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1. 发明专利

TW201416476A 薄膜形成裝置、濺鍍陰極及薄膜形成方法审中-公开
简体标题：薄膜形成设备、溅镀阴极及薄膜形成方法
公开(公告)号：TW201416476A
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：TW102137664
申请日：2013-10-18
申请人：新柯隆股份有限公司 , SHINCRON CO., LTD.
发明人：宮內充祐 , MIYAUCHI, MITSUHIRO , 村田尊則 , MURATA, TAKANORI , 菅原卓哉 , SUGAWARA, TAKUYA , 塩野一郎 , SHIONO, ICHIRO , 姜友松 , JIANG, YOUSONG , 林達也 , HAYASHI, TATSUYA , 長江亦周 , NAGAE, EKISHU
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/56 , C23C14/0042 , C23C14/0047 , C23C14/0089 , C23C14/0652 , C23C14/10 , C23C14/352 , C23C14/562 , H01J37/321 , H01J37/3244 , H01J37/32752 , H01J37/3405 , H01J37/3411 , H01J37/3417 , H01J37/3429 , H01J37/3476
摘要：提供能以高成膜速率於大尺寸基板形成光學多層膜之薄膜形成裝置、濺鍍陰極及薄膜形成方法。一種薄膜形成裝置1，係在真空槽21內，藉由濺鍍於基板43上形成金屬化合物之薄膜。於真空槽21內具備：靶材63a,b，由金屬或具有導電性之金屬化合物構成；以及活性種源，設成與靶材63a,b相互在電磁性及壓力上彼此影響，生成反應性氣體之活性種。活性種源，具備供應反應性氣體之氣體源76,77、以及將能量供應至真空槽內以將反應性氣體激發成電漿狀態之能量源80。能量源80，在與真空槽21之間具備用以將能量供應至真空槽21內之介電體窗，介電體窗，配置成相對基板43平行或相對基板43以90°未滿之角度往靶材63a,b側傾斜。
简体摘要：提供能以高成膜速率于大尺寸基板形成光学多层膜之薄膜形成设备、溅镀阴极及薄膜形成方法。一种薄膜形成设备1，系在真空槽21内，借由溅镀于基板43上形成金属化合物之薄膜。于真空槽21内具备：靶材63a,b，由金属或具有导电性之金属化合物构成；以及活性种源，设成与靶材63a,b相互在电磁性及压力上彼此影响，生成反应性气体之活性种。活性种源，具备供应反应性气体之气体源76,77、以及将能量供应至真空槽内以将反应性气体激发成等离子状态之能量源80。能量源80，在与真空槽21之间具备用以将能量供应至真空槽21内之介电体窗，介电体窗，配置成相对基板43平行或相对基板43以90°未满之角度往靶材63a,b侧倾斜。

2. 发明专利

TWI565817B 薄膜形成裝置、濺鍍陰極及薄膜形成方法有权
简体标题：薄膜形成设备、溅镀阴极及薄膜形成方法
公开(公告)号：TWI565817B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：TW102137664
申请日：2013-10-18
申请人：新柯隆股份有限公司 , SHINCRON CO., LTD.
发明人：宮內充祐 , MIYAUCHI, MITSUHIRO , 村田尊則 , MURATA, TAKANORI , 菅原卓哉 , SUGAWARA, TAKUYA , 塩野一郎 , SHIONO, ICHIRO , 姜友松 , JIANG, YOUSONG , 林達也 , HAYASHI, TATSUYA , 長江亦周 , NAGAE, EKISHU
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/56 , C23C14/0042 , C23C14/0047 , C23C14/0089 , C23C14/0652 , C23C14/10 , C23C14/352 , C23C14/562 , H01J37/321 , H01J37/3244 , H01J37/32752 , H01J37/3405 , H01J37/3411 , H01J37/3417 , H01J37/3429 , H01J37/3476

