氧化层设置于多孔隙结构之表面上。第二电极设置于氧化层之上，并包括导电性高分子材料。绝缘层设置于第二电极上，且包括第三表面及第四表面，第四表面连接第二电极。导通薄片设置于第一电极之第一表面上及绝缘层之第三表面上，并对应性地与导通孔电性连接。

8. 发明专利

TW201251528A 電容效能優化法及應用該電容效能優化法設計的電路板 CAPACITOR PERFORMANCE OPTIMIZATION METHOD AND PRINTED CIRCUIT BOARDS USING SAME 失效
简体标题：电容性能优化法及应用该电容性能优化法设计的电路板 CAPACITOR PERFORMANCE OPTIMIZATION METHOD AND PRINTED CIRCUIT BOARDS USING SAME
公开(公告)号：TW201251528A
公开(公告)日：2012-12-16
申请号：TW100120476
申请日：2011-06-10
申请人：鴻海精密工業股份有限公司
发明人：黃宗勝 , 陳俊仁 , 何敦逸 , 周瑋潔
IPC分类号： H05K
CPC分类号： H05K1/0231 , H05K1/0222 , H05K2201/09618
摘要：本發明提供一種電容效能優化法及應用該電容效能優化法設計的電路板,該電路板上開設電容焊盤組及複數過孔,所述複數過孔設於電容焊盤組靠近電流流入方向的一個焊盤的一側,所述過孔的圓心位於同一半圓弧上,且該半圓弧以所述焊盤的中心為圓心。
简体摘要：本发明提供一种电容性能优化法及应用该电容性能优化法设计的电路板,该电路板上开设电容焊盘组及复数过孔,所述复数过孔设于电容焊盘组靠近电流流入方向的一个焊盘的一侧,所述过孔的圆心位于同一半圆弧上,且该半圆弧以所述焊盘的中心为圆心。

9. 发明专利

TWI375314B 半導體裝置失效
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI375314B
公开(公告)日：2012-10-21
申请号：TW096118950
申请日：2007-05-28
申请人：瑞薩電子股份有限公司
发明人：大坂英樹 , 植松裕 , 鈴木英一
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H05K1/0236 , H01L23/66 , H01L24/48 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/16 , H01L25/18 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06558 , H01L2924/00014 , H01L2924/14 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/19105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H05K1/0231 , H05K1/0237 , H05K1/141 , H05K2201/093 , H05K2201/09309 , H05K2201/09663 , H05K2201/09681 , H05K2201/09727 , H05K2201/09972 , H05K2201/10734 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要：於半導體裝置達成數位半導體元件與類比半導體元件之電源共通化之同時，實現高密度安裝。
於EBG配線部52之一端連接類比晶片用電源配線部54A，而且於另一端連接數位晶片用電源配線部54D，另外，個別之元件用接地連接端子被連接於共通之接地配線部53之同時，於類比晶片用電源配線部54A與EBG配線部52之間配置使兩者隔離之接地配線部53。如此則，可減低對類比晶片101之電源干擾之同時，可實現高密度安裝。
简体摘要：于半导体设备达成数码半导体组件与模拟半导体组件之电源共通化之同时，实现高密度安装。于EBG配线部52之一端连接模拟芯片用电源配线部54A，而且于另一端连接数码芯片用电源配线部54D，另外，个别之组件用接地连接端子被连接于共通之接地配线部53之同时，于模拟芯片用电源配线部54A与EBG配线部52之间配置使两者隔离之接地配线部53。如此则，可减低对模拟芯片101之电源干扰之同时，可实现高密度安装。

10. 发明专利

TWI338903B 具有極低感應係數的多層陶瓷電容器 ULTRA LOW INDUCTANCE MULTI LAYER CERAMIC CAPACITOR 有权
简体标题：具有极低感应系数的多层陶瓷电容器 ULTRA LOW INDUCTANCE MULTI LAYER CERAMIC CAPACITOR
公开(公告)号：TWI338903B
公开(公告)日：2011-03-11
申请号：TW093110964
申请日：2004-04-20
申请人：邁威爾世界貿易有限公司
发明人：塞海特舒塔特亞
IPC分类号： H01G
CPC分类号： H01G4/232 , H01G4/30 , H01G4/35 , H01G4/40 , H05K1/0231 , H05K1/0233 , H05K2201/10515 , H05K2201/1053
摘要：本發明提供了一種有低寄生電感的多層電容器，包括第一電極、第二電極、電介質、第一接頭和第二接頭。所述第一電極基本為矩形且包括第一接觸指。電介質有第一表面和第二表面，其中第一表面和第二表面相對放置。電介質的第一表面與第一電極相連。第二電極基本為矩形並且包括第一接觸指。第二電極與電介質的第二表面相連。第一接頭與第一電極的第一接觸指相連，第二接頭與第二電極的第一接觸指相連。第二接頭處於與第一接頭具有最小間距的位置，以減小寄生電感。
简体摘要：本发明提供了一种有低寄生电感的多层电容器，包括第一电极、第二电极、电介质、第一接头和第二接头。所述第一电极基本为矩形且包括第一接触指。电介质有第一表面和第二表面，其中第一表面和第二表面相对放置。电介质的第一表面与第一电极相连。第二电极基本为矩形并且包括第一接触指。第二电极与电介质的第二表面相连。第一接头与第一电极的第一接触指相连，第二接头与第二电极的第一接触指相连。第二接头处于与第一接头具有最小间距的位置，以减小寄生电感。

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