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1. 发明专利

TWI615496B 含硫薄膜有权
公开(公告)号：TWI615496B
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：TW103143979
申请日：2014-12-17
申请人： ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B. V.
发明人：賀加蘇維P , HAUKKA, SUVI P. , 湯福 , TANG, FU , 吉文斯麥克E , GIVENS, MICHAEL E. , 梅茲詹姆威廉 , MAES, JAN WILLEM , 謝琦 , XIE, QI
IPC分类号： C23C16/30 , C23C16/455
CPC分类号： H01L21/02175 , H01L21/02192 , H01L21/02194 , H01L21/0228 , H01L21/02334 , H01L21/0237 , H01L21/02395 , H01L21/02557 , H01L21/02568 , H01L21/0262 , H01L21/02661 , H01L21/28264 , H01L29/2203 , H01L29/267 , H01L29/66795 , H01L29/7786 , H01L29/78

2. 发明专利

TW201743460A 金屬摻雜之Cu(In,Ga)(S,Se)2奈米顆粒审中-公开
简体标题：金属掺杂之Cu(In,Ga)(S,Se)2奈米颗粒
公开(公告)号：TW201743460A
公开(公告)日：2017-12-16
申请号：TW106133116
申请日：2015-01-29
申请人：納諾柯技術有限公司 , NANOCO TECHNOLOGIES LIMITED
发明人：紐曼克里斯多福 , NEWMAN,CHRISTOPHER , 瑪莎拉歐貝塔 , MASALA,OMBRETTA , 史坦哈根查特 , STEINHAGEN,CHET
IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/042 , B82Y30/00
CPC分类号： H01L31/0322 , H01L21/02568 , H01L21/02579 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , H01L31/0323 , Y02E10/541
摘要：使用各種方法以當CIGS層沈積於光伏打裝置上時在含CIGS油墨中提供所要之摻雜金屬濃度。當該摻雜金屬係鈉時，其可藉由以下步驟併入：在Cu(In,Ga)(S,Se)2奈米顆粒之合成反應開始時，將例如乙酸鈉之鈉鹽與含銅、銦及/或鎵之試劑一起添加；合成Cu(In,Ga)(S,Se)2奈米顆粒並將鈉鹽添加至反應溶液，隨後在分離該等奈米顆粒之前溫和加熱以幫助鈉擴散；及/或，使用能夠利用其分子鏈之一端將該等Cu(In,Ga)(S,Se)2奈米顆粒封端且利用其鏈之另一端結合至鈉原子之配位子。
简体摘要：使用各种方法以当CIGS层沉积于光伏打设备上时在含CIGS油墨中提供所要之掺杂金属浓度。当该掺杂金属系钠时，其可借由以下步骤并入：在Cu(In,Ga)(S,Se)2奈米颗粒之合成反应开始时，将例如乙酸钠之钠盐与含铜、铟及/或镓之试剂一起添加；合成Cu(In,Ga)(S,Se)2奈米颗粒并将钠盐添加至反应溶液，随后在分离该等奈米颗粒之前温和加热以帮助钠扩散；及/或，使用能够利用其分子链之一端将该等Cu(In,Ga)(S,Se)2奈米颗粒封端且利用其链之另一端结合至钠原子之配位子。

3. 发明专利

TWI606009B 二硫化鉬奈米片感測器及其製造方法有权
简体标题：二硫化钼奈米片传感器及其制造方法
公开(公告)号：TWI606009B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：TW104144708
申请日：2015-12-31
申请人：國立清華大學 , NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY
发明人：洪健中 , HONG, CHIEN CHONG , 吳忠軒 , WU, CHUNG HSUAN , 王世邦 , WANG, SHIH PANG
IPC分类号： B82Y15/00 , B82Y40/00
CPC分类号： G01N33/0027 , H01L21/02422 , H01L21/02568 , H01L21/02628 , H01L21/47635 , H01L29/24 , H01L29/45

