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1. 发明专利

TW201631197A 硫屬化物薄膜之製造方法审中-公开
简体标题：硫属化物薄膜之制造方法
公开(公告)号：TW201631197A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW105103236
申请日：2016-02-02
申请人：炬力奈米科技有限公司 , G-FORCE NANOTECHNOLOGY LTD.
发明人：葉昭輝 , YEH, CHAO HUI , 邱壬官 , CHIU, JEN KUAN
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/56 , C23C28/04
CPC分类号： H01L29/66969 , C23C16/40 , C23C16/45525 , C23C16/56 , H01L21/02483 , H01L21/02485 , H01L21/02565 , H01L21/02568 , H01L21/02612 , H01L21/02614 , H01L21/477 , H01L29/861
摘要：本揭露提供一種硫屬化物薄膜之製造方法。此方法包括：提供基底於腔室中；實行第一原子層沉積製程以形成第一氧化物薄膜於基底上方；實行第一硫屬化製程，包括注入第一硫屬元素，以使第一氧化物薄膜轉變為第一硫屬化物薄膜；於第一硫屬化物薄膜上實行退火製程。
简体摘要：本揭露提供一种硫属化物薄膜之制造方法。此方法包括：提供基底于腔室中；实行第一原子层沉积制程以形成第一氧化物薄膜于基底上方；实行第一硫属化制程，包括注入第一硫属元素，以使第一氧化物薄膜转变为第一硫属化物薄膜；于第一硫属化物薄膜上实行退火制程。

2. 发明专利

TW201436261A 光伏元件與其製作方法审中-公开
简体标题：光伏组件与其制作方法
公开(公告)号：TW201436261A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW102149202
申请日：2013-12-31
申请人：台積太陽能股份有限公司 , TSMC SOLAR LTD.
发明人：陳世偉 , CHEN, SHIH WEI
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/1828 , H01L21/02425 , H01L21/02485 , H01L21/02551 , H01L21/02568 , H01L21/02614 , H01L31/02966 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02E10/543
摘要：光伏元件之緩衝層的製作方法包括：提供基板，具有背接觸層於基板上，與吸收層位於背接觸層上；沉積金屬層於吸收層上；以及於氣體中進行熱處理於金屬層上以形成緩衝層，且氣體包括硫、硒、或氧。
简体摘要：光伏组件之缓冲层的制作方法包括：提供基板，具有背接触层于基板上，与吸收层位于背接触层上；沉积金属层于吸收层上；以及于气体中进行热处理于金属层上以形成缓冲层，且气体包括硫、硒、或氧。

3. 发明专利

TWI509821B 光伏元件與其製作方法有权
简体标题：光伏组件与其制作方法
公开(公告)号：TWI509821B
公开(公告)日：2015-11-21
申请号：TW102149202
申请日：2013-12-31
申请人：台積太陽能股份有限公司 , TSMC SOLAR LTD.
发明人：陳世偉 , CHEN, SHIH WEI
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/1828 , H01L21/02425 , H01L21/02485 , H01L21/02551 , H01L21/02568 , H01L21/02614 , H01L31/02966 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02E10/543

4. 发明专利

TW201251062A 薄膜光伏打裝置及製造方法 THIN-FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE AND FABRICATION METHOD 审中-公开
简体标题：薄膜光伏打设备及制造方法 THIN-FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE AND FABRICATION METHOD
公开(公告)号：TW201251062A
公开(公告)日：2012-12-16
申请号：TW101108131
申请日：2012-03-09
申请人：弗里松股份有限公司 , 安培公司
发明人：奇里拉亞里恩 , 提瓦瑞約提亞 , 畢洛奇派翠克 , 西協四郎 , 布雷莫大衛
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/18 , H01L21/02422 , H01L21/02485 , H01L21/02491 , H01L21/02505 , H01L21/0251 , H01L21/02568 , H01L31/0322 , H01L31/03928 , Y02E10/541
摘要：一種製造薄膜光伏打裝置(100)之方法,該裝置包含沉積在背面接觸層(120)上之光伏打Cu(In,Ga)Se2或相當的ABC吸收劑層(130),諸如ABC2層,該方法特徵在於包含至少5個沉積步驟,其中在至少一個C元素存在於一或多個步驟中的情況下成對的第三及第四步驟是連續可重複的。在第一步驟中,至少一種B元素被沉積,在第二步驟中接著以沉積速率比率Ar/Br沉積A及B,在第三步驟中以低於先前之比率Ar/Br沉積,在第四步驟中以高於先前之比率Ar/Br沉積,且在第五步驟中僅沉積B元素以獲得全部經沉積元素之最終比率A/B。所得之光伏打裝置特徵在於由曝光面開始,該光伏打裝置(100)之吸收劑層(130)包含逐漸降低Ga/(Ga+In)比率之第一區(501),緊接之逐漸增加Ga/(Ga+In)比率之第二區(502),其中在該第二區(502)之曝光半面上Ga/(Ga+In)之增加不到0.15且含有至少一隆起(hump)。
简体摘要：一种制造薄膜光伏打设备(100)之方法,该设备包含沉积在背面接触层(120)上之光伏打Cu(In,Ga)Se2或相当的ABC吸收剂层(130),诸如ABC2层,该方法特征在于包含至少5个沉积步骤,其中在至少一个C元素存在于一或多个步骤中的情况下成对的第三及第四步骤是连续可重复的。在第一步骤中,至少一种B元素被沉积,在第二步骤中接着以沉积速率比率Ar/Br沉积A及B,在第三步骤中以低于先前之比率Ar/Br沉积,在第四步骤中以高于先前之比率Ar/Br沉积,且在第五步骤中仅沉积B元素以获得全部经沉积元素之最终比率A/B。所得之光伏打设备特征在于由曝光面开始,该光伏打设备(100)之吸收剂层(130)包含逐渐降低Ga/(Ga+In)比率之第一区(501),紧接之逐渐增加Ga/(Ga+In)比率之第二区(502),其中在该第二区(502)之曝光半面上Ga/(Ga+In)之增加不到0.15且含有至少一隆起(hump)。

