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1. 发明专利

TW202030245A 樹脂組成物审中-公开
简体标题：树脂组成物
公开(公告)号：TW202030245A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW108141486
申请日：2019-11-15
申请人：日商味之素股份有限公司 , AJINOMOTO CO., INC.
发明人：渡邊俊 , WATANABE, MASATOSHI
IPC分类号： C08K7/26 , C08L63/00 , C08J5/18 , H05K1/03 , H01L23/14
摘要：本發明係關於一種樹脂組成物，其為含有(A)環氧樹脂、(B)硬化劑，及(C)中空無機粒子；(C)中空無機粒子為滿足下述要件(c1)及要件(c2)的至少一方； (c1)：(C)中空無機粒子係由無機複合氧化物所形成。 (c2)：(C)中空無機粒子之空孔率為25體積%以上，且(C)中空無機粒子之平均粒徑為5.0μm以下。
简体摘要：本发明系关于一种树脂组成物，其为含有(A)环氧树脂、(B)硬化剂，及(C)中空无机粒子；(C)中空无机粒子为满足下述要件(c1)及要件(c2)的至少一方； (c1)：(C)中空无机粒子系由无机复合氧化物所形成。 (c2)：(C)中空无机粒子之空孔率为25体积%以上，且(C)中空无机粒子之平均粒径为5.0μm以下。

2. 发明专利

TW202026142A 低介電基板材料审中-公开
简体标题：低介电基板材料
公开(公告)号：TW202026142A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108134072
申请日：2019-09-20
申请人：日商日東電工股份有限公司 , NITTO DENKO CORPORATION
发明人：中村将義 , NAKAMURA, MASAYOSHI , 松富亮人 , MATSUTOMI, AKIHITO , 三島慧 , MISHIMA, KEI
IPC分类号： B32B5/18 , B32B7/022 , B32B15/08 , H05K1/03 , H01L23/14
摘要：本發明之低介電基板材料於厚度方向上依序具備多孔質樹脂層及金屬層，進而具備配置於多孔質樹脂層及金屬層之任一者之表面之保護材，且保護材之23℃之蕭氏D硬度H1與多孔質樹脂層之23℃之蕭氏D硬度H2滿足下述式(1)，或者保護材之厚度T1與具備多孔質樹脂層及金屬層之積層材之厚度T0滿足下述式(2)。 H1＜H2 (1) T1＞0.5×T0 (2)
简体摘要：本发明之低介电基板材料于厚度方向上依序具备多孔质树脂层及金属层，进而具备配置于多孔质树脂层及金属层之任一者之表面之保护材，且保护材之23℃之萧氏D硬度H1与多孔质树脂层之23℃之萧氏D硬度H2满足下述式(1)，或者保护材之厚度T1与具备多孔质树脂层及金属层之积层材之厚度T0满足下述式(2)。 H1＜H2 (1) T1＞0.5×T0 (2)

3. 发明专利

TWI696657B 樹脂組成物有权
简体标题：树脂组成物
公开(公告)号：TWI696657B
公开(公告)日：2020-06-21
申请号：TW105103846
申请日：2016-02-04
申请人：日商味之素股份有限公司 , AJINOMOTO CO., INC.
发明人：本間達也 , HOMMA, TATSUYA , 立平英恵 , TATSUHIRA, HANAE
IPC分类号： C08L63/00 , C08K3/28 , C08K3/22 , C09J163/00 , C09J11/06 , C09J11/04 , C09J7/20 , H05K1/03 , H01L23/14 , H01L23/36 , H01L23/40

4. 发明专利

TW202018891A 用於異質晶粒整合應用之具有嵌入式多晶粒互連橋接（ＥＭＩＢ）及玻璃核心的混合扇出型架構审中-公开
简体标题：用于异质晶粒集成应用之具有嵌入式多晶粒互连桥接（ＥＭＩＢ）及玻璃内核的混合扇出型架构
公开(公告)号：TW202018891A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW108116887
申请日：2019-05-16
申请人：美商英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：佩安巴恩斯里尼斯 , PIETAMBARAM, SRINIVAS , 馬尼帕利洛胡爾 , MANEPALLI, RAHUL , 段剛 , DUAN, GANG
IPC分类号： H01L23/485 , H01L23/14 , H01L23/538 , H01L23/34 , H01L21/56 , H01L23/00
摘要：文中所揭示之實施例包含電子封裝組件以及形成此等電子封裝組件的方法。在一實施例中，微電子裝置封裝組件可包含重分配層(RDL)及在該RDL之上的中介層。在一實施例中，玻璃核心可以被形成在該RDL之上並且包圍該中介層。在一實施例中，該微電子裝置封裝組件可另包括在該中介層之上的複數個晶粒。在一實施例中，該複數個晶粒係與該中介層通訊式地相耦接。
简体摘要：文中所揭示之实施例包含电子封装组件以及形成此等电子封装组件的方法。在一实施例中，微电子设备封装组件可包含重分配层(RDL)及在该RDL之上的中介层。在一实施例中，玻璃内核可以被形成在该RDL之上并且包围该中介层。在一实施例中，该微电子设备封装组件可另包括在该中介层之上的复数个晶粒。在一实施例中，该复数个晶粒系与该中介层通信式地相耦接。