4. 发明专利

TW201739063A 大面積薄膜太陽能電池的製法审中-公开
简体标题：大面积薄膜太阳能电池的制法
公开(公告)号：TW201739063A
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW105112547
申请日：2016-04-22
申请人：賴志煌 , LAI, CHIH-HUANG
发明人：賴志煌 , LAI, CHIH-HUANG , 蔡忠浩 , CAI, CHUNG-HAO
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/0256
CPC分类号： H01L31/1828 , H01L21/02491 , H01L21/02568 , H01L21/02614 , H01L31/0322 , H01L31/0323 , H01L31/0749 , H01L31/186 , Y02E10/50
摘要：一種大面積薄膜太陽能電池的製法，實質上是由以下步驟所構成：(a)在一表面之上形成有一第一電極單元的基板上形成一多層膜，該步驟；(b)在一含有一惰性氣體及一硒源的退火環境內對該多層膜施予硒化處理，以令該多層膜形成一具有黃銅礦晶相的吸收層；(c)於該吸收層上形成一第一緩衝層；(d)於該第一緩衝層上形成一第二緩衝層；(e)於該第二緩衝層上形成一透明導電層；及驟(f)於該透明導電層上形成一第二電極單元。該步驟(a)包括以下次步驟：(a1)於該第一電極單元上濺鍍一含有Cu、Ga及KF的第一複合膜體，及(a2)在該含有Cu、Ga及KF的第一複合膜體上濺鍍一In膜體。
简体摘要：一种大面积薄膜太阳能电池的制法，实质上是由以下步骤所构成：(a)在一表面之上形成有一第一电极单元的基板上形成一多层膜，该步骤；(b)在一含有一惰性气体及一硒源的退火环境内对该多层膜施予硒化处理，以令该多层膜形成一具有黄铜矿晶相的吸收层；(c)于该吸收层上形成一第一缓冲层；(d)于该第一缓冲层上形成一第二缓冲层；(e)于该第二缓冲层上形成一透明导电层；及骤(f)于该透明导电层上形成一第二电极单元。该步骤(a)包括以下次步骤：(a1)于该第一电极单元上溅镀一含有Cu、Ga及KF的第一复合膜体，及(a2)在该含有Cu、Ga及KF的第一复合膜体上溅镀一In膜体。

5. 发明专利

TWI583810B 於溫度感測基板上之熱管理之系統及方法有权
简体标题：于温度传感基板上之热管理之系统及方法
公开(公告)号：TWI583810B
公开(公告)日：2017-05-21
申请号：TW103100871
申请日：2014-01-09
申请人：亞紳特太陽能科技股份有限公司 , ASCENT SOLAR TECHNOLOGIES, INC.
发明人：伍茲勞倫斯M , WOODS, LAWRENCE M. , 利柏林羅欣 , RIBELIN, ROSINE , 阿姆斯壯喬瑟夫H , ARMSTRONG, JOSEPH H.
IPC分类号： C23C14/26
CPC分类号： H01L31/18 , C23C14/0021 , C23C14/20 , C23C14/541 , H01L21/02422 , H01L21/02568 , H01L21/67115 , H01L31/0322 , H01L31/03928 , Y02E10/541

6. 发明专利

TWI581475B 有機薄膜太陽電池有权
简体标题：有机薄膜太阳电池
公开(公告)号：TWI581475B
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW102104775
申请日：2013-02-07
申请人：積水化學工業股份有限公司 , SEKISUI CHEMICAL CO., LTD.
发明人：早川明伸 , HAYAKAWA, AKINOBU , 伊藤和志 , ITO, KAZUSHI , 孫仁德 , SUN, REN-DE
IPC分类号： H01L51/46 , H01L51/42
CPC分类号： H01L51/4213 , H01L21/02568 , H01L51/0036 , H01L51/0037 , H01L51/0072 , H01L51/0077 , H01L51/0092 , H01L51/426 , H01L2251/308 , Y02E10/549

7. 发明专利

TWI562204B 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及電腦可讀取的記錄媒體有权
简体标题：基板处理设备、半导体设备之制造方法及电脑可读取的记录媒体
公开(公告)号：TWI562204B
公开(公告)日：2016-12-11
申请号：TW103109850
申请日：2011-09-09
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：淺井優幸 , ASAI, MASAYUKI , 本田剛一 , HONDA, KOICHI , 梅本衛 , UMEMOTO, MAMORU , 奧田和幸 , OKUDA, KAZUYUKI
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： C23C16/52 , C23C16/08 , C23C16/345 , C23C16/401 , C23C16/4401 , C23C16/4408 , C23C16/45542 , C23C16/45544 , C23C16/509 , C23C16/54 , H01J37/3244 , H01J37/32899 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02175 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/02568 , H01L21/0262 , H01L21/0337 , H01L21/32051 , H01L21/32053

