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1. 发明专利

TW201414001A 用於太陽能電池之經特意摻雜的氧化鎘層审中-公开
简体标题：用于太阳能电池之经特意掺杂的氧化镉层
公开(公告)号：TW201414001A
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW102130063
申请日：2013-08-22
申请人：玫瑰道實驗室有限責任公司 , ROSESTREET LABS, LLC
发明人：瑞切茲洛薩A , REICHERTZ, LOTHAR A. , 弗西爾羅伯特 , FORCIER, ROBERT
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/042
CPC分类号： H01L31/02963 , H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/02966 , H01L31/068 , H01L31/0687 , H01L31/0747 , Y02E10/544 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：本發明係關於一種用於在太陽能電池頂層及/或底層(例如頂部接觸或底部接觸)中形成且利用低電阻率及高透射率之半導體的方法及結構。一些實施例係關於具有包含經摻雜之氧化鎘(cadmium oxide,CdO)或氧化鎘之合金的頂部透明接觸層或底部透明接觸層之太陽能電池。
简体摘要：本发明系关于一种用于在太阳能电池顶层及/或底层(例如顶部接触或底部接触)中形成且利用低电阻率及高透射率之半导体的方法及结构。一些实施例系关于具有包含经掺杂之氧化镉(cadmium oxide,CdO)或氧化镉之合金的顶部透明接触层或底部透明接触层之太阳能电池。

2. 发明专利

TWI233184B P型GaAs基板ZnSe系pin光電二極體及p型GaAs基板ZnSe系雪崩光電二極體 ON-P-GaAs SUBSTRATE Zn1-xMgxSySe1-y PIN PHOTODIODE AND ON-P-GaAs SUBSTRATE Zn1-xMgxSySe1-y AVALANCHE PHOTODIODE 失效
简体标题： P型GaAs基板ZnSe系pin光电二极管及p型GaAs基板ZnSe系雪崩光电二极管 ON-P-GaAs SUBSTRATE Zn1-xMgxSySe1-y PIN PHOTODIODE AND ON-P-GaAs SUBSTRATE Zn1-xMgxSySe1-y AVALANCHE PHOTODIODE
公开(公告)号：TWI233184B
公开(公告)日：2005-05-21
申请号：TW092119696
申请日：2003-07-18
申请人：住友電氣工業股份有限公司 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
发明人：安東孝止 KOSHI ANDO , 阿部友紀 TOMOKI ABE , 中村孝夫 TAKAO NAKAMURA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/0296 , B82Y20/00 , H01L31/02966 , H01L31/0328 , H01L31/035236 , H01L31/107
摘要：本發明係提供一種藍紫外線p型GaAs基板 Zn1-xMgxSySe1-y pin光電二極體，其具高量子效率、低暗電流、高可靠度及長使用壽命。該ZnMgSSe光電二極體包含： p型金屬電極、p型單晶GaAs基板、p型(ZnSe/ZnTe)m超晶格(其中m為一整數，表示薄膜組數)、選擇性形成之p型ZnSe緩衝層、p型Zn1-xMgxSySe1-y層、i型Zn1-xMgxSySe1-y層、n型Zn1-xMgxSySe1-y層、n型電極及選擇性具有之抗反射膜。入射光到達該i層而未通過ZnTe層。由於入射光未被ZnTe層吸收，故可獲致高量子效率及高感光度。
本發明亦提供一種藍紫外線p型GaAs基板 Zn1-xMgxSySe1-y雪崩光電二極體，其具高感光度、高量子效率、寬感光度範圍、高可靠度及長使用壽命。該ZnMgSSe雪崩光電二極體包含：p型金屬電極、p型單晶GaAs基板、 p型(ZnSe/ZnTe)m超晶格(其中m為一整數，表示薄膜組數)、選擇性形成之p型ZnSe緩衝層、p型Zn1-xMgxSySe1-y層、低度摻雜n-型Zn1-xMgxSySe1-y層、高度摻雜n+型Zn1-xMgxSySe1-y層、n型電極及選擇性具有之抗反射膜。由於入射光未被 ZnTe層吸收，故可獲致高雪崩增益、高量子效率及高感光度。
简体摘要：本发明系提供一种蓝紫外线p型GaAs基板 Zn1-xMgxSySe1-y pin光电二极管，其具高量子效率、低暗电流、高可靠度及长使用寿命。该ZnMgSSe光电二极管包含： p型金属电极、p型单晶GaAs基板、p型(ZnSe/ZnTe)m超晶格(其中m为一整数，表示薄膜组数)、选择性形成之p型ZnSe缓冲层、p型Zn1-xMgxSySe1-y层、i型Zn1-xMgxSySe1-y层、n型Zn1-xMgxSySe1-y层、n型电极及选择性具有之抗反射膜。入射光到达该i层而未通过ZnTe层。由于入射光未被ZnTe层吸收，故可获致高量子效率及高感光度。本发明亦提供一种蓝紫外线p型GaAs基板 Zn1-xMgxSySe1-y雪崩光电二极管，其具高感光度、高量子效率、宽感光度范围、高可靠度及长使用寿命。该ZnMgSSe雪崩光电二极管包含：p型金属电极、p型单晶GaAs基板、 p型(ZnSe/ZnTe)m超晶格(其中m为一整数，表示薄膜组数)、选择性形成之p型ZnSe缓冲层、p型Zn1-xMgxSySe1-y层、低度掺杂n-型Zn1-xMgxSySe1-y层、高度掺杂n+型Zn1-xMgxSySe1-y层、n型电极及选择性具有之抗反射膜。由于入射光未被 ZnTe层吸收，故可获致高雪崩增益、高量子效率及高感光度。