5. 发明专利

TWI679320B 自立ＧａＮ基板、ＧａＮ結晶、ＧａＮ單結晶之製造方法及半導體裝置之製造方法有权
简体标题：自立ＧａＮ基板、ＧａＮ结晶、ＧａＮ单结晶之制造方法及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI679320B
公开(公告)日：2019-12-11
申请号：TW107130360
申请日：2014-08-07
申请人：日商三菱化學股份有限公司 , MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION
发明人：長尾哲 , NAGAO, SATORU , 塚田悠介 , TSUKADA, YUSUKE , 鎌田和典 , KAMADA, KAZUNORI , 久保秀一 , KUBO, SHUICHI , 池田宏隆 , IKEDA, HIROTAKA , 藤戶健史 , FUJITO, KENJI , 藤澤英夫 , FUJISAWA, HIDEO , 三川豐 , MIKAWA, YUTAKA , 望月多惠 , MOCHIZUKI, TAE
IPC分类号： C30B29/38 , C30B25/20 , H01L21/205 , H01L23/14

6. 发明专利

TW201920369A 用於電子裝置中之低色度聚合物审中-公开
简体标题：用于电子设备中之低色度聚合物
公开(公告)号：TW201920369A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107132399
申请日：2018-09-14
申请人：美商杜邦股份有限公司 , E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY
发明人：歐曼布萊恩 C , AUMAN, BRIAN C , 桑摩斯約翰當勞德 , SUMMERS, JOHN DONALD , 拉杜諾拉莎賓那 , RADU, NORA SABINA , 倪際杰 , NGAI, CHAI KIT , 亞特金森偉恩 , ATKINSON, WAYNE , 李巍 , LI, WEI , 德麥爾強納森提摩西 , MAEYER, JONATHAN TIMOTHY
IPC分类号： C08G73/10 , C08J5/18 , H01L23/14 , G02B1/04
摘要：揭露了一種聚醯亞胺膜，該聚醯亞胺膜由在高沸點非質子溶劑中含有聚醯胺酸的溶液產生；其中該聚醯胺酸包含一種或多種四羧酸組分及一種或多種二胺組分；並且其中該等四羧酸組分中的至少一種係衍生自彎曲二酐或芳香族二酐的四價有機基團，該芳香族二酐包含-O-、-CO-、-NHCO-、-S-、-SO2-、-CO-O-、或-CR2-連接、或芳香族環之間的直接化學鍵；並且其中該等二胺組分中的至少一種係衍生自彎曲二胺或芳香族二胺的二價有機基團，該芳香族二胺包含相同連接、或芳香族環之間的直接化學鍵；並且其中R在每次出現時是相同或不同的並且選自由以下各項組成之群組：H、F、烷基和氟烷基。
简体摘要：揭露了一种聚酰亚胺膜，该聚酰亚胺膜由在高沸点非质子溶剂中含有聚酰胺酸的溶液产生；其中该聚酰胺酸包含一种或多种四羧酸组分及一种或多种二胺组分；并且其中该等四羧酸组分中的至少一种系衍生自弯曲二酐或芳香族二酐的四价有机基团，该芳香族二酐包含-O-、-CO-、-NHCO-、-S-、-SO2-、-CO-O-、或-CR2-连接、或芳香族环之间的直接化学键；并且其中该等二胺组分中的至少一种系衍生自弯曲二胺或芳香族二胺的二价有机基团，该芳香族二胺包含相同连接、或芳香族环之间的直接化学键；并且其中R在每次出现时是相同或不同的并且选自由以下各项组成之群组：H、F、烷基和氟烷基。