8. 发明专利

TW201631230A 二維層狀硫族化合物的合成方法及製程設備审中-公开
简体标题：二维层状硫族化合物的合成方法及制程设备
公开(公告)号：TW201631230A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW104121335
申请日：2015-07-01
申请人：炬力奈米科技有限公司 , G-FORCE NANO TECHNOLOGY LTD.
发明人：葉昭輝 , YEH, CHAO HUI , 邱壬官 , CHIU, JEN KUAN
IPC分类号： C30B29/46 , C30B25/08 , C30B25/16 , C23C16/455 , C23C16/46 , C23C16/30 , C23C16/52 , C01B19/04
CPC分类号： H01L21/02568 , C23C16/305 , C23C16/448 , C23C16/46 , C23C16/48 , C23C16/482 , C30B25/105 , C30B29/46 , C30B29/60 , H01J37/32321 , H01J37/32339 , H01J2237/3321 , H01L21/0262
摘要：一種二維層狀硫族化合物的合成方法及製程設備。二維層狀硫族化合物的合成方法包括加熱基材至反應溫度；暴露基材於催化氣體、前驅物蒸氣及硫族前驅物氣體中；利用一氣體活化單元來離子化催化氣體與硫族前驅物氣體，藉以產生能量化粒子，其中能量化粒子與前驅物蒸氣反應而形成硫族化合物氣體；及降低基材的溫度，以使硫族化合物氣體沉積於基材上而形成二維層狀硫族化合物。
简体摘要：一种二维层状硫族化合物的合成方法及制程设备。二维层状硫族化合物的合成方法包括加热基材至反应温度；暴露基材于催化气体、前驱物蒸气及硫族前驱物气体中；利用一气体活化单元来离子化催化气体与硫族前驱物气体，借以产生能量化粒子，其中能量化粒子与前驱物蒸气反应而形成硫族化合物气体；及降低基材的温度，以使硫族化合物气体沉积于基材上而形成二维层状硫族化合物。

9. 发明专利

TWI546412B 使用烷基化硫脲之金屬硫化物沉積有权
简体标题：使用烷基化硫脲之金属硫化物沉积
公开(公告)号：TWI546412B
公开(公告)日：2016-08-21
申请号：TW100121695
申请日：2011-06-21
申请人：艾萬拓股份有限公司 , AVANTOR PERFORMANCE MATERIALS, INC.
发明人：卡斯基道格拉斯C 二世 , CASKEY, DOUGLAS C. JR. , 薛佛德克魯潘安德S , SHEPHERD, KRUPANAND S. , 張啟明傑森 , CHANG, CHI-MING JASON
IPC分类号： C23C18/54 , C07C335/08
CPC分类号： C23C18/1204 , C23C18/1245 , H01L21/02411 , H01L21/02417 , H01L21/02557 , H01L21/02568 , H01L21/02628 , H01L31/1828 , Y02E10/543 , Y02P70/521

10. 发明专利

TW201629162A 均勻系塗佈液及其製造方法、太陽能電池用光吸收層及其製造方法、及太陽能電池及其製造方法审中-公开
简体标题：均匀系涂布液及其制造方法、太阳能电池用光吸收层及其制造方法、及太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：TW201629162A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：TW104135441
申请日：2015-10-28
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：廖曰淳 , LIAO, YUEH CHUN , 大橋卓矢 , OHHASHI, TAKUYA , 飯田啓之 , IIDA, HIROYUKI , 仲村亮正 , NAKAMURA, AKIMASA
IPC分类号： C09D5/32 , H01L31/0216 , H01L31/04
CPC分类号： C09D5/32 , C01B19/007 , C01G15/006 , C09D1/00 , C09D5/24 , C09D7/20 , H01L21/02568 , H01L21/02628 , H01L31/022425 , H01L31/0322 , H01L31/0326 , H01L31/0749 , H01L31/18 , H01L31/1864 , Y02E10/541
摘要：本發明係用於形成太陽能電池之光吸收層的均勻系塗佈液，其係含有選自由第11族金屬、第13族金屬、第11族金屬化合物及第13族金屬化合物所成群之至少1種之金屬或金屬化合物、路易斯鹼溶劑及路易斯酸。
简体摘要：本发明系用于形成太阳能电池之光吸收层的均匀系涂布液，其系含有选自由第11族金属、第13族金属、第11族金属化合物及第13族金属化合物所成群之至少1种之金属或金属化合物、刘易斯碱溶剂及刘易斯酸。

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