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1. 发明专利

TW398034B 以雙重離子佈植形成自動對準之矽化金屬層的方法失效
简体标题：以双重离子布植形成自动对准之硅化金属层的方法
公开(公告)号：TW398034B
公开(公告)日：2000-07-11
申请号：TW087104345
申请日：1998-03-24
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：張守仁 , 蔡肇杰 , 賀慶雄 , 林正坤
IPC分类号： H01L
摘要：本發明是有關積體電路中自動對準之矽化金屬層的形成方法，尤其是指其中一種以二次離子佈植來形成自動對準之矽化金屬層的方法。其主要的二次離子佈植製程步驟，乃是先以四價矽離子佈植對基板做非晶格化處理，再以低能量低劑量的砷或氮離子植入表面，以同時預防矽化金屬法造成的橋接效應。其中，四價的矽離子係與基材之元素相同，有利於矽化金屬的形成(此植入元素本身也可與鈦形成矽化鈦)。而低能量低劑量植入表面的五價離子(砷或氮)，係用來防止橋接效應。
简体摘要：本发明是有关集成电路中自动对准之硅化金属层的形成方法，尤其是指其中一种以二次离子布植来形成自动对准之硅化金属层的方法。其主要的二次离子布植制程步骤，乃是先以四价硅离子布植对基板做非晶格化处理，再以低能量低剂量的砷或氮离子植入表面，以同时预防硅化金属法造成的桥接效应。其中，四价的硅离子系与基材之元素相同，有利于硅化金属的形成(此植入元素本身也可与钛形成硅化钛)。而低能量低剂量植入表面的五价离子(砷或氮)，系用来防止桥接效应。

2. 实用新型

TW332708U 噴灑蝕刻室之罩體固定裝置失效
简体标题：喷洒蚀刻室之罩体固定设备
公开(公告)号：TW332708U
公开(公告)日：1998-05-21
申请号：TW086205298
申请日：1996-01-31
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：林正坤 , 陳傳懷 , 楊進賢
IPC分类号： H01L
摘要：本創作係關於一種噴灑蝕刻室之罩體固定裝置，其主要係藉由一圓形擋板將噴灑蝕刻室之罩體結合於頂盤上，其中擋板上形成有若干埋頭固定孔，又以平頭螺絲分別穿經各埋頭固定孔及罩體而與頂盤螺合，又擋板中央形成有一螺孔，而於底面螺合一較大面積之圓形導板，由於導板將改變輸入電漿之流動路徑，而可增進電漿分佈之均勻度，又因導板底面係呈平滑狀，故無累積微粒造成落塵之虞。
简体摘要：本创作系关于一种喷洒蚀刻室之罩体固定设备，其主要系借由一圆形挡板将喷洒蚀刻室之罩体结合于顶盘上，其中挡板上形成有若干埋头固定孔，又以平头螺丝分别穿经各埋头固定孔及罩体而与顶盘螺合，又挡板中央形成有一螺孔，而于底面螺合一较大面积之圆形导板，由于导板将改变输入等离子之流动路径，而可增进等离子分布之均匀度，又因导板底面系呈平滑状，故无累积微粒造成落尘之虞。

3. 发明专利

TW387116B 對快速加熱製程(RTP)系統的立即偵錯及控制方法有权
简体标题：对快速加热制程(RTP)系统的立即侦错及控制方法
公开(公告)号：TW387116B
公开(公告)日：2000-04-11
申请号：TW087119848
申请日：1998-12-01
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：張世輝 , 鄭國賢 , 林正坤 , 邱文仁
IPC分类号： H01L
摘要：一種對快速加熱製程(RTR)系統的立即偵錯及控制方法，首先，由各區的光纖探針於每一秒內至少讀取20次以上的燈泡功率值，然後，對上述各探針每秒內讀取的數據取平均值，並事先統計那幾支探針較常發生燈泡功率變異現象，予以加重計分，並加以排序，由小到大，得出該燈泡功率分率與探針位置的關係圖，再由該關係圖，找出迴歸直線的斜率記錄下來，作為標準斜率值，並以該標準斜率值之正負百分之四十為停機範圍，正負百分之三十為警告範圍。依照上述之步驟，可陸續得出下幾個樣本的斜率值，初期系統於每二十四個斜率值即自動調整一次停機與警告的範圍。最後，當取樣規模大於一萬個樣本時，取其平均值為固定之標準斜率值，停機範圍小於百分之四十，因此，可避免晶片整批報廢。
简体摘要：一种对快速加热制程(RTR)系统的立即侦错及控制方法，首先，由各区的光纤探针于每一秒内至少读取20次以上的灯泡功率值，然后，对上述各探针每秒内读取的数据取平均值，并事先统计那几支探针较常发生灯泡功率变异现象，予以加重计分，并加以排序，由小到大，得出该灯泡功率分率与探针位置的关系图，再由该关系图，找出回归直线的斜率记录下来，作为标准斜率值，并以该标准斜率值之正负百分之四十为停机范围，正负百分之三十为警告范围。依照上述之步骤，可陆续得出下几个样本的斜率值，初期系统于每二十四个斜率值即自动调整一次停机与警告的范围。最后，当采样规模大于一万个样本时，取其平均值为固定之标准斜率值，停机范围小于百分之四十，因此，可避免芯片整批报废。

