专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201326431A 濺射靶材及彼之用途审中-公开
简体标题：溅射靶材及彼之用途
公开(公告)号：TW201326431A
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW101134473
申请日：2012-09-20
申请人：赫里斯材料技術公司 , HERAEUS MATERIALS TECHNOLOGY GMBH & CO. KG , 弗蘭霍夫應用推廣研究協會 , FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E. V.
发明人：赫佐格安德亞斯 , HERZOG, ANDREAS , 舒爾西斯馬可士 , SCHULTHEIS, MARKUS , 史耐德貝茲沙賓 , SCHNEIDER-BETZ, SABINE , 舒洛特馬汀 , SCHLOTT, MARTIN , 德瓦威瑪 , DEWALD, WILMA
IPC分类号： C23C14/18 , C23C14/34
CPC分类号： C23C14/3414 , C23C14/0089 , C23C14/083
摘要：本發明關於一種由含有至少二相或兩種成分之材料所製造之濺射靶材。一相係由形成基體之金屬氧化物所形成，其中嵌入元素金屬或金屬合金。該濺射靶材之特徵在於低電阻和高密度。該濺射靶材非常適於製造低反射率且高吸收性之層。
简体摘要：本发明关于一种由含有至少二相或两种成分之材料所制造之溅射靶材。一相系由形成基体之金属氧化物所形成，其中嵌入元素金属或金属合金。该溅射靶材之特征在于低电阻和高密度。该溅射靶材非常适于制造低反射率且高吸收性之层。

2. 发明专利

TWI565817B 薄膜形成裝置、濺鍍陰極及薄膜形成方法有权
简体标题：薄膜形成设备、溅镀阴极及薄膜形成方法
公开(公告)号：TWI565817B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：TW102137664
申请日：2013-10-18
申请人：新柯隆股份有限公司 , SHINCRON CO., LTD.
发明人：宮內充祐 , MIYAUCHI, MITSUHIRO , 村田尊則 , MURATA, TAKANORI , 菅原卓哉 , SUGAWARA, TAKUYA , 塩野一郎 , SHIONO, ICHIRO , 姜友松 , JIANG, YOUSONG , 林達也 , HAYASHI, TATSUYA , 長江亦周 , NAGAE, EKISHU
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/56 , C23C14/0042 , C23C14/0047 , C23C14/0089 , C23C14/0652 , C23C14/10 , C23C14/352 , C23C14/562 , H01J37/321 , H01J37/3244 , H01J37/32752 , H01J37/3405 , H01J37/3411 , H01J37/3417 , H01J37/3429 , H01J37/3476

3. 发明专利

TW201510260A 氧化物薄膜之形成方法审中-公开
公开(公告)号：TW201510260A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW103125501
申请日：2014-07-25
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：松尾和昭 , MATSUO, KAZUAKI , 山口述夫 , YAMAGUCHI, NOBUO
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/08
CPC分类号： C23C14/08 , C23C14/0042 , C23C14/0047 , C23C14/0073 , C23C14/0089
摘要：本發明之目的在於提供使基板與氧化物薄膜的界面維持為低損傷同時具有所要的光學特性之形成具有高製膜速度之氧化物薄膜的方法。相關於本發明的一實施型態之氧化物薄膜之形成方法，係在靶及基板被對向配置的反應室內於基板上形成氧化物膜的氧化物薄膜之形成方法，特徵為具有：對前述反應室內供給氧自由基的步驟，對前述反應室內供給惰性氣體的步驟，以及供給前述氧自由基之後，以前述惰性氣體的離子濺鍍前述靶的表面之步驟；從前述靶的表面飛起的靶的材料與前述氧自由基所形成的氧化物被形成薄膜於前述基板上。
简体摘要：本发明之目的在于提供使基板与氧化物薄膜的界面维持为低损伤同时具有所要的光学特性之形成具有高制膜速度之氧化物薄膜的方法。相关于本发明的一实施型态之氧化物薄膜之形成方法，系在靶及基板被对向配置的反应室内于基板上形成氧化物膜的氧化物薄膜之形成方法，特征为具有：对前述反应室内供给氧自由基的步骤，对前述反应室内供给惰性气体的步骤，以及供给前述氧自由基之后，以前述惰性气体的离子溅镀前述靶的表面之步骤；从前述靶的表面飞起的靶的材料与前述氧自由基所形成的氧化物被形成薄膜于前述基板上。