3. 发明专利

TW201006943A 光學薄膜蒸鍍裝置及光學薄膜之製造方法审中-公开
简体标题：光学薄膜蒸镀设备及光学薄膜之制造方法
公开(公告)号：TW201006943A
公开(公告)日：2010-02-16
申请号：TW098127558
申请日：2009-08-17
申请人：新柯隆股份有限公司
发明人：長江亦周 , 姜友松 , 塩野一郎 , 清水匡之 , 林達也 , 古川誠 , 村田尊則
IPC分类号： C23C , G02B
CPC分类号： C23C14/22 , C23C14/083 , C23C14/10 , C23C14/221 , C23C14/225 , H01J2237/0041 , H01J2237/3132
摘要：本發明係提供一種可製造具有良好光學特性之光學薄膜之光學薄膜蒸鍍裝置、及一種製造花費低廉且具有良好光學特性之光學薄膜之製造方法。一種於真空容器10內將蒸鍍物質蒸鍍至基體14之光學薄膜蒸鍍裝置，其係具備配置於真空容器10內且用以保持基體14之穹型基體保持手段12、使基體保持手段12旋轉之旋轉手段、面對基體14設置之蒸鍍手段34、對基體14照射離子之離子源38、對基體14照射電子之中和器40。離子源38係配置於以下位置：離子從離子源38照射出之軸線的角度相對於基體14表面之垂直線為8°以上且40°以下，且基體保持手段旋轉軸中心與離子源38中心之垂直方向的距離相對於基體保持手段12之直徑的比為0.5以上且1.2以下之範圍之位置。
简体摘要：本发明系提供一种可制造具有良好光学特性之光学薄膜之光学薄膜蒸镀设备、及一种制造花费低廉且具有良好光学特性之光学薄膜之制造方法。一种于真空容器10内将蒸镀物质蒸镀至基体14之光学薄膜蒸镀设备，其系具备配置于真空容器10内且用以保持基体14之穹型基体保持手段12、使基体保持手段12旋转之旋转手段、面对基体14设置之蒸镀手段34、对基体14照射离子之离子源38、对基体14照射电子之中和器40。离子源38系配置于以下位置：离子从离子源38照射出之轴线的角度相对于基体14表面之垂直线为8°以上且40°以下，且基体保持手段旋转轴中心与离子源38中心之垂直方向的距离相对于基体保持手段12之直径的比为0.5以上且1.2以下之范围之位置。

4. 发明专利

TWI345590B 蒸鍍裝置及薄膜元件之製造方法有权
简体标题：蒸镀设备及薄膜组件之制造方法
公开(公告)号：TWI345590B
公开(公告)日：2011-07-21
申请号：TW098120054
申请日：2009-06-16
申请人：新柯隆股份有限公司
发明人：塩野一郎 , 姜友松 , 長江亦周 , 本多博光 , 村田尊則
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C14/30 , C23C14/0031 , C23C14/083 , C23C14/10 , C23C14/22 , G02B5/285
摘要：本發明係提供一種可隨時間地控制成膜條件之蒸鍍裝置1。
該蒸鍍裝置1係具備：支持於接地之真空容器10內之基板保持具12、保持於基板保持具12之基板14、離開基板14並與其相對向之蒸發源34、36、對基板14照射離子之離子槍38、對基板14照射電子之中和器40；其中，真空容器10係具備對真空容器10電氣懸浮之內壁30，中和器40係與離子槍38分開配置於真空容器10內側之側面側。
简体摘要：本发明系提供一种可随时间地控制成膜条件之蒸镀设备1。该蒸镀设备1系具备：支持于接地之真空容器10内之基板保持具12、保持于基板保持具12之基板14、离开基板14并与其相对向之蒸发源34、36、对基板14照射离子之离子枪38、对基板14照射电子之中和器40；其中，真空容器10系具备对真空容器10电气悬浮之内壁30，中和器40系与离子枪38分开配置于真空容器10内侧之侧面侧。