4. 发明专利

TW418449B 以雙重離子佈植形成自動對準之矽化金屬層的方法失效
简体标题：以双重离子布植形成自动对准之硅化金属层的方法
公开(公告)号：TW418449B
公开(公告)日：2001-01-11
申请号：TW087104346
申请日：1998-03-24
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：張守仁 , 蔡肇杰 , 林正坤 , 楊棋銘
IPC分类号： H01L
摘要：本發明是有關積體電路中自動對準之矽化金屬層的形成方法，尤其是指其中一種以二次離子佈植來形成自動對準之矽化金屬層的方法。其主要的二次離子佈植製程步驟，乃是先以四價鍺離子佈植對基板做非晶格化處理，再以低能量低劑量的砷或氮離子植入表面，以同時預防矽化金屬法造成的橋接效應。其中，四價的鍺離子雖與基材之元素不同，但其質量較重，非晶格化的效果也較好。而低能量低劑量植入表面的五價離子(砷或氮)，係用來防止橋接效應。
简体摘要：本发明是有关集成电路中自动对准之硅化金属层的形成方法，尤其是指其中一种以二次离子布植来形成自动对准之硅化金属层的方法。其主要的二次离子布植制程步骤，乃是先以四价锗离子布植对基板做非晶格化处理，再以低能量低剂量的砷或氮离子植入表面，以同时预防硅化金属法造成的桥接效应。其中，四价的锗离子虽与基材之元素不同，但其质量较重，非晶格化的效果也较好。而低能量低剂量植入表面的五价离子(砷或氮)，系用来防止桥接效应。

5. 发明专利

TW414993B 偵測緩衝二氧化矽蝕刻液酸槽中過氧化氫污染的方法有权
简体标题：侦测缓冲二氧化硅蚀刻液酸槽中过氧化氢污染的方法
公开(公告)号：TW414993B
公开(公告)日：2000-12-11
申请号：TW088109020
申请日：1999-06-01
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：游惠茹 , 吳斯安 , 林正坤 , 鄭秀杰
IPC分类号： H01L
摘要：本發明係揭露一種偵測緩衝二氧化矽蝕刻液(Buffer Oxide Etchant; BOE)酸槽中過氧化氫(H2O2)污染的方法，係為一種利用晶片阻值的變化來監測過氧化氫污染的方法。首先，提供一半導體基板，形成一氧化層於所述基板上；接著，摻雜雜質於所述基板中，並進行回火(annealing)處理；再接著，依不同的時間長度利用緩衝二氧化矽蝕刻液浸洗移除所述氧化層；最後，測量基板之片電阻(sheet resistance； Rs)來判斷酸槽是否存在過氧化氫污染。
简体摘要：本发明系揭露一种侦测缓冲二氧化硅蚀刻液(Buffer Oxide Etchant; BOE)酸槽中过氧化氢(H2O2)污染的方法，系为一种利用芯片阻值的变化来监测过氧化氢污染的方法。首先，提供一半导体基板，形成一氧化层于所述基板上；接着，掺杂杂质于所述基板中，并进行回火(annealing)处理；再接着，依不同的时间长度利用缓冲二氧化硅蚀刻液浸洗移除所述氧化层；最后，测量基板之片电阻(sheet resistance； Rs)来判断酸槽是否存在过氧化氢污染。

6. 发明专利

TW410369B 用於預先濺鍍蝕刻氣室之電弧噴鍍遮蔽失效
简体标题：用于预先溅镀蚀刻气室之电弧喷镀屏蔽
公开(公告)号：TW410369B
公开(公告)日：2000-11-01
申请号：TW084114003
申请日：1995-12-28
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：林正坤 , 陳傳懷 , 楊進賢
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/34 , H01J37/3411 , H01J37/3438 , H01J37/3476
摘要：在單一晶圓蝕刻機中，藉由塗覆一層電弧噴鍍(arc- spray，或噴弧)材料(例如鋁)於整個濺鍍遮蔽的內部，因沈積微粒物質所引起的污染則可大幅地降低;該電弧噴鍍材料層具有高度的表面粗糙度。本發明描述形成電弧噴鍍鋁塗覆的方法，並發表採用本發明前後所得之粒子污染量的比較資料。
简体摘要：在单一晶圆蚀刻机中，借由涂覆一层电弧喷镀(arc- spray，或喷弧)材料(例如铝)于整个溅镀屏蔽的内部，因沉积微粒物质所引起的污染则可大幅地降低;该电弧喷镀材料层具有高度的表面粗糙度。本发明描述形成电弧喷镀铝涂覆的方法，并发表采用本发明前后所得之粒子污染量的比较数据。

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