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1. 发明专利

TWI617685B 使用濺射靶材的方法以及製造氧化物膜的方法有权
简体标题：使用溅射靶材的方法以及制造氧化物膜的方法
公开(公告)号：TWI617685B
公开(公告)日：2018-03-11
申请号：TW104105316
申请日：2013-06-18
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/08
CPC分类号： C23C14/3464 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/34 , C23C14/3414 , C23C14/352 , C23C14/564 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/7869

2. 发明专利

TWI595106B 用於塗佈一基板之方法及塗佈機有权
简体标题：用于涂布一基板之方法及涂布机
公开(公告)号：TWI595106B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：TW102118763
申请日：2013-05-28
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：史屈艾芙琳 , SCHEER, EVELYN , 哈尼卡麥卡司 , HANIKA, MARKUS , 史屈瓦尼斯柯隆瑞德 , SCHWANITZ, KONRAD , 皮瑞里西法畢歐 , PIERALISI, FABIO , 克隆佩安德率斯 , KLOEPPEL, ANDREAS , 劉江 , LIU, JIAN , 露博安德率斯 , LOPP, ANDREAS
IPC分类号： C23C14/35
CPC分类号： H01J37/3473 , C23C14/35 , C23C14/352 , H01J37/32568 , H01J37/3405 , H01J37/3417 , H01J2237/3323

3. 发明专利

TWI590335B 膜形成設備及膜形成方法有权
简体标题：膜形成设备及膜形成方法
公开(公告)号：TWI590335B
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW100128157
申请日：2011-08-08
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/31
CPC分类号： C23C14/08 , C23C14/02 , C23C14/086 , C23C14/34 , C23C14/351 , C23C14/352 , C23C14/541 , C23C14/566 , H01L21/02565 , H01L21/67167 , H01L21/67173 , H01L21/67207 , H01L29/7869

4. 发明专利

TWI564418B 濺鍍裝置及基板處理裝置有权
简体标题：溅镀设备及基板处理设备
公开(公告)号：TWI564418B
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW102142840
申请日：2013-11-25
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：石原繁紀 , ISHIHARA, SHIGENORI , 戶谷寛行 , TOYA, HIROYUKI , 安松保志 , YASUMATSU, YASUSHI , 中澤俊和 , NAKAZAWA, TOSHIKAZU , 中村英司 , NAKAMURA, EIJI , 須田真太郎 , SUDA, SHINTARO , 今井愼 , IMAI, SHIN , 藤本雄 , FUJIMOTO, YUU
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/56
CPC分类号： H01J37/3447 , C23C14/352 , H01J37/3405

5. 发明专利

TW201543302A 觸控面板、觸控面板之製造方法及光學薄膜审中-公开
简体标题：触摸皮肤、触摸皮肤之制造方法及光学薄膜
公开(公告)号：TW201543302A
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：TW104113765
申请日：2015-04-29
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：原田学 , HARADA, MANABU , 柳坪秀典 , YANAGITSUBO, HIDENORI , 井堀敦仁 , IHORI, ATSUHITO , 鈴木寿弘 , SUZUKI, TOSHIHIRO , 松本昌弘 , MATSUMOTO, MASAHIRO , 谷典明 , TANI, NORIAKI , 久保昌司 , KUBO, MASASHI
IPC分类号： G06F3/041
CPC分类号： G06F3/041 , C23C14/083 , C23C14/10 , C23C14/352 , G06F2203/04103 , G06F2203/04107
摘要：本發明之觸控面板包含：觸控面板基板；重疊於上述觸控面板而設之保護基板；及連接部，其包含自上述保護基板側朝上述觸控面板基板側積層之散射層，且設置於上述觸控面板基板與上述保護基板之間之除顯示區域以外之區域。
简体摘要：本发明之触摸皮肤包含：触摸皮肤基板；重叠于上述触摸皮肤而设之保护基板；及连接部，其包含自上述保护基板侧朝上述触摸皮肤基板侧积层之散射层，且设置于上述触摸皮肤基板与上述保护基板之间之除显示区域以外之区域。