4. 发明专利

TWI553132B ＡＲＣ蒸鍍裝置及真空處理裝置有权
简体标题：ＡＲＣ蒸镀设备及真空处理设备
公开(公告)号：TWI553132B
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：TW100121344
申请日：2011-06-20
申请人：歐瑞康表面處理普法菲康有限公司 , OERLIKON SURFACE SOLUTIONS AG, PFAEFFIKON
发明人：克瑞斯尼澈西格富瑞德 , KRASSNITZER, SIEGFRIED , 海格曼喬各 , HAGMANN, JUERG
IPC分类号： C23C14/02 , C23C14/00 , C23C14/32 , C23C14/35 , C23C14/58
CPC分类号： C23C14/35 , C23C14/0089 , C23C14/021 , C23C14/325 , C23C14/5873

5. 发明专利

TW201416476A 薄膜形成裝置、濺鍍陰極及薄膜形成方法审中-公开
简体标题：薄膜形成设备、溅镀阴极及薄膜形成方法
公开(公告)号：TW201416476A
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：TW102137664
申请日：2013-10-18
申请人：新柯隆股份有限公司 , SHINCRON CO., LTD.
发明人：宮內充祐 , MIYAUCHI, MITSUHIRO , 村田尊則 , MURATA, TAKANORI , 菅原卓哉 , SUGAWARA, TAKUYA , 塩野一郎 , SHIONO, ICHIRO , 姜友松 , JIANG, YOUSONG , 林達也 , HAYASHI, TATSUYA , 長江亦周 , NAGAE, EKISHU
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/56 , C23C14/0042 , C23C14/0047 , C23C14/0089 , C23C14/0652 , C23C14/10 , C23C14/352 , C23C14/562 , H01J37/321 , H01J37/3244 , H01J37/32752 , H01J37/3405 , H01J37/3411 , H01J37/3417 , H01J37/3429 , H01J37/3476
摘要：提供能以高成膜速率於大尺寸基板形成光學多層膜之薄膜形成裝置、濺鍍陰極及薄膜形成方法。一種薄膜形成裝置1，係在真空槽21內，藉由濺鍍於基板43上形成金屬化合物之薄膜。於真空槽21內具備：靶材63a,b，由金屬或具有導電性之金屬化合物構成；以及活性種源，設成與靶材63a,b相互在電磁性及壓力上彼此影響，生成反應性氣體之活性種。活性種源，具備供應反應性氣體之氣體源76,77、以及將能量供應至真空槽內以將反應性氣體激發成電漿狀態之能量源80。能量源80，在與真空槽21之間具備用以將能量供應至真空槽21內之介電體窗，介電體窗，配置成相對基板43平行或相對基板43以90°未滿之角度往靶材63a,b側傾斜。
简体摘要：提供能以高成膜速率于大尺寸基板形成光学多层膜之薄膜形成设备、溅镀阴极及薄膜形成方法。一种薄膜形成设备1，系在真空槽21内，借由溅镀于基板43上形成金属化合物之薄膜。于真空槽21内具备：靶材63a,b，由金属或具有导电性之金属化合物构成；以及活性种源，设成与靶材63a,b相互在电磁性及压力上彼此影响，生成反应性气体之活性种。活性种源，具备供应反应性气体之气体源76,77、以及将能量供应至真空槽内以将反应性气体激发成等离子状态之能量源80。能量源80，在与真空槽21之间具备用以将能量供应至真空槽21内之介电体窗，介电体窗，配置成相对基板43平行或相对基板43以90°未满之角度往靶材63a,b侧倾斜。

6. 发明专利

TW201219582A 已界定電場之ＡＲＣ蒸發源 ARC-EVAPORATION SOURCE WITH DEFINED ELECTRIC FIELD 审中-公开
简体标题：已界定电场之ＡＲＣ蒸发源 ARC-EVAPORATION SOURCE WITH DEFINED ELECTRIC FIELD
公开(公告)号：TW201219582A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：TW100121344
申请日：2011-06-20
申请人：歐瑞康貿易特魯貝屈股份有限公司
发明人：克瑞斯尼澈西格富瑞德 , 海格曼喬各
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C14/35 , C23C14/0089 , C23C14/021 , C23C14/325 , C23C14/5873
摘要：本發明係有關於一種ARC蒸鍍裝置，其具有一陰極、一陽極與一電壓源以將陽極設於相對於陰極之正電位。此裝置亦包含磁性物質，可於陰極表面上建立磁場，其中陽極設置於陰極鄰近處，以使發自陰極表面的磁力線進入陽極。
简体摘要：本发明系有关于一种ARC蒸镀设备，其具有一阴极、一阳极与一电压源以将阳极设于相对于阴极之正电位。此设备亦包含磁性物质，可于阴极表面上创建磁场，其中阳极设置于阴极邻近处，以使发自阴极表面的磁力线进入阳极。

