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1. 发明专利

TWI591369B 放射線檢出器用ＵＢＭ電極構造體、放射線檢出器及其製造方法有权
简体标题：放射线检出器用ＵＢＭ电极构造体、放射线检出器及其制造方法
公开(公告)号：TWI591369B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：TW104119277
申请日：2015-06-15
申请人： JX金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：村上昌臣 , MURAKAMI, MASAOMI , 三上充 , MIKAMI, MAKOTO , 村上幸司 , MURAKAMI, KOUJI , 野田朗 , NODA, AKIRA , 伊森徹 , IMORI, TORU
IPC分类号： G01T1/24 , H01L31/0296 , H01L31/0224 , H01L31/115
CPC分类号： G01T1/24 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/09 , H01L27/144 , H01L27/146 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/14676 , H01L27/14696 , H01L31/02005 , H01L31/022408 , H01L31/0296 , H01L31/02966 , H01L31/08 , H01L31/115 , H01L2224/0345 , H01L2224/03464 , H01L2224/0558 , H01L2224/05583 , H01L2224/05584 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664

2. 发明专利

TWI525845B 半導體裝置和其製造方法有权
简体标题：半导体设备和其制造方法
公开(公告)号：TWI525845B
公开(公告)日：2016-03-11
申请号：TW099113607
申请日：2010-04-29
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：藤井照幸 , FUJII, TERUYUKI , 大島浩平 , OHSHIMA, KOHEI , 丸山純矢 , MARUYAMA, JUNYA , 下村明久 , SHIMOMURA, AKIHISA
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/022425 , H01L31/02008 , H01L31/028 , H01L31/0296 , H01L31/068 , H01L31/075 , Y02E10/50

3. 发明专利

TWI385814B 光電致變色元件及其製作方法有权
简体标题：光电致变色组件及其制作方法
公开(公告)号：TWI385814B
公开(公告)日：2013-02-11
申请号：TW098117341
申请日：2009-05-25
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：黃莉媚 , HUANG, LEE MAY , 葉芳耀 , YEH, FANG YAO , 何國川 , HO, KUO CHUAN , 胡致維 , HU, CHIH WEI , 徐志宇 , HSU, CHIH YU , 葉峻銘 , YEH, CHUN MING
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/042
CPC分类号： G02F1/157 , G02F2001/13324 , H01L31/0296 , H01L31/0322 , H01L31/03685 , H01L31/03762 , H01L31/0392 , H01L31/03923 , H01L31/03925 , H01L31/03928 , H01L31/072 , H01L31/0725 , Y02E10/541 , Y02P70/521

4. 发明专利

TW201131014A 製作多成份膜的方法 METHOD OF MAKING A MULTICOMPONENT FILM 审中-公开
简体标题：制作多成份膜的方法 METHOD OF MAKING A MULTICOMPONENT FILM
公开(公告)号：TW201131014A
公开(公告)日：2011-09-16
申请号：TW100105688
申请日：2011-02-21
申请人：氣體產品及化學品股份公司
发明人：蕭滿超 , 楊柳 , 雷新建 , 布坎南伊安
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： H01L21/06 , C23C18/1204 , C23C18/1225 , H01L21/0256 , H01L21/02562 , H01L21/02568 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L31/0296 , H01L31/032 , H01L31/0322 , H01L45/06 , H01L45/144 , H01L45/1608 , Y02E10/541
摘要：文中描述用於沉積多成份膜的方法及以液態為基礎的前驅物組合物。有一具體實施例中，文中所述的方法及組合物係用以沉積鍺碲(GeTe)、銻碲(SbTe)、銻鍺(SbGe)、鍺銻碲(GST)、銦銻碲(IST)、銀銦銻碲(AIST)、碲化鎘(CdTe)、硒化鎘(CdSe)、碲化鋅(ZnTe)、硒化鋅(ZnSe)、硒化銅銦鎵(CIGS)膜或其他用於相變化記憶及光伏打裝置之碲及硒為基礎的金屬化合物。
简体摘要：文中描述用于沉积多成份膜的方法及以液态为基础的前驱物组合物。有一具体实施例中，文中所述的方法及组合物系用以沉积锗碲(GeTe)、锑碲(SbTe)、锑锗(SbGe)、锗锑碲(GST)、铟锑碲(IST)、银铟锑碲(AIST)、碲化镉(CdTe)、硒化镉(CdSe)、碲化锌(ZnTe)、硒化锌(ZnSe)、硒化铜铟镓(CIGS)膜或其他用于相变化记忆及光伏打设备之碲及硒为基础的金属化合物。