5. 发明专利

TWI318242B 薄膜形成裝置及薄膜形成方法 THIN FILM DEPOSITION APPARATUS AND THIN FILM DEPOSITION METHOD 有权
简体标题：薄膜形成设备及薄膜形成方法 THIN FILM DEPOSITION APPARATUS AND THIN FILM DEPOSITION METHOD
公开(公告)号：TWI318242B
公开(公告)日：2009-12-11
申请号：TW093115057
申请日：2004-05-27
申请人：新柯隆股份有限公司
发明人：宋亦周 , 櫻井武 , 村田尊則
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C14/0036 , C23C14/0078 , C23C14/083 , C23C14/10 , C23C14/352 , C23C14/358 , C23C14/564 , C23C14/568 , C23C14/5853 , C23C16/4404 , H01J37/32082 , H01J37/32467 , H01J37/32477 , H01L21/318 , H05H1/46
摘要：本發明之薄膜形成裝置(1)係具備：內部維持真空之真空容器(11)、將反應性氣體導入該真空容器(11)內之氣體導入機構(76)、以及在真空容器(11)內產生反應性氣體的電漿之電漿產生機構(61)，且在該真空容器(11)內之壁面被覆熱解氮化硼(P)。
简体摘要：本发明之薄膜形成设备(1)系具备：内部维持真空之真空容器(11)、将反应性气体导入该真空容器(11)内之气体导入机构(76)、以及在真空容器(11)内产生反应性气体的等离子之等离子产生机构(61)，且在该真空容器(11)内之壁面被覆热解氮化硼(P)。

6. 发明专利

TWI344996B 蒸鍍裝置及薄膜元件之製造方法有权
简体标题：蒸镀设备及薄膜组件之制造方法
公开(公告)号：TWI344996B
公开(公告)日：2011-07-11
申请号：TW098120055
申请日：2009-06-16
申请人：新柯隆股份有限公司
发明人：塩野一郎 , 姜友松 , 本多博光 , 村田尊則
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C14/30 , C23C14/083 , C23C14/10 , C23C14/22 , G02B1/115 , G02B5/285 , H01J37/32422
摘要：本發明係提供一種可抑制成膜條件之蒸鍍裝置1。
該蒸鍍裝置1，係具備：於接地之真空容器10內所支持之基板保持具12、保持於基板保持具12之基板14、離開基板14而相對向之蒸發源34、36、對基板14照射離子之離子槍38、與對基板14照射電子之中和器40，其中，於。離子槍38及中和器40，分別安裝有照射離子導引構件50及照射電子導引構件52。
简体摘要：本发明系提供一种可抑制成膜条件之蒸镀设备1。该蒸镀设备1，系具备：于接地之真空容器10内所支持之基板保持具12、保持于基板保持具12之基板14、离开基板14而相对向之蒸发源34、36、对基板14照射离子之离子枪38、与对基板14照射电子之中和器40，其中，于。离子枪38及中和器40，分别安装有照射离子导引构件50及照射电子导引构件52。

7. 发明专利

TWI332994B 光學薄膜蒸鍍裝置及光學薄膜之製造方法有权
简体标题：光学薄膜蒸镀设备及光学薄膜之制造方法
公开(公告)号：TWI332994B
公开(公告)日：2010-11-11
申请号：TW098127558
申请日：2009-08-17
申请人：新柯隆股份有限公司
发明人：長江亦周 , 姜友松 , 塩野一郎 , 清水匡之 , 林達也 , 古川誠 , 村田尊則
IPC分类号： C23C , G02B
CPC分类号： C23C14/22 , C23C14/083 , C23C14/10 , C23C14/221 , C23C14/225 , H01J2237/0041 , H01J2237/3132
摘要：本發明係提供一種可製造具有良好光學特性之光學薄膜之光學薄膜蒸鍍裝置、及一種製造花費低廉且具有良好光學特性之光學薄膜之製造方法。
一種於真空容器10內將蒸鍍物質蒸鍍至基體14之光學薄膜蒸鍍裝置，其係具備配置於真空容器10內且用以保持基體14之穹型基體保持手段12、使基體保持手段12旋轉之旋轉手段、面對基體14設置之蒸鍍手段34、對基體14照射離子之離子源38、對基體14照射電子之中和器40。
離子源38係配置於以下位置：離子從離子源38照射出之軸線的角度相對於基體14表面之垂直線為8°以上且40°以下，且基體保持手段旋轉軸中心與離子源38中心之垂直方向的距離相對於基體保持手段12之直徑的比為0.5以上且1.2以下之範圍之位置。
简体摘要：本发明系提供一种可制造具有良好光学特性之光学薄膜之光学薄膜蒸镀设备、及一种制造花费低廉且具有良好光学特性之光学薄膜之制造方法。一种于真空容器10内将蒸镀物质蒸镀至基体14之光学薄膜蒸镀设备，其系具备配置于真空容器10内且用以保持基体14之穹型基体保持手段12、使基体保持手段12旋转之旋转手段、面对基体14设置之蒸镀手段34、对基体14照射离子之离子源38、对基体14照射电子之中和器40。离子源38系配置于以下位置：离子从离子源38照射出之轴线的角度相对于基体14表面之垂直线为8°以上且40°以下，且基体保持手段旋转轴中心与离子源38中心之垂直方向的距离相对于基体保持手段12之直径的比为0.5以上且1.2以下之范围之位置。