5. 发明专利

TW200951240A 由單源前驅物形成微粒之方法，形成半導體裝置之方法，以及使用該等方法形成之裝置 METHODS FOR FORMING PARTICLES FROM SINGLE SOURCE PRECURSORS, METHDOS OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICES, AND DEVICES FORMED USING SUCH METHODS 审中-公开
简体标题：由单源前驱物形成微粒之方法，形成半导体设备之方法，以及使用该等方法形成之设备 METHODS FOR FORMING PARTICLES FROM SINGLE SOURCE PRECURSORS, METHDOS OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICES, AND DEVICES FORMED USING SUCH METHODS
公开(公告)号：TW200951240A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：TW098107990
申请日：2009-03-12
申请人：巴特爾能源聯盟公司
发明人：福克斯羅伯特V , 洛德瑞谷茲芮妮G , 派克喬許亞
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： H01L31/0322 , H01L21/02485 , H01L21/02505 , H01L21/02568 , H01L21/02601 , H01L21/0262 , Y02E10/541 , Y10S977/813 , Y10S977/824
摘要：單源前驅物經受二氧化碳以形成材料粒子。該二氧化碳可以在超臨界狀態。單源前驅物也可以經受超臨界流體而非超臨界二氧化碳以形成材料粒子。可以使用該等方法以形成奈米粒子。在某些具體實例中，該等方法被使用以形成黃銅礦材料。舉例來說，像是製造半導體裝置這一類裝置會包括這一類粒子。形成半導體裝置的方法包括讓單源前驅物經受二氧化碳以形成半導體材料粒子，及建立該等粒子與電極間之電性接觸。
简体摘要：单源前驱物经受二氧化碳以形成材料粒子。该二氧化碳可以在超临界状态。单源前驱物也可以经受超临界流体而非超临界二氧化碳以形成材料粒子。可以使用该等方法以形成奈米粒子。在某些具体实例中，该等方法被使用以形成黄铜矿材料。举例来说，像是制造半导体设备这一类设备会包括这一类粒子。形成半导体设备的方法包括让单源前驱物经受二氧化碳以形成半导体材料粒子，及创建该等粒子与电极间之电性接触。

6. 发明专利

TWI582261B 硫屬化物薄膜之製造方法有权
简体标题：硫属化物薄膜之制造方法
公开(公告)号：TWI582261B
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：TW105103236
申请日：2016-02-02
申请人：炬力奈米科技有限公司 , G-FORCE NANOTECHNOLOGY LTD.
发明人：葉昭輝 , YEH, CHAO HUI , 邱壬官 , CHIU, JEN KUAN
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/56 , C23C28/04
CPC分类号： H01L29/66969 , C23C16/40 , C23C16/45525 , C23C16/56 , H01L21/02483 , H01L21/02485 , H01L21/02565 , H01L21/02568 , H01L21/02612 , H01L21/02614 , H01L21/477 , H01L29/861

7. 发明专利

TWI501414B 用於ＣＩＧＳ電池的氧化鋅膜方法和結構失效
简体标题：用于ＣＩＧＳ电池的氧化锌膜方法和结构
公开(公告)号：TWI501414B
公开(公告)日：2015-09-21
申请号：TW099133467
申请日：2010-09-30
申请人：思陽公司 , STION CORPORATION
发明人：維廷羅伯特D , WIETING, ROBERT D.
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/042
CPC分类号： H01L31/1884 , C23C16/407 , H01L21/02422 , H01L21/02474 , H01L21/02485 , H01L21/02491 , H01L21/02505 , H01L21/02554 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L31/0749 , Y02E10/541

