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1. 发明专利

TW201947589A 磁性穿隧接合結構及其製造方法审中-公开
简体标题：磁性穿隧接合结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201947589A
公开(公告)日：2019-12-16
申请号：TW108113704
申请日：2019-04-19
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：薛林 , XUE, LIN , 程志康 , CHING, CHI HONG , 汪榮軍 , WANG, RONGJUN , 帕卡拉瑪亨德拉 , PAKALA, MAHENDRA
IPC分类号： G11C11/15 , H01L43/12 , H01L21/8246
摘要：本文討論之磁性穿隧接合(MTJ)結構的實施例採用了鉻(Cr)、NiCr、NiFeCr、RuCr、IrCr或CoCr或前述者之組合的一或多個層之種晶層。這些種晶層與一或多個釘紮層組合使用，與該種晶層接觸之第一釘紮層可含有鈷的單層，或可含有鈷與鈷及鉑(Pt)、銥(Ir)、鎳(Ni)或鈀(Pd)的雙層之組合。第二釘紮層可為與第一釘紮層相同的成分和配置，或可為不同的成分或配置。本文討論之MTJ層疊在高溫退火後維持期望的磁特性。
简体摘要：本文讨论之磁性穿隧接合(MTJ)结构的实施例采用了铬(Cr)、NiCr、NiFeCr、RuCr、IrCr或CoCr或前述者之组合的一或多个层之种晶层。这些种晶层与一或多个钉扎层组合使用，与该种晶层接触之第一钉扎层可含有钴的单层，或可含有钴与钴及铂(Pt)、铱(Ir)、镍(Ni)或钯(Pd)的双层之组合。第二钉扎层可为与第一钉扎层相同的成分和配置，或可为不同的成分或配置。本文讨论之MTJ层叠在高温退火后维持期望的磁特性。

2. 发明专利

TW201708611A 經由物理氣相沉積製程沉積介電膜的方法审中-公开
简体标题：经由物理气相沉积制程沉积介电膜的方法
公开(公告)号：TW201708611A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105118944
申请日：2016-06-16
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：曾為民 , ZENG, WEIMIN , 尼古言善X , NGUYEN, THANH X. , 程亞娜 , CHENG, YANA , 曹勇 , CAO, YONG , 迪爾丹尼爾李 , DIEHL, DANIEL LEE , 古吉拉史瑞尼瓦思 , GUGGILLA, SRINIVAS , 汪榮軍 , WANG, RONGJUN , 唐先敏 , TANG, XIANMIN
IPC分类号： C23C28/00 , C23C14/34 , C23C16/513
CPC分类号： H01L21/0234 , H01L21/0214 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02183 , H01L21/02186 , H01L21/02266
摘要：在一些實施例中，一種在物理氣相沉積製程腔室中處理安置在基板支撐件之頂部上的基板之方法包括：(a)經由物理氣相沉積製程在基板之第一表面之頂部上沉積介電層至第一厚度；(b)向物理氣相沉積製程腔室之處理區域提供第一電漿形成氣體，其中第一電漿形成氣體包含氫，而不包含碳；(c)向基板支撐件提供第一量之偏壓功率以自物理氣相沉積製程腔室之處理區域內的第一電漿形成氣體形成第一電漿；(d)使介電層曝露於第一電漿中；以及(e)重複(a)至(d)來沉積介電膜至最終厚度。
简体摘要：在一些实施例中，一种在物理气相沉积制程腔室中处理安置在基板支撑件之顶部上的基板之方法包括：(a)经由物理气相沉积制程在基板之第一表面之顶部上沉积介电层至第一厚度；(b)向物理气相沉积制程腔室之处理区域提供第一等离子形成气体，其中第一等离子形成气体包含氢，而不包含碳；(c)向基板支撑件提供第一量之偏压功率以自物理气相沉积制程腔室之处理区域内的第一等离子形成气体形成第一等离子；(d)使介电层曝露于第一等离子中；以及(e)重复(a)至(d)来沉积介电膜至最终厚度。

