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1. 发明专利

TW420835B 半導體製造方法及其製造裝置失效
简体标题：半导体制造方法及其制造设备
公开(公告)号：TW420835B
公开(公告)日：2001-02-01
申请号：TW087108636
申请日：1998-06-02
申请人：松下電器產業股份有限公司
发明人：西川孝司 , 佐佐井洋一 , 北真
IPC分类号： H01L , H01S
CPC分类号： H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/02439 , H01L21/02485 , H01L21/0254 , H01L21/02546 , H01L21/02658
摘要：本發明之課題乃在確實地獲得一種缺陷少之GaN系半導體結晶。
本發明之製造方法，作為基板之前處理，首先係將由面方位為(lll)面之Si所構成的基板ll浸漬於氫氟酸中，形成用以將基板ll主面之懸鏈終端化的H原子層12。其次，將此基板ll搬入MBE裝置中之高真空反應容器內，在搬入之基板ll的H原子層12上，分別供給Ga之分子線及Se之分子線，藉而令由凡德瓦結晶體之GaSe所構成之緩衝層l3成長。而後，中止Se之供給，代之以在基板1l之緩衝層13上，將利用高週波或電子迴旋加速器共振的活化N2氣體作為氮源供給，藉而令由GaN所構成之半導體層14成長。
简体摘要：本发明之课题乃在确实地获得一种缺陷少之GaN系半导体结晶。本发明之制造方法，作为基板之前处理，首先系将由面方位为(lll)面之Si所构成的基板ll浸渍于氢氟酸中，形成用以将基板ll主面之悬链终端化的H原子层12。其次，将此基板ll搬入MBE设备中之高真空反应容器内，在搬入之基板ll的H原子层12上，分别供给Ga之分子线及Se之分子线，藉而令由凡德瓦结晶体之GaSe所构成之缓冲层l3成长。而后，中止Se之供给，代之以在基板1l之缓冲层13上，将利用高周波或电子回旋加速器共振的活化N2气体作为氮源供给，藉而令由GaN所构成之半导体层14成长。

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