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1. 发明专利

TW201631197A 硫屬化物薄膜之製造方法审中-公开
简体标题：硫属化物薄膜之制造方法
公开(公告)号：TW201631197A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW105103236
申请日：2016-02-02
申请人：炬力奈米科技有限公司 , G-FORCE NANOTECHNOLOGY LTD.
发明人：葉昭輝 , YEH, CHAO HUI , 邱壬官 , CHIU, JEN KUAN
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/56 , C23C28/04
CPC分类号： H01L29/66969 , C23C16/40 , C23C16/45525 , C23C16/56 , H01L21/02483 , H01L21/02485 , H01L21/02565 , H01L21/02568 , H01L21/02612 , H01L21/02614 , H01L21/477 , H01L29/861
摘要：本揭露提供一種硫屬化物薄膜之製造方法。此方法包括：提供基底於腔室中；實行第一原子層沉積製程以形成第一氧化物薄膜於基底上方；實行第一硫屬化製程，包括注入第一硫屬元素，以使第一氧化物薄膜轉變為第一硫屬化物薄膜；於第一硫屬化物薄膜上實行退火製程。
简体摘要：本揭露提供一种硫属化物薄膜之制造方法。此方法包括：提供基底于腔室中；实行第一原子层沉积制程以形成第一氧化物薄膜于基底上方；实行第一硫属化制程，包括注入第一硫属元素，以使第一氧化物薄膜转变为第一硫属化物薄膜；于第一硫属化物薄膜上实行退火制程。

2. 发明专利

TW201721282A EUV保護膜及其製造方法审中-公开
简体标题： EUV保护膜及其制造方法
公开(公告)号：TW201721282A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：TW105114910
申请日：2016-05-13
申请人：炬力奈米科技有限公司 , G-FORCE NANOTECHNOLOGY LTD.
发明人：邱壬官 , CHIU, JEN-KUAN , 葉昭輝 , YEH, CHAO-HUI
IPC分类号： G03F1/62
CPC分类号： G03F1/62
摘要：一種用以保護EUV光罩的保護膜，包括第一層、第二層以及層狀材料。第二層形成於第一層上。層狀材料形成於第一層與第二層之間。層狀材料的材料包括石墨烯、氮化硼、過渡金屬二硫屬化物或其組合。
简体摘要：一种用以保护EUV光罩的保护膜，包括第一层、第二层以及层状材料。第二层形成于第一层上。层状材料形成于第一层与第二层之间。层状材料的材料包括石墨烯、氮化硼、过渡金属二硫属化物或其组合。

3. 发明专利

TWI582261B 硫屬化物薄膜之製造方法有权
简体标题：硫属化物薄膜之制造方法
公开(公告)号：TWI582261B
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：TW105103236
申请日：2016-02-02
申请人：炬力奈米科技有限公司 , G-FORCE NANOTECHNOLOGY LTD.
发明人：葉昭輝 , YEH, CHAO HUI , 邱壬官 , CHIU, JEN KUAN
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/56 , C23C28/04
CPC分类号： H01L29/66969 , C23C16/40 , C23C16/45525 , C23C16/56 , H01L21/02483 , H01L21/02485 , H01L21/02565 , H01L21/02568 , H01L21/02612 , H01L21/02614 , H01L21/477 , H01L29/861

4. 发明专利

TWI532892B 二維層狀硫族化合物的合成方法及製程設備有权
简体标题：二维层状硫族化合物的合成方法及制程设备
公开(公告)号：TWI532892B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：TW104121335
申请日：2015-07-01
申请人：炬力奈米科技有限公司 , G-FORCE NANO TECHNOLOGY LTD.
发明人：葉昭輝 , YEH, CHAO HUI , 邱壬官 , CHIU, JEN KUAN
IPC分类号： C30B29/46 , C30B25/08 , C30B25/16 , C23C16/455 , C23C16/46 , C23C16/30 , C23C16/52 , C01B19/04
CPC分类号： H01L21/02568 , C23C16/305 , C23C16/448 , C23C16/46 , C23C16/48 , C23C16/482 , C30B25/105 , C30B29/46 , C30B29/60 , H01J37/32321 , H01J37/32339 , H01J2237/3321 , H01L21/0262

5. 发明专利

TW201718400A 藉由化學氣相沉積成長石墨烯的方法审中-公开
简体标题：借由化学气相沉积成长石墨烯的方法
公开(公告)号：TW201718400A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105114900
申请日：2016-05-13
申请人：炬力奈米科技有限公司 , G-FORCE NANO TECHNOLOGY LTD.
发明人：邱壬官 , CHIU, JEN-KUAN , 葉昭輝 , YEH, CHAO-HUI , 邱博文 , CHIU, PO-WEN
IPC分类号： C01B31/04 , C23C16/455 , C23C16/48 , C23C16/26
摘要：一種藉由化學氣相沉積成長石墨烯的方法，包括：裝載至少一基板至爐管中；引入至少含有含氧碳源的反應氣體至爐管中；加熱反應氣體，且使用紫外光源對反應氣體照射紫外光，以分解含氧碳源；以及藉由碳源的分解釋放出的碳原子來沉積石墨烯膜於所述至少一基板的表面上。
简体摘要：一种借由化学气相沉积成长石墨烯的方法，包括：装载至少一基板至炉管中；引入至少含有含氧碳源的反应气体至炉管中；加热反应气体，且使用紫外光源对反应气体照射紫外光，以分解含氧碳源；以及借由碳源的分解释放出的碳原子来沉积石墨烯膜于所述至少一基板的表面上。

