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1. 发明专利

TWI573889B 可變半徑的雙磁控管有权
简体标题：可变半径的双磁控管
公开(公告)号：TWI573889B
公开(公告)日：2017-03-11
申请号：TW103102964
申请日：2014-01-27
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：尼古言善X , NGUYEN, THANH X. , 汪榮軍 , WANG, RONGJUN , 拉許德幕哈瑪德M , RASHEED, MUHAMMAD M. , 唐先敏 , TANG, XIANMIN
IPC分类号： C23C14/35 , C23C14/56
CPC分类号： H01J37/3408 , C23C14/35 , C23C14/564 , H01J37/3288 , H01J37/3405 , H01J37/3452 , H01J37/3455 , H01J37/3476

2. 发明专利

TW201441402A 濺鍍設備审中-公开
简体标题：溅镀设备
公开(公告)号：TW201441402A
公开(公告)日：2014-11-01
申请号：TW103106441
申请日：2014-02-26
申请人：濺鍍零件公司 , SPUTTERING COMPONENTS, INC.
发明人：科絡里丹尼爾西奧多 , CROWLEY, DANIEL THEODORE , 摩斯派翠克羅倫斯 , MORSE, PATRICK LAWRENCE , 爵曼約翰羅勃 , GERMAN, JOHN ROBERT
IPC分类号： C23C14/35 , C23C14/54
CPC分类号： H01J37/3455 , H01J37/345 , H01J37/347 , H01J37/3476 , H01J37/3479
摘要：用於旋轉靶陰極的磁控組件包括：剛性支撐結構；磁棒結構，其可移動的附接到剛性支撐結構；以及至少一致動構件，其耦合於剛性支撐結構，並且建構成改變磁棒結構與可旋轉的靶圓柱之表面的距離。磁控組件也包括位置指示構件，其操作成測量磁棒結構相對於可旋轉的靶圓柱之表面的位置。通訊裝置係建構成接收來自磁控組件的外面的命令訊號，並且傳送資訊訊號到磁控組件的外面。
简体摘要：用于旋转靶阴极的磁控组件包括：刚性支撑结构；磁棒结构，其可移动的附接到刚性支撑结构；以及至少一致动构件，其耦合于刚性支撑结构，并且建构成改变磁棒结构与可旋转的靶圆柱之表面的距离。磁控组件也包括位置指示构件，其操作成测量磁棒结构相对于可旋转的靶圆柱之表面的位置。通信设备系建构成接收来自磁控组件的外面的命令信号，并且发送信息信号到磁控组件的外面。

3. 发明专利

TWI602938B 濺鍍用鉭製線圈之再生方法及藉由該再生方法而得之鉭製線圈有权
简体标题：溅镀用钽制线圈之再生方法及借由该再生方法而得之钽制线圈
公开(公告)号：TWI602938B
公开(公告)日：2017-10-21
申请号：TW101134110
申请日：2012-09-18
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：塚本志郎 , TSUKAMOTO, SHIRO
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： H01J37/3476 , C23C14/34 , C23C14/564 , H01J37/32853 , H01J37/3288 , H01J37/34 , H01J37/3447 , Y10T29/49748

