专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201448301A 磁阻效應元件之製造方法审中-公开
简体标题：磁阻效应组件之制造方法
公开(公告)号：TW201448301A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW102147233
申请日：2013-12-19
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：清野拓哉 , SEINO, TAKUYA , 西村和正 , NISHIMURA, KAZUMASA , 奧山博基 , OKUYAMA, HIROKI , 大谷裕一 , OTANI, YUICHI , 室岡勇太 , MUROOKA, YUTA , 島根由光 , SHIMANE, YOSHIMITSU
IPC分类号： H01L43/12 , H01L21/316 , H01L43/08
CPC分类号： H01L43/12 , H01L21/02104 , H01L21/02205 , H01L21/0226 , H01L21/02263 , H01L21/02271 , H01L21/02436 , H01L21/28061 , H01L37/00 , H01L41/20 , H01L43/08 , H01L43/10
摘要：提供一種：在金屬氧化物之隧道阻障層的形成中，能夠提升產率並且在氧化金屬時能夠降低該金屬之升華的磁阻效應元件之製造方法。本發明之其中一種實施形態，係為磁阻效應元件之製造方法，並具備形成隧道阻障層之工程，形成該隧道阻障層之工程，係具備有在基板上成膜金屬膜之成膜工程、和對金屬膜進行氧化處理之氧化工程。上述氧化工程，係在從進行氧化處理之處理容器內的基板支持器之基板保持面所突出之支持部上，將被形成有金屬膜之基板作保持，並將氧氣導入至處理容器內，而將氧氣供給至基板處，在氧氣之導入之後，將基板載置在基板保持面上，並加熱基板。
简体摘要：提供一种：在金属氧化物之隧道阻障层的形成中，能够提升产率并且在氧化金属时能够降低该金属之升华的磁阻效应组件之制造方法。本发明之其中一种实施形态，系为磁阻效应组件之制造方法，并具备形成隧道阻障层之工程，形成该隧道阻障层之工程，系具备有在基板上成膜金属膜之成膜工程、和对金属膜进行氧化处理之氧化工程。上述氧化工程，系在从进行氧化处理之处理容器内的基板支持器之基板保持面所突出之支持部上，将被形成有金属膜之基板作保持，并将氧气导入至处理容器内，而将氧气供给至基板处，在氧气之导入之后，将基板载置在基板保持面上，并加热基板。

2. 发明专利

TW201639178A 垂直磁化型ＭＴＪ元件之製造方法审中-公开
简体标题：垂直磁化型ＭＴＪ组件之制造方法
公开(公告)号：TW201639178A
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW104137332
申请日：2015-11-12
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：清野拓哉 , SEINO, TAKUYA
IPC分类号： H01L29/82 , H01L43/08 , H01L43/12
CPC分类号： H01L43/12 , H01L29/82 , H01L43/02 , H01L43/08
摘要：本發明之其中一種實施形態，係提供一種垂直磁化型MTJ元件之製造方法，該垂直磁化型MTJ元件，係具備有：包含包夾MgO層之一對的CoFeB層之第1層積構造；和包含層積體之第2層積構造，該垂直磁化型MTJ元件之製造方法，其特徵為，係具備有：在基板上形成第1以及第2層積構造中之其中一者之工程；和將被形成有第1以及第2層積構造中之其中一者之基板曝露於大氣中，而對於其特性進行檢查之工程；和在被形成有第1以及第2層積構造中之其中一者之基板上，形成第1以及第2層積構造中之另外一者之工程。
简体摘要：本发明之其中一种实施形态，系提供一种垂直磁化型MTJ组件之制造方法，该垂直磁化型MTJ组件，系具备有：包含包夹MgO层之一对的CoFeB层之第1层积构造；和包含层积体之第2层积构造，该垂直磁化型MTJ组件之制造方法，其特征为，系具备有：在基板上形成第1以及第2层积构造中之其中一者之工程；和将被形成有第1以及第2层积构造中之其中一者之基板曝露于大气中，而对于其特性进行检查之工程；和在被形成有第1以及第2层积构造中之其中一者之基板上，形成第1以及第2层积构造中之另外一者之工程。