3. 发明专利

TW202018110A 具有減少電弧的物理氣相沉積(PVD)腔室审中-公开
简体标题：具有减少电弧的物理气相沉积(PVD)腔室
公开(公告)号：TW202018110A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW108128210
申请日：2019-08-08
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：杜超 , DU, CHAO , 曹勇 , CAO, YONG , 龔晨 , GONG, CHEN , 李明東 , LI, MINGDONG , 張富宏 , ZHANG, FUHONG , 汪榮軍 , WANG, RONGJUN , 唐先敏 , TANG, XIANMIN
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/56
摘要：此處提供處理腔室的實施例。在一些實施例中，處理腔室包含：腔室主體，該腔室主體具有內部容積；基板支撐，該基板支撐設置於該內部容積中；目標，該目標設置於該內部容積內且相對於該基板支撐；處理屏蔽，該處理屏蔽設置於該內部容積中且具有環繞該目標的上部分及環繞該基板支撐的下部分，該上部分具有大於該目標的外直徑的內直徑以界定該處理屏蔽及該目標之間的空隙；及氣體入口，該氣體入口經由該空隙或跨該空隙的前開口提供氣體至該內部容積，以在使用期間實質防止來自該內部容積的顆粒進入該空隙。
简体摘要：此处提供处理腔室的实施例。在一些实施例中，处理腔室包含：腔室主体，该腔室主体具有内部容积；基板支撑，该基板支撑设置于该内部容积中；目标，该目标设置于该内部容积内且相对于该基板支撑；处理屏蔽，该处理屏蔽设置于该内部容积中且具有环绕该目标的上部分及环绕该基板支撑的下部分，该上部分具有大于该目标的外直径的内直径以界定该处理屏蔽及该目标之间的空隙；及气体入口，该气体入口经由该空隙或跨该空隙的前开口提供气体至该内部容积，以在使用期间实质防止来自该内部容积的颗粒进入该空隙。

4. 发明专利

TW202011623A 具有耦合釘紮層晶格匹配的磁性穿隧接面审中-公开
简体标题：具有耦合钉扎层晶格匹配的磁性穿隧接面
公开(公告)号：TW202011623A
公开(公告)日：2020-03-16
申请号：TW108112614
申请日：2019-04-11
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：薛林 , XUE, LIN , 程志康 , CHING, CHI HONG , 汪榮軍 , WANG, RONGJUN , 帕卡拉瑪亨德拉 , PAKALA, MAHENDRA
IPC分类号： H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10
摘要：本文討論之磁性穿隧接面(MTJ)結構之實施例採用第一釘紮層及第二釘紮層，其間設置有合成抗亞鐵磁層。與種晶層接觸之第一釘紮層可含有鉑或鈀之單層，單獨或與鈷和鉑(Pt)、鎳(Ni)或鈀(Pd)或前述者之組合或前述者之合金的一或多個雙層結合。第一釘紮層及第二釘紮層可具有不同的成分或構造，使得第一釘紮層具有比第二釘紮層更高的磁性材料含量，及/或比第二釘紮層更厚。本文討論之MTJ層疊在高溫退火後維持了期望的磁性質。
简体摘要：本文讨论之磁性穿隧接面(MTJ)结构之实施例采用第一钉扎层及第二钉扎层，其间设置有合成抗亚铁磁层。与种晶层接触之第一钉扎层可含有铂或钯之单层，单独或与钴和铂(Pt)、镍(Ni)或钯(Pd)或前述者之组合或前述者之合金的一或多个双层结合。第一钉扎层及第二钉扎层可具有不同的成分或构造，使得第一钉扎层具有比第二钉扎层更高的磁性材料含量，及/或比第二钉扎层更厚。本文讨论之MTJ层叠在高温退火后维持了期望的磁性质。