7. 发明专利

TW201622993A 積層體薄膜與電極基板薄膜及彼等之製造方法审中-公开
简体标题：积层体薄膜与电极基板薄膜及彼等之制造方法
公开(公告)号：TW201622993A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW104135175
申请日：2015-10-27
申请人：住友金屬鑛山股份有限公司 , SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.
发明人：大上秀晴 , OKAMI, HIDEHARU
IPC分类号： B32B15/04 , C25B11/04 , C25B11/03 , C23C16/06
CPC分类号： C23C14/0089 , B32B15/08 , C23C14/0015 , C23C14/0057 , C23C14/06 , C23C14/085 , C23C14/205 , C23C14/548 , C23C14/562 , C23C14/5873 , G06F3/044 , G06F2203/04103 , G06F2203/04112 , H05K1/0274 , H05K1/09 , H05K3/06 , H05K3/064 , H05K3/467 , H05K2201/0108 , H05K2201/0338 , H05K2201/0373 , H05K2201/09681 , H05K2201/10128 , H05K2203/087
摘要：提供一種蝕刻性優異，且經蝕刻加工的電路圖案在高輝度照明下難以辨識之積層體薄膜及電極基板薄膜，並提供彼等的製造方法。一種由包含樹脂薄膜的透明基板60和設置於透明基板的至少一面的積層膜所構成之積層體薄膜，其特徵為：上述積層膜具有從透明基板側起算為第1層的金屬吸收層61、63和第2層的金屬層(62、65)、(64、66)，並且金屬吸收層係藉由使用金屬靶材和含氧的反應性氣體之反應濺鍍法形成，該金屬靶材係由包含Ni單體、或選自Ni、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu之2種以上的元素之合金所構成，且反應性氣體含有氫。
简体摘要：提供一种蚀刻性优异，且经蚀刻加工的电路图案在高辉度照明下难以辨识之积层体薄膜及电极基板薄膜，并提供彼等的制造方法。一种由包含树脂薄膜的透明基板60和设置于透明基板的至少一面的积层膜所构成之积层体薄膜，其特征为：上述积层膜具有从透明基板侧起算为第1层的金属吸收层61、63和第2层的金属层(62、65)、(64、66)，并且金属吸收层系借由使用金属靶材和含氧的反应性气体之反应溅镀法形成，该金属靶材系由包含Ni单体、或选自Ni、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu之2种以上的元素之合金所构成，且反应性气体含有氢。

8. 发明专利

TWI523967B 氧化物薄膜之形成方法有权
公开(公告)号：TWI523967B
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW103125501
申请日：2014-07-25
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：松尾和昭 , MATSUO, KAZUAKI , 山口述夫 , YAMAGUCHI, NOBUO
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/08
CPC分类号： C23C14/08 , C23C14/0042 , C23C14/0047 , C23C14/0073 , C23C14/0089

9. 发明专利

TWI254959B 成膜裝置及成膜方法失效
简体标题：成膜设备及成膜方法
公开(公告)号：TWI254959B
公开(公告)日：2006-05-11
申请号：TW093133317
申请日：2004-11-02
申请人：新明和工業股份有限公司 SHINMAYWA INDUSTRIES, LTD.
发明人：能勢功一 NOSE, KOUICHI , 川孝市 SASAGAWA, KOICHI , 古塚毅士 FURUTSUKA, TAKESHI , 瀧川志朗 TAKIGAWA, SHIRO , 小泉康浩 KOIZUMI, YASUHIRO
IPC分类号： H01J
CPC分类号： C23C14/205 , B05D1/62 , B05D5/068 , C23C14/0036 , C23C14/0089 , C23C14/352 , C23C14/562 , C23C16/45557 , C23C16/509
摘要：本發明之成膜裝置與成膜方法，係對於背面配置有永久磁鐵(10)之陰極(5)施加來自HF電源(11)之高頻電壓來產生反應模式之電漿，使用此電漿進行電漿聚合成膜。另外，調整真空室(1)內之電漿源氣體壓力，來產生非反應模式而是金屬模式之電漿，使用此電漿，對做為靶之陰極(5)進行濺鍍來進行磁控濺鍍成膜。
简体摘要：本发明之成膜设备与成膜方法，系对于背面配置有永久磁铁(10)之阴极(5)施加来自HF电源(11)之高频电压来产生反应模式之等离子，使用此等离子进行等离子聚合成膜。另外，调整真空室(1)内之等离子源气体压力，来产生非反应模式而是金属模式之等离子，使用此等离子，对做为靶之阴极(5)进行溅镀来进行磁控溅镀成膜。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式