6. 发明专利

TW201522686A 濺鍍裝置及濺鍍用標靶审中-公开
简体标题：溅镀设备及溅镀用标靶
公开(公告)号：TW201522686A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：TW103126399
申请日：2014-08-01
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：狩野晋 , KARINO, SUSUMU , 芝本雅弘 , SHIBAMOTO, MASAHIRO
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： G11B5/851 , C23C14/352 , C23C14/568 , H01J37/3408 , H01J37/345
摘要：濺鍍裝置，係具備有：電極(310)，係具有保持標靶(50)之保持部(311)，並且經由保持部(311)而對於標靶(50)賦予電位；和第1磁鐵(331)以及第2磁鐵(332)，係以將應配置基板之基板配置面(SS)與保持部(311)之間之空間(SP)作包夾的方式，而在沿著基板配置面(SS)之方向上相互分離地作配置；和遮罩(340)，係被配置在第1磁鐵(331)與第2磁鐵(332)間之基板配置面(SS)與保持部(311)間之位置處。標靶(50)，係包含有應被配置在第1磁鐵(331)和空間(SP)之間之平板狀之第1部分(51)、和應被配置在第2磁鐵(332)和空間(SP)之間之平板狀之第2部分(52)，第1部分(51)和第2部分(52)，係以包夾空間(SP)的方式而相互平行地被設置。
简体摘要：溅镀设备，系具备有：电极(310)，系具有保持标靶(50)之保持部(311)，并且经由保持部(311)而对于标靶(50)赋予电位；和第1磁铁(331)以及第2磁铁(332)，系以将应配置基板之基板配置面(SS)与保持部(311)之间之空间(SP)作包夹的方式，而在沿着基板配置面(SS)之方向上相互分离地作配置；和遮罩(340)，系被配置在第1磁铁(331)与第2磁铁(332)间之基板配置面(SS)与保持部(311)间之位置处。标靶(50)，系包含有应被配置在第1磁铁(331)和空间(SP)之间之平板状之第1部分(51)、和应被配置在第2磁铁(332)和空间(SP)之间之平板状之第2部分(52)，第1部分(51)和第2部分(52)，系以包夹空间(SP)的方式而相互平行地被设置。

7. 发明专利

TW201500567A 具有相鄰濺鍍陰極之裝置及其操作方法审中-公开
简体标题：具有相邻溅镀阴极之设备及其操作方法
公开(公告)号：TW201500567A
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW103105598
申请日：2014-02-20
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：皮瑞里西法畢歐 , PIERALISI, FABIO , 慕何費德佑維 , MÜHLFELD, UWE
IPC分类号： C23C14/22 , C23C14/34 , C23C14/35 , C23C14/56
CPC分类号： C23C14/568 , C23C14/14 , C23C14/35 , C23C14/352 , C23C14/50 , C23C14/542 , H01J37/3435 , H01J37/345
摘要：敘述用以沉積層堆疊(layer stack)於載具(carrier)內提供的非可撓性基板或基板上的一種裝置。此裝置包括：真空腔室、運輸系統，其中運輸系統以及真空腔室係被配置以用於線內式沉積(inline deposition)，用於第一可旋轉濺鍍陰極的第一支撐件，第一可旋轉濺鍍陰極可以繞著真空腔室內的第一旋轉軸旋轉，其中用於沉積第一材料的第一沉積區係被提供，用於第二可旋轉濺鍍陰極的第二支撐件，第二可旋轉濺鍍陰極可以繞著真空腔室內的第二旋轉軸旋轉，其中用於沉積第二材料的第二沉積區係被提供，其中第一旋轉軸與第二旋轉軸彼此的距離為700毫米或更短；以及第一旋轉軸與第二旋轉軸之間的分離器結構，分離器結構用以接收朝向第二沉積區濺鍍的第一材料以及朝向第一沉積區濺鍍的第二材料，其中裝置係配置成用來沉積層堆疊，層堆疊包括第一材料的層以及接續的第二材料的層。
简体摘要：叙述用以沉积层堆栈(layer stack)于载具(carrier)内提供的非可挠性基板或基板上的一种设备。此设备包括：真空腔室、运输系统，其中运输系统以及真空腔室系被配置以用于线内式沉积(inline deposition)，用于第一可旋转溅镀阴极的第一支撑件，第一可旋转溅镀阴极可以绕着真空腔室内的第一旋转轴旋转，其中用于沉积第一材料的第一沉积区系被提供，用于第二可旋转溅镀阴极的第二支撑件，第二可旋转溅镀阴极可以绕着真空腔室内的第二旋转轴旋转，其中用于沉积第二材料的第二沉积区系被提供，其中第一旋转轴与第二旋转轴彼此的距离为700毫米或更短；以及第一旋转轴与第二旋转轴之间的分离器结构，分离器结构用以接收朝向第二沉积区溅镀的第一材料以及朝向第一沉积区溅镀的第二材料，其中设备系配置成用来沉积层堆栈，层堆栈包括第一材料的层以及接续的第二材料的层。