3. 发明专利

TWI591369B 放射線檢出器用ＵＢＭ電極構造體、放射線檢出器及其製造方法有权
简体标题：放射线检出器用ＵＢＭ电极构造体、放射线检出器及其制造方法
公开(公告)号：TWI591369B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：TW104119277
申请日：2015-06-15
申请人： JX金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：村上昌臣 , MURAKAMI, MASAOMI , 三上充 , MIKAMI, MAKOTO , 村上幸司 , MURAKAMI, KOUJI , 野田朗 , NODA, AKIRA , 伊森徹 , IMORI, TORU
IPC分类号： G01T1/24 , H01L31/0296 , H01L31/0224 , H01L31/115
CPC分类号： G01T1/24 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/09 , H01L27/144 , H01L27/146 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/14676 , H01L27/14696 , H01L31/02005 , H01L31/022408 , H01L31/0296 , H01L31/02966 , H01L31/08 , H01L31/115 , H01L2224/0345 , H01L2224/03464 , H01L2224/0558 , H01L2224/05583 , H01L2224/05584 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664

4. 发明专利

TWI544655B 光電變換元件用化合物半導體單晶、光電變換元件及光電變換元件用化合物半導體單晶之製造方法有权
简体标题：光电变换组件用化合物半导体单晶、光电变换组件及光电变换组件用化合物半导体单晶之制造方法
公开(公告)号：TWI544655B
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW103111457
申请日：2014-03-27
申请人：吉坤日礦日石金屬有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：野田朗 , NODA, AKIRA , 平野立一 , HIRANO, RYUICHI
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/042
CPC分类号： H01L31/036 , C30B11/00 , C30B11/002 , C30B11/065 , C30B29/48 , H01L31/02963 , H01L31/02966 , H01L31/04 , H01L31/073 , H01L31/1832 , Y02E10/543 , Y02P70/521