4. 发明专利

TW201533255A 穿隧磁阻效應元件之製造方法、及濺鍍裝置审中-公开
简体标题：穿隧磁阻效应组件之制造方法、及溅镀设备
公开(公告)号：TW201533255A
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW103145932
申请日：2014-12-27
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：大谷裕一 , OTANI, YUICHI , 清野拓哉 , SEINO, TAKUYA
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/56
CPC分类号： H01L43/12 , C23C14/081 , C23C14/225 , C23C14/3407 , C23C14/352 , G01R33/0052 , G01R33/098 , G11C11/161 , H01F10/123 , H01F10/3236 , H01F10/3272 , H01F41/307 , H01J37/3426 , H01J37/3435 , H01J37/3476 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10
摘要：於採用絕緣物靶材藉濺鍍法而對於基板進行成膜處理之情況下，減低在基板面內的電阻值等之特性的變異性。進行：於在含基板之表面的面之第1絕緣物靶材的投影面處於第1狀態時，濺鍍該第1絕緣物靶材而進行成膜之第1成膜程序；及於在含基板之表面的面之第2絕緣物靶材的投影面處於與第1狀態有異的第2狀態時，濺鍍該第2絕緣物靶材而進行成膜之第2成膜程序；第2成膜程序，係採取獲得相對於藉第1成膜程序而得之膜的從基板之中心部至周邊部所發生的第1特性變化，展現從基板之中心部至周邊部於至少一部分具有與第1特性變化係相反趨勢的第2特性變化之絕緣膜。
简体摘要：于采用绝缘物靶材藉溅镀法而对于基板进行成膜处理之情况下，减低在基板面内的电阻值等之特性的变异性。进行：于在含基板之表面的面之第1绝缘物靶材的投影面处于第1状态时，溅镀该第1绝缘物靶材而进行成膜之第1成膜进程；及于在含基板之表面的面之第2绝缘物靶材的投影面处于与第1状态有异的第2状态时，溅镀该第2绝缘物靶材而进行成膜之第2成膜进程；第2成膜进程，系采取获得相对于藉第1成膜进程而得之膜的从基板之中心部至周边部所发生的第1特性变化，展现从基板之中心部至周边部于至少一部分具有与第1特性变化系相反趋势的第2特性变化之绝缘膜。

5. 发明专利

TW201416476A 薄膜形成裝置、濺鍍陰極及薄膜形成方法审中-公开
简体标题：薄膜形成设备、溅镀阴极及薄膜形成方法
公开(公告)号：TW201416476A
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：TW102137664
申请日：2013-10-18
申请人：新柯隆股份有限公司 , SHINCRON CO., LTD.
发明人：宮內充祐 , MIYAUCHI, MITSUHIRO , 村田尊則 , MURATA, TAKANORI , 菅原卓哉 , SUGAWARA, TAKUYA , 塩野一郎 , SHIONO, ICHIRO , 姜友松 , JIANG, YOUSONG , 林達也 , HAYASHI, TATSUYA , 長江亦周 , NAGAE, EKISHU
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/56 , C23C14/0042 , C23C14/0047 , C23C14/0089 , C23C14/0652 , C23C14/10 , C23C14/352 , C23C14/562 , H01J37/321 , H01J37/3244 , H01J37/32752 , H01J37/3405 , H01J37/3411 , H01J37/3417 , H01J37/3429 , H01J37/3476
摘要：提供能以高成膜速率於大尺寸基板形成光學多層膜之薄膜形成裝置、濺鍍陰極及薄膜形成方法。一種薄膜形成裝置1，係在真空槽21內，藉由濺鍍於基板43上形成金屬化合物之薄膜。於真空槽21內具備：靶材63a,b，由金屬或具有導電性之金屬化合物構成；以及活性種源，設成與靶材63a,b相互在電磁性及壓力上彼此影響，生成反應性氣體之活性種。活性種源，具備供應反應性氣體之氣體源76,77、以及將能量供應至真空槽內以將反應性氣體激發成電漿狀態之能量源80。能量源80，在與真空槽21之間具備用以將能量供應至真空槽21內之介電體窗，介電體窗，配置成相對基板43平行或相對基板43以90°未滿之角度往靶材63a,b側傾斜。
简体摘要：提供能以高成膜速率于大尺寸基板形成光学多层膜之薄膜形成设备、溅镀阴极及薄膜形成方法。一种薄膜形成设备1，系在真空槽21内，借由溅镀于基板43上形成金属化合物之薄膜。于真空槽21内具备：靶材63a,b，由金属或具有导电性之金属化合物构成；以及活性种源，设成与靶材63a,b相互在电磁性及压力上彼此影响，生成反应性气体之活性种。活性种源，具备供应反应性气体之气体源76,77、以及将能量供应至真空槽内以将反应性气体激发成等离子状态之能量源80。能量源80，在与真空槽21之间具备用以将能量供应至真空槽21内之介电体窗，介电体窗，配置成相对基板43平行或相对基板43以90°未满之角度往靶材63a,b侧倾斜。