3. 发明专利

TW201531579A 磁阻效應元件之製造方法审中-公开
简体标题：磁阻效应组件之制造方法
公开(公告)号：TW201531579A
公开(公告)日：2015-08-16
申请号：TW103139785
申请日：2014-11-17
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：清野拓哉 , SEINO, TAKUYA , 大谷裕一 , OTANI, YUICHI , 西村和正 , NISHIMURA, KAZUMASA
IPC分类号： C23C14/58 , H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/67
CPC分类号： H01L43/12 , C23C14/564 , H01F10/3286 , H01F41/18 , H01F41/307 , H01L21/67109 , H01L21/68742
摘要：本發明，係提供具有比歷來高之MR比的磁阻效應元件之製造方法。本發明之一實施形態相關的磁阻效應元件之製造方法，係具備：於磁化自由層及磁化固定層之一方被形成於表面的基板上形成穿隧能障層之程序S93；於形成前述穿隧能障層的程序之後，冷卻前述基板之程序S94；及於前述冷卻的程序之後，於前述穿隧能障層上形成前述磁化自由層及前述磁化固定層的另一方之程序S95。
简体摘要：本发明，系提供具有比历来高之MR比的磁阻效应组件之制造方法。本发明之一实施形态相关的磁阻效应组件之制造方法，系具备：于磁化自由层及磁化固定层之一方被形成于表面的基板上形成穿隧能障层之进程S93；于形成前述穿隧能障层的进程之后，冷却前述基板之进程S94；及于前述冷却的进程之后，于前述穿隧能障层上形成前述磁化自由层及前述磁化固定层的另一方之进程S95。

4. 发明专利

TWI673891B 氧化處理裝置、氧化方法、及電子裝置的製造方法有权
简体标题：氧化处理设备、氧化方法、及电子设备的制造方法
公开(公告)号：TWI673891B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：TW102146655
申请日：2013-12-17
申请人：日商佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：島根由光 , SHIMANE, YOSHIMITSU , 清野拓哉 , SEINO, TAKUYA
IPC分类号： H01L43/08 , H01L43/12

5. 发明专利

TWI582826B 成膜方法、真空處理裝置、半導體發光元件之製造方法、半導體電子元件之製造方法有权
简体标题：成膜方法、真空处理设备、半导体发光组件之制造方法、半导体电子组件之制造方法
公开(公告)号：TWI582826B
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：TW104123770
申请日：2015-07-22
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：醍醐佳明 , DAIGO, YOSHIAKI , 清野拓哉 , SEINO, TAKUYA , 大塚喜 , OHTSUKA, YOSHITAKA , 牧田裕之 , MAKITA, HIROYUKI , 石橋奏太朗 , ISHIBASHI, SOTARO , 山中和人 , YAMANAKA, KAZUTO
IPC分类号： H01L21/02 , C23C14/34 , C23C14/06 , H01L21/203 , H01L33/00
CPC分类号： C30B23/002 , C23C14/0617 , C23C14/086 , C23C14/34 , C23C14/3435 , C23C14/50 , C23C14/54 , C30B23/063 , C30B23/066 , C30B23/08 , C30B25/06 , C30B29/16 , C30B29/403 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02554 , H01L21/02587 , H01L21/02631 , H01L33/007 , H01L33/0087 , H01L33/16 , H01L33/28 , H01L33/32

6. 发明专利

TWI509094B 包括嵌入金屬膜的步驟之電子元件製造方法有权
简体标题：包括嵌入金属膜的步骤之电子组件制造方法
公开(公告)号：TWI509094B
公开(公告)日：2015-11-21
申请号：TW100122221
申请日：2011-06-24
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：若柳俊一 , WAKAYANAGI, SHUNICHI , 齋藤孝之 , SAITO, TAKAYUKI , 清野拓哉 , SEINO, TAKUYA , 松尾明 , MATSUO, AKIRA , 山崎公司 , YAMAZAKI, KOJI , 森本榮太郎 , MORIMOTO, EITARO , 澀谷陽介 , SHIBUYA, YOHSUKE , 佐藤雄 , SATO, YU , 北野尚武 , KITANO, NAOMU
IPC分类号： C23C14/14 , C23C14/35
CPC分类号： H01L21/76843 , C23C14/0641 , H01L21/76877 , H01L23/53223 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