5. 发明专利

TW200727505A 異質接面光電二極體 HETEROJUNCTION PHOTODIODE 审中-公开
简体标题：异质接面光电二极管 HETEROJUNCTION PHOTODIODE
公开(公告)号：TW200727505A
公开(公告)日：2007-07-16
申请号：TW095100690
申请日：2006-01-06
申请人：洛克威爾科學認證責任有限公司 ROCKWELL SCIENTIFIC LICENSING, LLC
发明人：威廉E 泰納特 TENNANT, WILLIAM E. , 艾瑞克C 皮奎特 PIQUETTE, ERIC C. , 多納德L 李 LEE, DONALD L. , 梅森L 湯姆斯 THOMAS, MASON L. , 梅傑德珊迪恩 ZANDIAN, MAJID
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/11 , H01L31/02966 , H01L31/103 , H01L31/1032 , H01L31/108
摘要：本發明提供一種異質接面光電二極體,其包括一在具有帶隙能量Eg1之第一材料區域形成之pn或蕭特基(Schottky)-障壁接面。當施加反偏壓時,該接面產生一朝向具有較Eg1為小之帶隙能量Eg2的第二材料區域延伸之空乏區域。此有利於在該第二區域中產生之信號光電流有效地流過該第一區域之接面,同時將與過程相關之暗電流及因通常可降低光電二極體元件性能之附近接面缺陷及不完好表面而引起之相關雜訊降至最低。該異質接面光電二極體可被包含於一包括一接面陣列之成像系統中以形成一成像儀。
简体摘要：本发明提供一种异质接面光电二极管,其包括一在具有带隙能量Eg1之第一材料区域形成之pn或萧特基(Schottky)-障壁接面。当施加反偏压时,该接面产生一朝向具有较Eg1为小之带隙能量Eg2的第二材料区域延伸之空乏区域。此有利于在该第二区域中产生之信号光电流有效地流过该第一区域之接面,同时将与过程相关之暗电流及因通常可降低光电二极管组件性能之附近接面缺陷及不完好表面而引起之相关噪声降至最低。该异质接面光电二极管可被包含于一包括一接面数组之成像系统中以形成一成像仪。

6. 发明专利

TW201436261A 光伏元件與其製作方法审中-公开
简体标题：光伏组件与其制作方法
公开(公告)号：TW201436261A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW102149202
申请日：2013-12-31
申请人：台積太陽能股份有限公司 , TSMC SOLAR LTD.
发明人：陳世偉 , CHEN, SHIH WEI
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/1828 , H01L21/02425 , H01L21/02485 , H01L21/02551 , H01L21/02568 , H01L21/02614 , H01L31/02966 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02E10/543
摘要：光伏元件之緩衝層的製作方法包括：提供基板，具有背接觸層於基板上，與吸收層位於背接觸層上；沉積金屬層於吸收層上；以及於氣體中進行熱處理於金屬層上以形成緩衝層，且氣體包括硫、硒、或氧。
简体摘要：光伏组件之缓冲层的制作方法包括：提供基板，具有背接触层于基板上，与吸收层位于背接触层上；沉积金属层于吸收层上；以及于气体中进行热处理于金属层上以形成缓冲层，且气体包括硫、硒、或氧。

7. 发明专利

TW201121089A 退火碲化鎘光伏裝置之方法 METHOD OF ANNEALING CADMIUM TELLURIDE PHOTOVOLTAIC DEVICE 审中-公开
简体标题：退火碲化镉光伏设备之方法 METHOD OF ANNEALING CADMIUM TELLURIDE PHOTOVOLTAIC DEVICE
公开(公告)号：TW201121089A
公开(公告)日：2011-06-16
申请号：TW099134721
申请日：2010-10-12
申请人：第一太陽能股份有限公司
发明人：葛洛克勒馬庫斯 , 包威爾里克C
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/0296 , H01L31/02966 , H01L31/073 , H01L31/1832 , H01L31/1836 , H01L31/1864 , Y02E10/543 , Y02P70/521
摘要：本發明係有關於一製造光伏裝置之方法，其包括在一基板上形成疏化鋅鎘層；將碲化鎘層沈積在該硫化鋅鎘層上；使氯化鎘接觸該碲化鎘層；並將一或多層退火，其中該一或多層包括至少該碲化鎘層。
简体摘要：本发明系有关于一制造光伏设备之方法，其包括在一基板上形成疏化锌镉层；将碲化镉层沉积在该硫化锌镉层上；使氯化镉接触该碲化镉层；并将一或多层退火，其中该一或多层包括至少该碲化镉层。