8. 发明专利

TW201410901A 濺鍍裝置及濺鍍成膜方法审中-公开
简体标题：溅镀设备及溅镀成膜方法
公开(公告)号：TW201410901A
公开(公告)日：2014-03-16
申请号：TW102119920
申请日：2013-06-05
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：佐佐木雅夫 , SASAKI, MASAO
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/352 , C23C14/562 , H01J37/32733 , H01J37/32761 , H01J37/3417 , H01J37/3455
摘要：濺鍍裝置具備具有磁鐵之三個靶材，磁鐵(7a)、(7b)、(7c)之各個被控制成進行從順方向之行程端移動至逆向之後停止的第1移動，和從第1移動後之停止為至移動至逆向之行程端之後停止的第2移動，和從逆向之行程端移動至順方向之行程端之後停止的第3移動。然後，成膜之時，被控制成於第1移動之期間成膜在基板上之第1膜，和於第2移動之期間成膜在基板上之第2膜，和於第3移動之期間成膜在基板的第3膜藉由各不相同的靶材(4a)、(4b)、(4c)被成膜，而且，第1、第2、第3膜在基板上重疊。
简体摘要：溅镀设备具备具有磁铁之三个靶材，磁铁(7a)、(7b)、(7c)之各个被控制成进行从顺方向之行程端移动至逆向之后停止的第1移动，和从第1移动后之停止为至移动至逆向之行程端之后停止的第2移动，和从逆向之行程端移动至顺方向之行程端之后停止的第3移动。然后，成膜之时，被控制成于第1移动之期间成膜在基板上之第1膜，和于第2移动之期间成膜在基板上之第2膜，和于第3移动之期间成膜在基板的第3膜借由各不相同的靶材(4a)、(4b)、(4c)被成膜，而且，第1、第2、第3膜在基板上重叠。

9. 发明专利

TW201408804A 用以濺鍍材料塗層於基板上之裝置及沉積系統审中-公开
简体标题：用以溅镀材料涂层于基板上之设备及沉积系统
公开(公告)号：TW201408804A
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW102123028
申请日：2013-06-27
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：克隆佩安德率斯 , KLOEPPEL, ANDREAS , 哈尼卡麥卡司 , HANIKA, MARKUS , 史屈艾芙琳 , SCHEER, EVELYN , 史屈瓦尼斯柯隆瑞德 , SCHWANITZ, KONRAD , 皮瑞里西法畢歐 , PIERALISI, FABIO , 劉江 , LIU, JIAN
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/352 , H01J37/3405 , H01J37/3417 , H01J37/345
摘要：本發明係提供一種用以塗佈濺鍍材料層於基板上的裝置。裝置包括至少二磁鐵組件(magnet assemblies)，其中各磁鐵組件具有一外磁極性(outer magnet polarity)及一內磁極性(inner magnet polarity)。至少二磁鐵組件中之其中一者的外磁極性係不同於鄰近之至少二磁鐵組件中之另一者的外磁極性。並且，本發明係提供一種沉積系統，沉積系統包括如上所述的裝置。
简体摘要：本发明系提供一种用以涂布溅镀材料层于基板上的设备。设备包括至少二磁铁组件(magnet assemblies)，其中各磁铁组件具有一外磁极性(outer magnet polarity)及一内磁极性(inner magnet polarity)。至少二磁铁组件中之其中一者的外磁极性系不同于邻近之至少二磁铁组件中之另一者的外磁极性。并且，本发明系提供一种沉积系统，沉积系统包括如上所述的设备。

10. 发明专利

TWI427168B 濺鍍裝置、透明導電膜之製造方法有权
简体标题：溅镀设备、透明导电膜之制造方法
公开(公告)号：TWI427168B
公开(公告)日：2014-02-21
申请号：TW095126254
申请日：2006-07-18
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：浮島禎之 , UKISHIMA, SADAYUKI , 高澤悟 , TAKASAWA, SATORU , 竹井日出夫 , TAKEI, HIDEO , 石橋曉 , ISHIBASHI, SATORU
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/54 , C23C14/56
CPC分类号： C23C14/086 , C23C14/0068 , C23C14/3407 , C23C14/352 , C23C14/568 , H01J37/32752 , H01J37/3408 , H01J37/3426 , H01L51/5206 , H01L2251/5315

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