6. 发明专利

TW201241214A 濺射裝置审中-公开
简体标题：溅射设备
公开(公告)号：TW201241214A
公开(公告)日：2012-10-16
申请号：TW100148917
申请日：2011-12-27
申请人：佳能安內華股份有限公司
发明人：澀谷陽介
IPC分类号： C23C
CPC分类号： H01J37/3476 , B08B7/00 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , C23C14/35 , C23C14/564 , H01J37/3405 , H01J37/3455 , H01J37/3461 , H01J37/3482 , H01J37/3485
摘要：本發明是在於提供一種可判定靶的表面狀態來正確且迅速地實行必要的部分的淨化之手段。具備：磁石單元(4)，其係可在靶(5)的表面形成磁場；旋轉系(8)，其係驅動磁石單元，可變更在靶表面的磁場的形成位置及強度所對應的磁場形成圖案；及電流計(59)，其係計測藉由磁石單元來使形成磁場，對靶所安裝的靶電極施加放電用電壓時的靶電流。藉由旋轉系來使磁石單元的位置變化成各式各樣，在各位置計測靶電流來與基準值作比較，藉此判定各位置的淨化需要與否，可只對必要的部分實施淨化。
简体摘要：本发明是在于提供一种可判定靶的表面状态来正确且迅速地实行必要的部分的净化之手段。具备：磁石单元(4)，其系可在靶(5)的表面形成磁场；旋转系(8)，其系驱动磁石单元，可变更在靶表面的磁场的形成位置及强度所对应的磁场形成图案；及电流计(59)，其系计测借由磁石单元来使形成磁场，对靶所安装的靶电极施加放电用电压时的靶电流。借由旋转系来使磁石单元的位置变化成各式各样，在各位置计测靶电流来与基准值作比较，借此判定各位置的净化需要与否，可只对必要的部分实施净化。

7. 发明专利

TW410369B 用於預先濺鍍蝕刻氣室之電弧噴鍍遮蔽失效
简体标题：用于预先溅镀蚀刻气室之电弧喷镀屏蔽
公开(公告)号：TW410369B
公开(公告)日：2000-11-01
申请号：TW084114003
申请日：1995-12-28
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：林正坤 , 陳傳懷 , 楊進賢
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/34 , H01J37/3411 , H01J37/3438 , H01J37/3476
摘要：在單一晶圓蝕刻機中，藉由塗覆一層電弧噴鍍(arc- spray，或噴弧)材料(例如鋁)於整個濺鍍遮蔽的內部，因沈積微粒物質所引起的污染則可大幅地降低;該電弧噴鍍材料層具有高度的表面粗糙度。本發明描述形成電弧噴鍍鋁塗覆的方法，並發表採用本發明前後所得之粒子污染量的比較資料。
简体摘要：在单一晶圆蚀刻机中，借由涂覆一层电弧喷镀(arc- spray，或喷弧)材料(例如铝)于整个溅镀屏蔽的内部，因沉积微粒物质所引起的污染则可大幅地降低;该电弧喷镀材料层具有高度的表面粗糙度。本发明描述形成电弧喷镀铝涂覆的方法，并发表采用本发明前后所得之粒子污染量的比较数据。