5. 发明专利

TW201121088A 自行矯正的光伏打模組（二） SELF-REMEDIATING PHOTOVOLTAIC MODULE 审中-公开
简体标题：自行矫正的光伏打模块（二） SELF-REMEDIATING PHOTOVOLTAIC MODULE
公开(公告)号：TW201121088A
公开(公告)日：2011-06-16
申请号：TW099133281
申请日：2010-09-30
申请人：第一太陽能股份有限公司
发明人：克利斯登森史考特 , 克羅席克凱利納
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/0296 , H01L31/0481 , H01L31/0488 , Y02E10/50
摘要：一種製造光伏打模組的方法，該方法包括：形成包括組成材料的一光伏打裝置；毗鄰該組成材料形成一親水性材料，其中該親水性材料包括聚乙烯；及毗鄰該親水性材料沉積一矯正劑，使得該矯正劑接近但不接觸該組成材料。
简体摘要：一种制造光伏打模块的方法，该方法包括：形成包括组成材料的一光伏打设备；毗邻该组成材料形成一亲水性材料，其中该亲水性材料包括聚乙烯；及毗邻该亲水性材料沉积一矫正剂，使得该矫正剂接近但不接触该组成材料。

6. 发明专利

TWI341035B 太陽能發光裝置 SOLAR-POWERED ILLUMINATOR 失效
简体标题：太阳能发光设备 SOLAR-POWERED ILLUMINATOR
公开(公告)号：TWI341035B
公开(公告)日：2011-04-21
申请号：TW096106138
申请日：2007-02-16
申请人：海德威電子工業股份有限公司 , 禧通科技股份有限公司
发明人：賴利弘 , 黃堃芳 , 謝文昇 , 賴利溫
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/153 , H01L25/167 , H01L31/0296 , H01L31/0304 , H01L31/0322 , H01L31/06 , H01L31/073 , H01L31/0735 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , Y02E10/52 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：一種太陽能發光裝置，包含一具有太陽能晶片及發光二極體晶片之光接收發射積體元件、一可充電式電池及一特殊應用積體電路；利用光接收發射積體元件的透明封裝體將入射之太陽光聚焦至太陽能晶片以產生一第一電壓；可充電式電池係電性連接至光接收發射積體元件，且藉由太陽能晶片所產生之第一電壓充電；又，特殊應用積體電路並電性連接至可充電式電池及光接收發射積體元件，以將第一電壓升壓至一第二電壓，且經由可充電式電池放電，以第二電壓驅動LED晶片發光。此太陽能發光裝置具備有尺寸小、緊密、整合簡單、安裝容易及符合成本效益之優點。
简体摘要：一种太阳能发光设备，包含一具有太阳能芯片及发光二极管芯片之光接收发射积体组件、一可充电式电池及一特殊应用集成电路；利用光接收发射积体组件的透明封装体将入射之太阳光聚焦至太阳能芯片以产生一第一电压；可充电式电池系电性连接至光接收发射积体组件，且借由太阳能芯片所产生之第一电压充电；又，特殊应用集成电路并电性连接至可充电式电池及光接收发射积体组件，以将第一电压升压至一第二电压，且经由可充电式电池放电，以第二电压驱动LED芯片发光。此太阳能发光设备具备有尺寸小、紧密、集成简单、安装容易及符合成本效益之优点。

7. 发明专利

TW201101514A 用於錫酸鎘透明導電氧化物（ＴＣＯ）之氮化矽擴散障壁層 SILICON NITRIDE DIFFUSION BARRIER LAYER FOR CADMIUM STANNATE TCO 审中-公开
简体标题：用于锡酸镉透明导电氧化物（ＴＣＯ）之氮化硅扩散障壁层 SILICON NITRIDE DIFFUSION BARRIER LAYER FOR CADMIUM STANNATE TCO
公开(公告)号：TW201101514A
公开(公告)日：2011-01-01
申请号：TW099114512
申请日：2010-05-06
申请人：第一太陽能股份有限公司
发明人：麥爾斯史考特 , 羅伯茲戴爾 , 楊宇 , 趙志波
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/1884 , H01L31/022466 , H01L31/0296 , Y02E10/50
摘要：一光伏打裝置可包括一鄰近於一基材的透明導電氧化物層與一障壁層,該障壁層可包括一含矽材料。
简体摘要：一光伏打设备可包括一邻近于一基材的透明导电氧化物层与一障壁层,该障壁层可包括一含硅材料。