5. 发明专利

TW201840875A 減少介電質濺射中的缺陷的糊貼方法审中-公开
简体标题：减少介电质溅射中的缺陷的煳贴方法
公开(公告)号：TW201840875A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW107104289
申请日：2018-02-07
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：王曉東 , WANG, XIAODONG , 汪榮軍 , WANG, RONGJUN , 吳寒冰 , WU, HANBING
IPC分类号： C23C14/18 , C23C14/34 , C23C14/56 , H01J37/32
摘要：用於利用RF供能製程的沉積腔室的鉭(Ta)靶材糊貼製程的實施例包括在利用RF濺射以沉積介電材料於晶圓上後以Ta糊貼製程腔室的內部表面的至少一部分。製程腔室中的壓力水平經調整以最大化Ta糊貼層的覆蓋。Ta糊貼封圍已經不經意間濺射於例如遮蔽件的製程腔室內部表面上的介電材料。接著流動氧進入製程腔室中以形成氧化鉭層於Ta糊貼層上，以進一步減少污染與顆粒生成。
简体摘要：用于利用RF供能制程的沉积腔室的钽(Ta)靶材煳贴制程的实施例包括在利用RF溅射以沉积介电材料于晶圆上后以Ta煳贴制程腔室的内部表面的至少一部分。制程腔室中的压力水平经调整以最大化Ta煳贴层的覆盖。Ta煳贴封围已经不经意间溅射于例如屏蔽件的制程腔室内部表面上的介电材料。接着流动氧进入制程腔室中以形成氧化钽层于Ta煳贴层上，以进一步减少污染与颗粒生成。

6. 发明专利

TW201833360A 用於多陰極基板處理的方法及設備审中-公开
简体标题：用于多阴极基板处理的方法及设备
公开(公告)号：TW201833360A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW107104624
申请日：2018-02-09
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：吳寒冰 , WU, HANBING , 沙布藍尼安納薩K , SUBRAMANI, ANANTHA K. , 戈埃爾艾希思 , GOEL, ASHISH , 王曉東 , WANG, XIAODONG , 王偉 , WANG, WEI W. , 汪榮軍 , WANG, RONGJUN , 程志康 , CHING, CHI HONG
IPC分类号： C23C14/56 , H01L21/67 , C23C14/34
摘要：利用多陰極腔室處理基板的方法和設備。多陰極腔室包括具有複數個孔和複數個分流器的屏蔽件。屏蔽件是可旋轉的，以定向孔和分流器，其中複數個陰極位於屏蔽件上方。分流器與來自陰極的磁體相互作用，以防止處理期間的干擾。可升高和降低屏蔽件以調節在陰極的靶和孔之間的間隙，以在處理期間提供暗空間。
简体摘要：利用多阴极腔室处理基板的方法和设备。多阴极腔室包括具有复数个孔和复数个分流器的屏蔽件。屏蔽件是可旋转的，以定向孔和分流器，其中复数个阴极位于屏蔽件上方。分流器与来自阴极的磁体相互作用，以防止处理期间的干扰。可升高和降低屏蔽件以调节在阴极的靶和孔之间的间隙，以在处理期间提供暗空间。