8. 发明专利

TW201803641A 藉由動態磁控管控制的物理氣相沉積電漿能量控制审中-公开
简体标题：借由动态磁控管控制的物理气相沉积等离子能量控制
公开(公告)号：TW201803641A
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW106120881
申请日：2017-06-22
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：萊克馬丁李 , RIKER, MARTIN LEE , 米勒凱斯A , MILLER, KEITH A. , 卡亞卡史瑞坎特 , GAYAKA, SHREEKANT , 強森卡羅R , JOHNSON, CARL R.
IPC分类号： B01J19/08 , C23C14/35
CPC分类号： H01J37/3476 , C23C14/35 , C23C14/541 , C23C14/542 , C23C14/5806 , H01J37/32027 , H01J37/32082 , H01J37/3266 , H01J37/32697 , H01J37/32715 , H01J37/3455 , H01J2237/334 , H01L21/2855 , H01L21/3065 , H01L22/26
摘要：本案描述用於控制處理腔室內的基板的處理的方法、設備和系統。在一些實施例中，控制處理腔室內的基板處理的方法包括以下步驟：決定處理腔室中的磁控管相對於基板的表面上的參考位置之一位置及基於所決定的磁控管的位置來調變影響基板處理的至少一個電源供應的功率參數，以控制例如基板處理的沉積速率或蝕刻速率中的至少一個。在一個實施例中，調變功率參數是以下各者中的至少一個的功率設定點：直流（DC）源功率、射頻（RF）偏壓功率、直流屏蔽偏壓電壓或至少一個電源供應的電磁線圈電流。
简体摘要：本案描述用于控制处理腔室内的基板的处理的方法、设备和系统。在一些实施例中，控制处理腔室内的基板处理的方法包括以下步骤：决定处理腔室中的磁控管相对于基板的表面上的参考位置之一位置及基于所决定的磁控管的位置来调制影响基板处理的至少一个电源供应的功率参数，以控制例如基板处理的沉积速率或蚀刻速率中的至少一个。在一个实施例中，调制功率参数是以下各者中的至少一个的功率设置点：直流（DC）源功率、射频（RF）偏压功率、直流屏蔽偏压电压或至少一个电源供应的电磁线圈电流。

9. 发明专利

TWI612164B 濺鍍設備有权
简体标题：溅镀设备
公开(公告)号：TWI612164B
公开(公告)日：2018-01-21
申请号：TW103106441
申请日：2014-02-26
申请人：濺鍍零件公司 , SPUTTERING COMPONENTS, INC.
发明人：科絡里丹尼爾西奧多 , CROWLEY, DANIEL THEODORE , 摩斯派翠克羅倫斯 , MORSE, PATRICK LAWRENCE , 爵曼約翰羅勃 , GERMAN, JOHN ROBERT
IPC分类号： C23C14/35 , C23C14/54
CPC分类号： H01J37/3455 , H01J37/345 , H01J37/347 , H01J37/3476 , H01J37/3479

10. 发明专利

TW201802276A 濺射沉積源、濺射沉積設備及操作濺射沉積源之方法审中-公开
简体标题：溅射沉积源、溅射沉积设备及操作溅射沉积源之方法
公开(公告)号：TW201802276A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106120913
申请日：2017-06-22
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：林登博克雷波 , LINDENBERG, RALPH , 布許貝克渥福剛 , BUSCHBECK, WOLFGANG , 露博安德率斯 , LOPP, ANDREAS
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/54
CPC分类号： H01J37/3417 , H01J37/342 , H01J37/3476
摘要：根據本揭露之一方面，提供一種具有至少一電極組件之濺射沈積源，此至少一電極組件裝配以用於雙側濺射沈積。電極組件包括：一陰極，用以提供一將沈積之靶材材料，其中陰極裝配以用於產生一第一電漿於一第一沈積側上及一第二電漿於相反於第一沈積側之一第二沈積側上；以及一陽極組件，具有至少一第一陽極及至少一第二電極，此至少一第一陽極配置於第一沈積側上，用以影響第一電漿，此至少一第二陽極配置於第二沈積側上，用以影響第二電漿。根據一第二方面，提供一種具有一濺射沈積源之沈積設備。再者，提供數個操作一濺射沈積源之方法。
简体摘要：根据本揭露之一方面，提供一种具有至少一电极组件之溅射沉积源，此至少一电极组件装配以用于双侧溅射沉积。电极组件包括：一阴极，用以提供一将沉积之靶材材料，其中阴极装配以用于产生一第一等离子于一第一沉积侧上及一第二等离子于相反于第一沉积侧之一第二沉积侧上；以及一阳极组件，具有至少一第一阳极及至少一第二电极，此至少一第一阳极配置于第一沉积侧上，用以影响第一等离子，此至少一第二阳极配置于第二沉积侧上，用以影响第二等离子。根据一第二方面，提供一种具有一溅射沉积源之沉积设备。再者，提供数个操作一溅射沉积源之方法。

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