8. 发明专利

TW554554B Zn1-xMgxSySe1-y梢式光二極體和Zn1-xMgxSySe1-y雪崩光二極體失效
简体标题： Zn1-xMgxSySe1-y梢式光二极管和Zn1-xMgxSySe1-y雪崩光二极管
公开(公告)号：TW554554B
公开(公告)日：2003-09-21
申请号：TW091118524
申请日：2002-08-16
申请人：住友電氣工業股份有限公司
发明人：中村孝夫 , 安東孝止
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B82Y20/00 , H01L31/02963 , H01L31/02966 , H01L31/035236 , H01L31/105 , H01L31/107 , H01L31/1832
摘要：本發明揭示一種具有小暗電流、高可靠度及長壽命的藍-紫-近紫外線梢式光二極體。該梢式光二極體具有一金屬n-電極、一n-ZnSe單結晶基板、一選擇性添加n-ZnSe緩衝層、一n-Znl-xMgxSySel-y層、一i-Znl-xMgxSySel-y層、一p- Znl-xMgxSySel-y層、一p-(ZnTe/ZnSe)mSLE、一p-ZnTe接觸層、一選擇性提供的抗反射膜及一金屬p-電極。
一種具有小暗電流、高可靠度及長壽命的藍-紫-近紫外線雪崩光二極體。雪崩光二極體具有一金屬n-電極、一n-ZnSe單結晶基板、一選擇性添加n-ZnSe緩衝層、一n-Znl-xMgx SySel-y層、一i-Znl-xMgxSySel-y層、一p-Znl-xMgxSySel-y層、一p-(ZnTe/ZnSe)mSLE，一p-ZnTe接觸層、一選擇性提供的抗反射膜及一金屬p-電極。層疊結構的上面蝕刻成一平頂形狀及塗抹絕緣膜。
简体摘要：本发明揭示一种具有小暗电流、高可靠度及长寿命的蓝-紫-近紫外线梢式光二极管。该梢式光二极管具有一金属n-电极、一n-ZnSe单结晶基板、一选择性添加n-ZnSe缓冲层、一n-Znl-xMgxSySel-y层、一i-Znl-xMgxSySel-y层、一p- Znl-xMgxSySel-y层、一p-(ZnTe/ZnSe)mSLE、一p-ZnTe接触层、一选择性提供的抗反射膜及一金属p-电极。一种具有小暗电流、高可靠度及长寿命的蓝-紫-近紫外线雪崩光二极管。雪崩光二极管具有一金属n-电极、一n-ZnSe单结晶基板、一选择性添加n-ZnSe缓冲层、一n-Znl-xMgx SySel-y层、一i-Znl-xMgxSySel-y层、一p-Znl-xMgxSySel-y层、一p-(ZnTe/ZnSe)mSLE，一p-ZnTe接触层、一选择性提供的抗反射膜及一金属p-电极。层叠结构的上面蚀刻成一平顶形状及涂抹绝缘膜。