8. 发明专利

TW201112438A 製作薄膜太陽能電池之靶材、製程及其產品审中-公开
简体标题：制作薄膜太阳能电池之靶材、制程及其产品
公开(公告)号：TW201112438A
公开(公告)日：2011-04-01
申请号：TW098132508
申请日：2009-09-25
申请人：賴志煌
发明人：賴志煌 , 陳家庠 , 陳奕璋
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： H01L31/0322 , C23C14/0623 , C23C14/3414 , C23C14/3492 , H01L21/02485 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/02568 , H01L21/02631 , H01L31/065 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要：一種製作薄膜太陽能電池的製程,主要是在高溫中濺鍍形成照光時產生光電流的化合物薄膜,或以多段式濺鍍方式形成多數層分別具有不同能隙的化合物薄膜,進而製作出薄膜太陽能電池,由於高溫濺鍍可以成長出大晶粒的柱狀晶化合物薄膜,而,多段式濺鍍方式則能形成多數層分別具有不同能隙的化合物薄膜,所以製作出的薄膜太陽能電池具有極高的效率,此外,濺鍍製程可以直接整合入目前業界的生產製程,而可以大面積大規模地量產。本發明還提供適用的靶材。
简体摘要：一种制作薄膜太阳能电池的制程,主要是在高温中溅镀形成照光时产生光电流的化合物薄膜,或以多段式溅镀方式形成多数层分别具有不同能隙的化合物薄膜,进而制作出薄膜太阳能电池,由于高温溅镀可以成长出大晶粒的柱状晶化合物薄膜,而,多段式溅镀方式则能形成多数层分别具有不同能隙的化合物薄膜,所以制作出的薄膜太阳能电池具有极高的效率,此外,溅镀制程可以直接集成入目前业界的生产制程,而可以大面积大规模地量产。本发明还提供适用的靶材。

9. 发明专利

TW420835B 半導體製造方法及其製造裝置失效
简体标题：半导体制造方法及其制造设备
公开(公告)号：TW420835B
公开(公告)日：2001-02-01
申请号：TW087108636
申请日：1998-06-02
申请人：松下電器產業股份有限公司
发明人：西川孝司 , 佐佐井洋一 , 北真
IPC分类号： H01L , H01S
CPC分类号： H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/02439 , H01L21/02485 , H01L21/0254 , H01L21/02546 , H01L21/02658
摘要：本發明之課題乃在確實地獲得一種缺陷少之GaN系半導體結晶。
本發明之製造方法，作為基板之前處理，首先係將由面方位為(lll)面之Si所構成的基板ll浸漬於氫氟酸中，形成用以將基板ll主面之懸鏈終端化的H原子層12。其次，將此基板ll搬入MBE裝置中之高真空反應容器內，在搬入之基板ll的H原子層12上，分別供給Ga之分子線及Se之分子線，藉而令由凡德瓦結晶體之GaSe所構成之緩衝層l3成長。而後，中止Se之供給，代之以在基板1l之緩衝層13上，將利用高週波或電子迴旋加速器共振的活化N2氣體作為氮源供給，藉而令由GaN所構成之半導體層14成長。
简体摘要：本发明之课题乃在确实地获得一种缺陷少之GaN系半导体结晶。本发明之制造方法，作为基板之前处理，首先系将由面方位为(lll)面之Si所构成的基板ll浸渍于氢氟酸中，形成用以将基板ll主面之悬链终端化的H原子层12。其次，将此基板ll搬入MBE设备中之高真空反应容器内，在搬入之基板ll的H原子层12上，分别供给Ga之分子线及Se之分子线，藉而令由凡德瓦结晶体之GaSe所构成之缓冲层l3成长。而后，中止Se之供给，代之以在基板1l之缓冲层13上，将利用高周波或电子回旋加速器共振的活化N2气体作为氮源供给，藉而令由GaN所构成之半导体层14成长。

10. 发明专利

TW201523906A 太陽能電池與其形成方法及ｎ型ＺｎＳ層的形成方法审中-公开
简体标题：太阳能电池与其形成方法及ｎ型ＺｎＳ层的形成方法
公开(公告)号：TW201523906A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：TW102145804
申请日：2013-12-12
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：徐爲哲 , HSU, WEI TSE , 張仕政 , CHANG, SHIH CHENG
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/1828 , H01L21/02422 , H01L21/02474 , H01L21/02485 , H01L21/02491 , H01L21/02505 , H01L21/02557 , H01L21/02576 , H01L21/02628 , H01L31/022466 , H01L31/0296 , H01L31/0749 , H01L31/1884 , Y02E10/541 , Y02E10/543
摘要：本發明提供之太陽能電池，包括：基板；電極層，位於基板上；p型吸光層，位於電極層上；n型ZnS層，位於p型吸光層上；以及透明電極層，位於n型ZnS層上。將基板浸置於鋅鹽、螯合劑、以及硫代乙醯胺之酸性溶液中，可形成n型ZnS層於該基板上。
简体摘要：本发明提供之太阳能电池，包括：基板；电极层，位于基板上；p型吸光层，位于电极层上；n型ZnS层，位于p型吸光层上；以及透明电极层，位于n型ZnS层上。将基板浸置于锌盐、螯合剂、以及硫代乙酰胺之酸性溶液中，可形成n型ZnS层于该基板上。

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