7. 发明专利

TW201433650A 可變半徑的雙磁控管审中-公开
简体标题：可变半径的双磁控管
公开(公告)号：TW201433650A
公开(公告)日：2014-09-01
申请号：TW103102964
申请日：2014-01-27
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：尼古言善X , NGUYEN, THANH X. , 汪榮軍 , WANG, RONGJUN , 拉許德幕哈瑪德M , RASHEED, MUHAMMAD M. , 唐先敏 , TANG, XIANMIN
IPC分类号： C23C14/35 , C23C14/56
CPC分类号： H01J37/3408 , C23C14/35 , C23C14/564 , H01J37/3288 , H01J37/3405 , H01J37/3452 , H01J37/3455 , H01J37/3476
摘要：雙磁控管，特別有用於RF電漿濺鍍，包含：一徑向靜止開路磁控管(82)，包含相對磁極(90、92)且繞中央軸(14)旋轉以掃描濺鍍目標(20)之外部；及一徑向可移動式開路磁控管(84)，包含相對磁極(96、98)且與該靜止磁控管一起旋轉。在處理期間(第2圖)，該可移動式磁控管以一開口端鄰接於該靜止磁控管之一開口端徑向地放置於外部區域中，以形成單一開路磁控管。在清理期間(第3圖)，該可移動式磁控管之部分徑向地向內移動以掃描及清理目標未被該靜止磁控管掃描之內部區域。該可移動式磁控管可裝設於一臂(114)上，該臂於一旋轉碟狀平板(100)之週邊處繞一軸(118)轉動，該靜止磁控管裝設於該碟狀平板，使得該臂離心地根據旋轉速率或方向在徑向位置間移動。
简体摘要：双磁控管，特别有用于RF等离子溅镀，包含：一径向静止开路磁控管(82)，包含相对磁极(90、92)且绕中央轴(14)旋转以扫描溅镀目标(20)之外部；及一径向可移动式开路磁控管(84)，包含相对磁极(96、98)且与该静止磁控管一起旋转。在处理期间(第2图)，该可移动式磁控管以一开口端邻接于该静止磁控管之一开口端径向地放置于外部区域中，以形成单一开路磁控管。在清理期间(第3图)，该可移动式磁控管之部分径向地向内移动以扫描及清理目标未被该静止磁控管扫描之内部区域。该可移动式磁控管可装设于一臂(114)上，该臂于一旋转碟状平板(100)之周边处绕一轴(118)转动，该静止磁控管装设于该碟状平板，使得该臂离心地根据旋转速率或方向在径向位置间移动。

8. 发明专利

TW201830483A 透過物理氣相沉積沉積非晶矽層或碳氧化矽層的方法审中-公开
简体标题：透过物理气相沉积沉积非晶硅层或碳氧化硅层的方法
公开(公告)号：TW201830483A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106139911
申请日：2017-11-17
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：曾為民 , ZENG, WEIMIN , 曹勇 , CAO, YONG , 迪爾丹尼爾李 , DIEHL, DANIEL LEE , 戴輝雄 , DAI, HUIXIONG , 梵寇 , PHAN, KHOI , 倪克里斯多夫 , NGAI, CHRISTOPHER , 汪榮軍 , WANG, RONGJUN , 唐先敏 , TANG, XIANMIN
IPC分类号： H01L21/203
摘要：在一些實施例中，在物理氣相沉積製程腔室中處理設置在基板支撐件的頂部上之基板的方法包括以下步驟：（a）在物理氣相沉積腔室的處理區域內由製程氣體形成電漿，其中製程氣體包含惰性氣體以及含氫氣體，以在物理氣相沉積腔室的處理區域內從靶材表面濺射矽；以及（b）在基板上的第一層的頂部上沉積非晶矽層，其中調整含氫氣體的流動速率以調節經沉積的非晶矽層的光學性質。
简体摘要：在一些实施例中，在物理气相沉积制程腔室中处理设置在基板支撑件的顶部上之基板的方法包括以下步骤：（a）在物理气相沉积腔室的处理区域内由制程气体形成等离子，其中制程气体包含惰性气体以及含氢气体，以在物理气相沉积腔室的处理区域内从靶材表面溅射硅；以及（b）在基板上的第一层的顶部上沉积非晶硅层，其中调整含氢气体的流动速率以调节经沉积的非晶硅层的光学性质。