9. 发明专利

TW201602621A 放射線檢出器用ＵＢＭ電極構造體、放射線檢出器及其製造方法审中-公开
简体标题：放射线检出器用ＵＢＭ电极构造体、放射线检出器及其制造方法
公开(公告)号：TW201602621A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW104119277
申请日：2015-06-15
申请人：吉坤日礦日石金屬有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：村上昌臣 , MURAKAMI, MASAOMI , 三上充 , MIKAMI, MAKOTO , 村上幸司 , MURAKAMI, KOUJI , 野田朗 , NODA, AKIRA , 伊森徹 , IMORI, TORU
IPC分类号： G01T1/24 , H01L31/0296 , H01L31/0224 , H01L31/115
CPC分类号： G01T1/24 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/09 , H01L27/144 , H01L27/146 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/14676 , H01L27/14696 , H01L31/02005 , H01L31/022408 , H01L31/0296 , H01L31/02966 , H01L31/08 , H01L31/115 , H01L2224/0345 , H01L2224/03464 , H01L2224/0558 , H01L2224/05583 , H01L2224/05584 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664
摘要：本發明係一種放射線檢出器用UBM電極構造體，放射線檢出器及其製造方法，其中，提供：抑制形成UBM層時之金屬電極層之劣化，實現充分之電性特性之放射線檢出器用UBM電極構造體，放射線檢出器及其製造方法者。本發明之放射線檢出器用UBM電極構造體，係具有CdTe或CdZnTe所成之基板的放射線檢出器用UBM電極構造體，其中，具備：經由無電解電鍍而形成於前述基板上之Pt或Au電極層，和經由濺鍍而形成於前述Pt或Au電極層上之Ni層，和經由濺鍍而形成於前述Ni層上之Au層者。
简体摘要：本发明系一种放射线检出器用UBM电极构造体，放射线检出器及其制造方法，其中，提供：抑制形成UBM层时之金属电极层之劣化，实现充分之电性特性之放射线检出器用UBM电极构造体，放射线检出器及其制造方法者。本发明之放射线检出器用UBM电极构造体，系具有CdTe或CdZnTe所成之基板的放射线检出器用UBM电极构造体，其中，具备：经由无电解电镀而形成于前述基板上之Pt或Au电极层，和经由溅镀而形成于前述Pt或Au电极层上之Ni层，和经由溅镀而形成于前述Ni层上之Au层者。

10. 发明专利

TWI371762B 熱敏電阻薄膜及其形成方法有权
简体标题：热敏电阻薄膜及其形成方法
公开(公告)号：TWI371762B
公开(公告)日：2012-09-01
申请号：TW094120307
申请日：2005-06-17
申请人：三菱綜合材料股份有限公司
发明人：石神俊一郎 , 山口邦生 , 四元孝二
IPC分类号： H01C
CPC分类号： H01C17/06533 , G01J5/20 , H01C7/008 , H01L31/02966 , H01L31/09
摘要：本發明係提供抑制自發熱的產生、變形或龜裂等的機械破損不會產生的熱敏電阻薄膜之形成方法及熱敏電阻薄膜，在熱敏電阻薄膜及其形成方法中，於不產生變形或龜裂等機械破損下提供一種可得到機械性強度或膜的均一性優異之同時且可形成高精度的圖案，作為紅外線檢測感應器的必要電特性，且可適用於作為使用過渡金屬氧化物膜之紅外線檢測感應器用之熱敏電阻膜。
本發明係關於一種熱敏電阻薄膜，其係由Mn3O4-Co3O4或Mn3O4-Co3O4-Fe2O3系複合金屬氧化物所構成，膜厚為0.05~0.2μm且縱橫比超過0.5、未達2.0之結晶粒佔90%以上的結晶所構成之熱敏電阻薄膜。形成方法係採用在SiO2基底層上使膜厚0.05~0.2μm之Mn3O4-Co3O4或Mn3O4-Co3O4-Fe2O3系複合金屬氧化物膜濺鍍成膜後，在550℃~650℃之溫度下且在大氣環境中或氮與氧之混合環境中進行熱處理之方法。
简体摘要：本发明系提供抑制自发热的产生、变形或龟裂等的机械破损不会产生的热敏电阻薄膜之形成方法及热敏电阻薄膜，在热敏电阻薄膜及其形成方法中，于不产生变形或龟裂等机械破损下提供一种可得到机械性强度或膜的均一性优异之同时且可形成高精度的图案，作为红外线检测感应器的必要电特性，且可适用于作为使用过渡金属氧化物膜之红外线检测感应器用之热敏电阻膜。本发明系关于一种热敏电阻薄膜，其系由Mn3O4-Co3O4或Mn3O4-Co3O4-Fe2O3系复合金属氧化物所构成，膜厚为0.05~0.2μm且纵横比超过0.5、未达2.0之结晶粒占90%以上的结晶所构成之热敏电阻薄膜。形成方法系采用在SiO2基底层上使膜厚0.05~0.2μm之Mn3O4-Co3O4或Mn3O4-Co3O4-Fe2O3系复合金属氧化物膜溅镀成膜后，在550℃~650℃之温度下且在大气环境中或氮与氧之混合环境中进行热处理之方法。

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