6. 发明专利

TWI570263B 光輔助原子層沉積方法有权
简体标题：光辅助原子层沉积方法
公开(公告)号：TWI570263B
公开(公告)日：2017-02-11
申请号：TW104125979
申请日：2015-08-10
申请人：炬力奈米科技有限公司 , G-FORCE NANO TECHNOLOGY LTD.
发明人：葉昭輝 , YEH, CHAO HUI , 邱壬官 , CHIU, JEN KUAN
IPC分类号： C23C16/452 , C23C16/48
CPC分类号： C23C16/45536 , C23C16/452

7. 发明专利

TW201631230A 二維層狀硫族化合物的合成方法及製程設備审中-公开
简体标题：二维层状硫族化合物的合成方法及制程设备
公开(公告)号：TW201631230A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW104121335
申请日：2015-07-01
申请人：炬力奈米科技有限公司 , G-FORCE NANO TECHNOLOGY LTD.
发明人：葉昭輝 , YEH, CHAO HUI , 邱壬官 , CHIU, JEN KUAN
IPC分类号： C30B29/46 , C30B25/08 , C30B25/16 , C23C16/455 , C23C16/46 , C23C16/30 , C23C16/52 , C01B19/04
CPC分类号： H01L21/02568 , C23C16/305 , C23C16/448 , C23C16/46 , C23C16/48 , C23C16/482 , C30B25/105 , C30B29/46 , C30B29/60 , H01J37/32321 , H01J37/32339 , H01J2237/3321 , H01L21/0262
摘要：一種二維層狀硫族化合物的合成方法及製程設備。二維層狀硫族化合物的合成方法包括加熱基材至反應溫度；暴露基材於催化氣體、前驅物蒸氣及硫族前驅物氣體中；利用一氣體活化單元來離子化催化氣體與硫族前驅物氣體，藉以產生能量化粒子，其中能量化粒子與前驅物蒸氣反應而形成硫族化合物氣體；及降低基材的溫度，以使硫族化合物氣體沉積於基材上而形成二維層狀硫族化合物。
简体摘要：一种二维层状硫族化合物的合成方法及制程设备。二维层状硫族化合物的合成方法包括加热基材至反应温度；暴露基材于催化气体、前驱物蒸气及硫族前驱物气体中；利用一气体活化单元来离子化催化气体与硫族前驱物气体，借以产生能量化粒子，其中能量化粒子与前驱物蒸气反应而形成硫族化合物气体；及降低基材的温度，以使硫族化合物气体沉积于基材上而形成二维层状硫族化合物。

8. 发明专利

TWI571437B 藉由化學氣相沉積成長石墨烯的方法有权
简体标题：借由化学气相沉积成长石墨烯的方法
公开(公告)号：TWI571437B
公开(公告)日：2017-02-21
申请号：TW105114900
申请日：2016-05-13
申请人：炬力奈米科技有限公司 , G-FORCE NANO TECHNOLOGY LTD.
发明人：邱壬官 , CHIU, JEN-KUAN , 葉昭輝 , YEH, CHAO-HUI , 邱博文 , CHIU, PO-WEN
IPC分类号： C01B31/04 , C23C16/455 , C23C16/48 , C23C16/26

9. 发明专利

TW201706441A 光輔助原子層沉積方法审中-公开
简体标题：光辅助原子层沉积方法
公开(公告)号：TW201706441A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：TW104125979
申请日：2015-08-10
申请人：炬力奈米科技有限公司 , G-FORCE NANO TECHNOLOGY LTD.
发明人：葉昭輝 , YEH, CHAO HUI , 邱壬官 , CHIU, JEN KUAN
IPC分类号： C23C16/452 , C23C16/48
CPC分类号： C23C16/45536 , C23C16/452
摘要：本發明揭露了一種光輔助原子層沉積方法，其包含下列步驟：準備製程系統，其中製程系統包含製程腔體以及連接製程腔體的第一進氣管路，且第一進氣管路包含具有透光側壁的預腔體；通入第一氣體至預腔體中；以紫外線透過透光側壁照射預腔體內部；以及，使照射過紫外光的第一氣體進入製程腔體。由於第一氣體在預腔體中被紫外光照射而加強第一氣體之活性，因此照射過紫外光之氣體進入製程腔體中較容易反應完全，減少前驅物之配體官能基殘留，以提升成膜品質。
简体摘要：本发明揭露了一种光辅助原子层沉积方法，其包含下列步骤：准备制程系统，其中制程系统包含制程腔体以及连接制程腔体的第一进气管路，且第一进气管路包含具有透光侧壁的预腔体；通入第一气体至预腔体中；以紫外线透过透光侧壁照射预腔体内部；以及，使照射过紫外光的第一气体进入制程腔体。由于第一气体在预腔体中被紫外光照射而加强第一气体之活性，因此照射过紫外光之气体进入制程腔体中较容易反应完全，减少前驱物之配体官能基残留，以提升成膜品质。

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