8. 发明专利

TW200537698A 輻射偵測器 RADIATION DETECTOR 审中-公开
简体标题：辐射侦测器 RADIATION DETECTOR
公开(公告)号：TW200537698A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：TW094109517
申请日：2005-03-28
申请人：歐斯朗奧托半導體股份有限公司 OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人：昂得特傑格 JAEGER, ARNDT , 彼得史陶茲 STAUSS, PETER , 雷納溫迪契 WINDISCH, REINER
IPC分类号： H01L , G01J
CPC分类号： H01L31/035236 , B82Y20/00 , H01L31/02162 , H01L31/0296 , H01L31/03046 , H01L31/1035 , Y02E10/544
摘要：一種輻射偵測器，其係依據預定的光譜敏感度分佈(9)來偵測輻射(8)，該預定的光譜敏感度分佈(9)在一預定的波長λ0時具有最大值，此輻射偵測器包含一種半導體本體(1)，其具有一用來產生該偵測器信號–且用來接收輻射之活性區(5)，其中活性區(5)依據一種實施形式包含多個功能層(4a,4b,4c,4d)，其中各功能層具有不同的能帶間隙及／或厚度且各功能層至少一部份可吸收波長範圍大於λ0之輻射。依據另一實施形式，活性區之後配置一種濾波器層結構(70)，其包含至少一濾波器層(7，7a,7b,7c)，其中濾波器層結構(70)藉由波長範圍小於λ0之輻射的吸收以依據該預定的光譜敏感度分佈(9)來決定該偵測器敏感度(10)之短波長側(101)之特性。此外，設計一種輻射偵測器以依據人類眼睛之光譜敏感度分佈(9)來偵測輻射(8)。半導體本體可以單石方式積體化而成。
简体摘要：一种辐射侦测器，其系依据预定的光谱敏感度分布(9)来侦测辐射(8)，该预定的光谱敏感度分布(9)在一预定的波长λ0时具有最大值，此辐射侦测器包含一种半导体本体(1)，其具有一用来产生该侦测器信号–且用来接收辐射之活性区(5)，其中活性区(5)依据一种实施形式包含多个功能层(4a,4b,4c,4d)，其中各功能层具有不同的能带间隙及／或厚度且各功能层至少一部份可吸收波长范围大于λ0之辐射。依据另一实施形式，活性区之后配置一种滤波器层结构(70)，其包含至少一滤波器层(7，7a,7b,7c)，其中滤波器层结构(70)借由波长范围小于λ0之辐射的吸收以依据该预定的光谱敏感度分布(9)来决定该侦测器敏感度(10)之短波长侧(101)之特性。此外，设计一种辐射侦测器以依据人类眼睛之光谱敏感度分布(9)来侦测辐射(8)。半导体本体可以单石方式积体化而成。

9. 发明专利

TW200534382A 在矽晶片上成長硒化鋅薄膜之方法及該硒化鋅磊晶半導體構造 PROCERS FOR GROWING ZnSe EPITAXY LAYER ON SI SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE THEREBY 失效
简体标题：在硅芯片上成长硒化锌薄膜之方法及该硒化锌磊晶半导体构造 PROCERS FOR GROWING ZnSe EPITAXY LAYER ON SI SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE THEREBY
公开(公告)号：TW200534382A
公开(公告)日：2005-10-16
申请号：TW093110357
申请日：2004-04-14
申请人：智友股份有限公司 WITTY MATE CORPORATION
发明人：楊宗 YANG, TSUNG HSI , 李忠良 LEE, CHUNG LIANG , 楊祝壽 YANG, CHU SHOU , 羅廣禮 GUANGLI LUO , 周武清 CHOU, WU CHING , 張俊彥 CHANG, CHUN YEN , 楊宗燁 YANG, TSUNG YEH
IPC分类号： H01L , C30B
CPC分类号： H01L31/0296 , C30B23/02 , C30B29/48 , C30B29/52 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02505 , H01L21/0256 , H01L21/02568 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L33/0087
摘要：本發明為關於一種能在矽晶片上成長大面積、高品質硒化鋅薄膜之技術，係藉由超高真空化學氣相磊晶法(UHVCVD)於矽晶片上成長矽鍺／鍺磊晶層，最後再以分子束磊晶法(MBE)於該鍺薄膜上成長一硒化鋅磊晶層。本發明之方法包含兩個概念，第一個概念為藉由矽鍺磊晶層之缺陷侷限化，及利用應變界面阻擋因晶格不匹配所產生之缺陷之向上傳遞。此方法可降低硒化鋅薄膜之缺陷密度及改善表面粗糙度。第二個概念為藉由偏角度(off–cut angle)矽基板解決極性材料成長於非極性材料上所產生反相區域(anti–phase domain)之問題，且沒有一般於砷化鎵基板成長時易產生原子互相擴散之問題。
简体摘要：本发明为关于一种能在硅芯片上成长大面积、高品质硒化锌薄膜之技术，系借由超高真空化学气相磊晶法(UHVCVD)于硅芯片上成长硅锗／锗磊晶层，最后再以分子束磊晶法(MBE)于该锗薄膜上成长一硒化锌磊晶层。本发明之方法包含两个概念，第一个概念为借由硅锗磊晶层之缺陷局限化，及利用应变界面阻挡因晶格不匹配所产生之缺陷之向上载递。此方法可降低硒化锌薄膜之缺陷密度及改善表面粗糙度。第二个概念为借由偏角度(off–cut angle)硅基板解决极性材料成长于非极性材料上所产生反相区域(anti–phase domain)之问题，且没有一般于砷化镓基板成长时易产生原子互相扩散之问题。

10. 发明专利

TWI605609B 紫外光感測元件及其製造方法有权
简体标题：紫外光传感组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI605609B
公开(公告)日：2017-11-11
申请号：TW106108088
申请日：2017-03-13
申请人：國立臺灣科技大學
发明人：黃柏仁 , 朱瑾 , 諶又瑄 , 張家豪
IPC分类号： H01L31/101 , H01L27/14
CPC分类号： H01L31/1085 , H01L31/022408 , H01L31/0296 , H01L31/035227 , H01L31/03925

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