8. 发明专利

TW201005110A 蒸鍍裝置及薄膜元件之製造方法审中-公开
简体标题：蒸镀设备及薄膜组件之制造方法
公开(公告)号：TW201005110A
公开(公告)日：2010-02-01
申请号：TW098120054
申请日：2009-06-16
申请人：新柯隆股份有限公司
发明人：塩野一郎 , 姜友松 , 長江亦周 , 本多博光 , 村田尊則
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C14/30 , C23C14/0031 , C23C14/083 , C23C14/10 , C23C14/22 , G02B5/285
摘要：本發明係提供一種可隨時間地控制成膜條件之蒸鍍裝置1。該蒸鍍裝置1係具備：支持於接地之真空容器10內之基板保持具12、保持於基板保持具12之基板14、離開基板14並與其相對向之蒸發源34、36、對基板14照射離子之離子槍38、對基板14照射電子之中和器40；其中，真空容器10係具備對真空容器10電氣懸浮之內壁30，中和器40係與離子槍38分開配置於真空容器10內側之側面側。
简体摘要：本发明系提供一种可随时间地控制成膜条件之蒸镀设备1。该蒸镀设备1系具备：支持于接地之真空容器10内之基板保持具12、保持于基板保持具12之基板14、离开基板14并与其相对向之蒸发源34、36、对基板14照射离子之离子枪38、对基板14照射电子之中和器40；其中，真空容器10系具备对真空容器10电气悬浮之内壁30，中和器40系与离子枪38分开配置于真空容器10内侧之侧面侧。

9. 发明专利

TW201002841A 蒸鍍裝置及薄膜元件之製造方法审中-公开
简体标题：蒸镀设备及薄膜组件之制造方法
公开(公告)号：TW201002841A
公开(公告)日：2010-01-16
申请号：TW098120055
申请日：2009-06-16
申请人：新柯隆股份有限公司
发明人：塩野一郎 , 姜友松 , 本多博光 , 村田尊則
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C14/30 , C23C14/083 , C23C14/10 , C23C14/22 , G02B1/115 , G02B5/285 , H01J37/32422
摘要：本發明係提供一種可抑制成膜條件之蒸鍍裝置1。該蒸鍍裝置1，係具備：於接地之真空容器10內所支持之基板保持具12、保持於基板保持具12之基板14、離開基板14而相對向之蒸發源34、36、對基板14照射離子之離子槍38、與對基板14照射電子之中和器40，其中，於。離子槍38及中和器40，分別安裝有照射離子導引構件50及照射電子導引構件52。
简体摘要：本发明系提供一种可抑制成膜条件之蒸镀设备1。该蒸镀设备1，系具备：于接地之真空容器10内所支持之基板保持具12、保持于基板保持具12之基板14、离开基板14而相对向之蒸发源34、36、对基板14照射离子之离子枪38、与对基板14照射电子之中和器40，其中，于。离子枪38及中和器40，分别安装有照射离子导引构件50及照射电子导引构件52。

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