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2. 发明专利

TW201251062A 薄膜光伏打裝置及製造方法 THIN-FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE AND FABRICATION METHOD 审中-公开
简体标题：薄膜光伏打设备及制造方法 THIN-FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE AND FABRICATION METHOD
公开(公告)号：TW201251062A
公开(公告)日：2012-12-16
申请号：TW101108131
申请日：2012-03-09
申请人：弗里松股份有限公司 , 安培公司
发明人：奇里拉亞里恩 , 提瓦瑞約提亞 , 畢洛奇派翠克 , 西協四郎 , 布雷莫大衛
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/18 , H01L21/02422 , H01L21/02485 , H01L21/02491 , H01L21/02505 , H01L21/0251 , H01L21/02568 , H01L31/0322 , H01L31/03928 , Y02E10/541
摘要：一種製造薄膜光伏打裝置(100)之方法,該裝置包含沉積在背面接觸層(120)上之光伏打Cu(In,Ga)Se2或相當的ABC吸收劑層(130),諸如ABC2層,該方法特徵在於包含至少5個沉積步驟,其中在至少一個C元素存在於一或多個步驟中的情況下成對的第三及第四步驟是連續可重複的。在第一步驟中,至少一種B元素被沉積,在第二步驟中接著以沉積速率比率Ar/Br沉積A及B,在第三步驟中以低於先前之比率Ar/Br沉積,在第四步驟中以高於先前之比率Ar/Br沉積,且在第五步驟中僅沉積B元素以獲得全部經沉積元素之最終比率A/B。所得之光伏打裝置特徵在於由曝光面開始,該光伏打裝置(100)之吸收劑層(130)包含逐漸降低Ga/(Ga+In)比率之第一區(501),緊接之逐漸增加Ga/(Ga+In)比率之第二區(502),其中在該第二區(502)之曝光半面上Ga/(Ga+In)之增加不到0.15且含有至少一隆起(hump)。
简体摘要：一种制造薄膜光伏打设备(100)之方法,该设备包含沉积在背面接触层(120)上之光伏打Cu(In,Ga)Se2或相当的ABC吸收剂层(130),诸如ABC2层,该方法特征在于包含至少5个沉积步骤,其中在至少一个C元素存在于一或多个步骤中的情况下成对的第三及第四步骤是连续可重复的。在第一步骤中,至少一种B元素被沉积,在第二步骤中接着以沉积速率比率Ar/Br沉积A及B,在第三步骤中以低于先前之比率Ar/Br沉积,在第四步骤中以高于先前之比率Ar/Br沉积,且在第五步骤中仅沉积B元素以获得全部经沉积元素之最终比率A/B。所得之光伏打设备特征在于由曝光面开始,该光伏打设备(100)之吸收剂层(130)包含逐渐降低Ga/(Ga+In)比率之第一区(501),紧接之逐渐增加Ga/(Ga+In)比率之第二区(502),其中在该第二区(502)之曝光半面上Ga/(Ga+In)之增加不到0.15且含有至少一隆起(hump)。

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