7. 发明专利

TWI632711B 磁阻效應元件有权
简体标题：磁阻效应组件
公开(公告)号：TWI632711B
公开(公告)日：2018-08-11
申请号：TW105112007
申请日：2016-04-18
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：清野拓哉 , SEINO, TAKUYA , 西村和正 , NISHIMURA, KAZUMASA , 入澤寿和 , IRISAWA, TOSHIKAZU , 四分一沙季 , SHIBUICHI, SAKI
IPC分类号： H01L43/08 , H01L43/12

8. 发明专利

TWI535878B 穿隧磁阻效應元件之製造方法、及濺鍍裝置有权
简体标题：穿隧磁阻效应组件之制造方法、及溅镀设备
公开(公告)号：TWI535878B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW103145932
申请日：2014-12-27
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：大谷裕一 , OTANI, YUICHI , 清野拓哉 , SEINO, TAKUYA
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/56
CPC分类号： H01L43/12 , C23C14/081 , C23C14/225 , C23C14/3407 , C23C14/352 , G01R33/0052 , G01R33/098 , G11C11/161 , H01F10/123 , H01F10/3236 , H01F10/3272 , H01F41/307 , H01J37/3426 , H01J37/3435 , H01J37/3476 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10

9. 发明专利

TWI514500B 穿隧磁阻元件之製造裝置有权
简体标题：穿隧磁阻组件之制造设备
公开(公告)号：TWI514500B
公开(公告)日：2015-12-21
申请号：TW102128633
申请日：2013-08-09
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：清野拓哉 , SEINO, TAKUYA , 西村和正 , NISHIMURA, KAZUMASA , 恒川孝二 , TSUNEKAWA, KOJI , 渡邊栄作 , WATANABE, EISAKU , 金子重夫 , KANEKO, SHIGEO
IPC分类号： H01L21/677
CPC分类号： H01L21/67184 , H01L21/67173 , H01L43/12

10. 发明专利

TW201423890A 穿隧磁阻元件之製造裝置审中-公开
简体标题：穿隧磁阻组件之制造设备
公开(公告)号：TW201423890A
公开(公告)日：2014-06-16
申请号：TW102128633
申请日：2013-08-09
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：清野拓哉 , SEINO, TAKUYA , 西村和正 , NISHIMURA, KAZUMASA , 恒川孝二 , TSUNEKAWA, KOJI , 渡邊栄作 , WATANABE, EISAKU , 金子重夫 , KANEKO, SHIGEO
IPC分类号： H01L21/677
CPC分类号： H01L21/67184 , H01L21/67173 , H01L43/12
摘要：本發明，係提供一種能夠降低對於磁性膜中之雜質的混入之TMR元件的製造裝置。本發明之其中一種實施形態之穿隧磁阻元件之製造裝置，係具備有：用以進行與外部間之基板的搬入搬出之裝載鎖定裝置；和被與該裝載鎖定裝置作連接，並且至少連接有1個的基板處理裝置之第1基板搬送裝置；和被設置於該第1基板搬送裝置處之第1排氣部；和被與上述第1基板搬送裝置作連接，並且連接有複數之基板處理裝置之第2基板搬送裝置；和被設置在前述第2基板搬送裝置處之第2排氣部，被連接於第2基板搬送裝置處之複數的基板處理裝置中之至少1者，係為氧化裝置。
简体摘要：本发明，系提供一种能够降低对于磁性膜中之杂质的混入之TMR组件的制造设备。本发明之其中一种实施形态之穿隧磁阻组件之制造设备，系具备有：用以进行与外部间之基板的搬入搬出之装载锁定设备；和被与该装载锁定设备作连接，并且至少连接有1个的基板处理设备之第1基板搬送设备；和被设置于该第1基板搬送设备处之第1排气部；和被与上述第1基板搬送设备作连接，并且连接有复数之基板处理设备之第2基板搬送设备；和被设置在前述第2基板搬送设备处之第2排气部，被连接于第2基板搬送设备处之复数的基板处理设备中之至少1者，系为氧化设备。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式