9. 发明专利

TW201732063A 用於處理基板的方法與設備审中-公开
简体标题：用于处理基板的方法与设备
公开(公告)号：TW201732063A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105141667
申请日：2016-12-16
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：汪榮軍 , WANG, RONGJUN , 沙布藍尼安納薩K , SUBRAMANI, ANANTHA K. , 程志康 , CHING, CHI HONG , 唐先敏 , TANG, XIANMIN
IPC分类号： C23C14/34 , H01J37/32 , H01L21/02
CPC分类号： H01J37/3441 , C23C14/082 , C23C14/3407 , C23C14/3464 , H01J37/32477 , H01J37/3429
摘要：於此揭露用於處理基板的方法及設備。在一些實施例中，處理腔室包含：一腔室主體，該腔室主體界定一內部容積；一基板支撐件，該基板支撐件在該內部容積內支撐一基板；複數個陰極，該複數個陰極耦合至該腔室主體且具有對應的複數個標的以受噴濺至該基板上；及一屏蔽，該屏蔽可旋轉地耦合至該腔室主體的上方部分且具有至少一個孔洞以曝露受噴濺的該複數個標的之其中至少一者，及設置於該屏蔽的背側中的至少一個袋部以容納及覆蓋未受噴濺的該複數個標的之其中至少另一者，其中該屏蔽經配置以繞著該處理腔室的一中央軸旋轉及沿著該處理腔室的該中央軸線性移動。
简体摘要：于此揭露用于处理基板的方法及设备。在一些实施例中，处理腔室包含：一腔室主体，该腔室主体界定一内部容积；一基板支撑件，该基板支撑件在该内部容积内支撑一基板；复数个阴极，该复数个阴极耦合至该腔室主体且具有对应的复数个标的以受喷溅至该基板上；及一屏蔽，该屏蔽可旋转地耦合至该腔室主体的上方部分且具有至少一个孔洞以曝露受喷溅的该复数个标的之其中至少一者，及设置于该屏蔽的背侧中的至少一个袋部以容纳及覆盖未受喷溅的该复数个标的之其中至少另一者，其中该屏蔽经配置以绕着该处理腔室的一中央轴旋转及沿着该处理腔室的该中央轴线性移动。

10. 发明专利

TW201711181A 用於形成供磁阻隨機存取記憶體應用之具期望結晶性之結構之方法审中-公开
简体标题：用于形成供磁阻随机存取内存应用之具期望结晶性之结构之方法
公开(公告)号：TW201711181A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW105122167
申请日：2016-07-14
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：薛林 , XUE, LIN , 安在洙 , AHN, JAESOO , 帕卡拉瑪亨德拉 , PAKALA, MAHENDRA , 程志康 , CHING, CHI HONG , 汪榮軍 , WANG, RONGJUN
IPC分类号： H01L27/22 , H01L43/00
CPC分类号： H01L43/12 , H01F10/14 , H01F10/3222 , H01L43/08 , H01L43/10
摘要：本公開的實施方式提供用於在基板上製造自旋轉移扭矩磁阻隨機存取記憶體（STT-MRAM）應用中使用的磁穿隧接面（MTJ）結構的方法和裝置。在一個實施方式中，該方法包括：將設置在基板上的具有穿隧阻障層設置在磁基準層與磁存儲層之間的薄膜堆疊體圖案化，以將該薄膜堆疊體的一部分從該基板上去除，直到暴露該基板的上表面；在經圖案化的薄膜堆疊體的側壁上形成側壁鈍化層；以及隨後對該薄膜堆疊體執行熱退火製程。
简体摘要：本公开的实施方式提供用于在基板上制造自旋转移扭矩磁阻随机存取内存（STT-MRAM）应用中使用的磁穿隧接面（MTJ）结构的方法和设备。在一个实施方式中，该方法包括：将设置在基板上的具有穿隧阻障层设置在磁基准层与磁存储层之间的薄膜堆栈体图案化，以将该薄膜堆栈体的一部分从该基板上去除，直到暴露该基板的上表面；在经图案化的薄膜堆栈体的侧壁上形成侧壁钝化层；以及随后对该薄膜堆栈体运行热退火制程。

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