7. 发明专利

TWI651320B 四羧酸二酐、聚醯胺酸、聚醯亞胺、及該些之製造方法、與聚醯胺酸溶液有权
简体标题：四羧酸二酐、聚酰胺酸、聚酰亚胺、及该些之制造方法、与聚酰胺酸溶液
公开(公告)号：TWI651320B
公开(公告)日：2019-02-21
申请号：TW104113040
申请日：2015-04-23
申请人：日商吉坤日礦日石能源股份有限公司 , JX NIPPON OIL & ENERGY CORPORATION
发明人：野口雅貴 , NOGUCHI, MASAKI , 渡部大輔 , WATANABE, DAISUKE , 上野龍一 , UENO, RYUICHI , 松本也 , MATSUMOTO, TAKAYA , 小松伸一 , KOMATSU, SHINICHI
IPC分类号： C07D407/10 , C08G73/10 , H01B1/12 , H01L23/14

8. 发明专利

TWI650393B 耐高溫可剝膠及其製備方法有权
简体标题：耐高温可剥胶及其制备方法
公开(公告)号：TWI650393B
公开(公告)日：2019-02-11
申请号：TW106132764
申请日：2017-09-25
申请人：臻鼎科技股份有限公司 , ZHEN DING TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：梁國盛 , LIANG, KUO-SHENG , 潘美如 , PAN, MEI-JU
IPC分类号： C09J153/02 , C09J11/00 , C09J9/00 , H05K3/46 , H01L23/14

9. 发明专利

TWI650371B 硬化性環氧組成物、薄膜、積層薄膜、預浸材、積層體、硬化物及複合體有权
简体标题：硬化性环氧组成物、薄膜、积层薄膜、预浸材、积层体、硬化物及复合体
公开(公告)号：TWI650371B
公开(公告)日：2019-02-11
申请号：TW103137353
申请日：2014-10-29
申请人：日本瑞翁股份有限公司 , ZEON CORPORATION
发明人：藤村誠 , FUJIMURA, MAKOTO , 坂野豪 , SAKANO, TAKESHI
IPC分类号： C08L63/00 , C08K5/5313 , C08K5/5377 , C08J5/18 , C08J5/24 , B32B27/06 , H01L23/14

10. 发明专利

TW201902986A 無芯基板用預浸體、無芯基板及半導體封裝體审中-公开
简体标题：无芯基板用预浸体、无芯基板及半导体封装体
公开(公告)号：TW201902986A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107110783
申请日：2018-03-28
申请人：日商日立化成股份有限公司 , HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.
发明人：橫田弘 , YOKOTA, HIROSHI , 橋本慎太郎 , HASHIMOTO, SHINTARO , 坂本德彥 , SAKAMOTO, NORIHIKO , 土川信次 , TSUCHIKAWA, SHINJI , 繩手克彥 , NAWATE, KATSUHIKO , 高根澤伸 , TAKANEZAWA, SHIN
IPC分类号： C08G73/10 , C08J5/24 , H05K1/03 , H01L23/14
摘要：本發明提供：一種無芯基板用預浸體，其在耐熱性、低熱膨脹性及與金屬電路的黏著強度方面可滿足無芯基板所要求的水準；以及，一種無芯基板及半導體封裝體，該等是使用該無芯基板用預浸體而成。前述無芯基板用預浸體，具體而言是包含熱硬化性樹脂組成物而成，該熱硬化性樹脂組成物含有：二氰二胺(a)；三級膦與醌類之加成物(b)；具有至少2個一級胺基之胺化合物(c)；具有至少2個N-取代馬來醯亞胺基之馬來醯亞胺化合物(d)。亦可使用胺基改質聚醯亞胺樹脂(X)來取代前述具有至少2個一級胺基之胺化合物(c)、及前述具有至少2個N-取代馬來醯亞胺基之馬來醯亞胺化合物(d)，該胺基改質聚醯亞胺樹脂(X)是使具有至少2個一級胺基之胺化合物(c)、與具有至少2個N-取代馬來醯亞胺基之馬來醯亞胺化合物(d)反應而得。
简体摘要：本发明提供：一种无芯基板用预浸体，其在耐热性、低热膨胀性及与金属电路的黏着强度方面可满足无芯基板所要求的水准；以及，一种无芯基板及半导体封装体，该等是使用该无芯基板用预浸体而成。前述无芯基板用预浸体，具体而言是包含热硬化性树脂组成物而成，该热硬化性树脂组成物含有：二氰二胺(a)；三级膦与醌类之加成物(b)；具有至少2个一级胺基之胺化合物(c)；具有至少2个N-取代马来酰亚胺基之马来酰亚胺化合物(d)。亦可使用胺基改质聚酰亚胺树脂(X)来取代前述具有至少2个一级胺基之胺化合物(c)、及前述具有至少2个N-取代马来酰亚胺基之马来酰亚胺化合物(d)，该胺基改质聚酰亚胺树脂(X)是使具有至少2个一级胺基之胺化合物(c)、与具有至少2个N-取代马来酰亚胺基之马来酰亚胺化合物(d)反应而得。

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