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1. 发明专利

TWI615492B 標靶總成有权
简体标题：标靶总成
公开(公告)号：TWI615492B
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：TW104123875
申请日：2015-07-23
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：中村真也 , NAKAMURA, SHINYA , 池田佳広 , IKEDA, YOSHIHIRO , 藤井佳詞 , FUJII, YOSHINORI , 宮口有典 , MIYAGUCHI, YUUSUKE
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： H01J37/3435 , C23C14/081 , C23C14/3407 , H01J37/3423 , H01J37/3426 , H01J37/3497

2. 发明专利

TW201728772A 用於物理氣相沉積(PVD)方法的裝置审中-公开
简体标题：用于物理气相沉积(PVD)方法的设备
公开(公告)号：TW201728772A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW106103661
申请日：2017-02-03
申请人：因派科特塗料公司 , IMPACT COATINGS AB
发明人：羅君格況斯亨瑞克 , LJUNGCRANTZ, HENRIK
IPC分类号： C23C14/34 , H01J37/32
CPC分类号： H01J37/3414 , C23C14/325 , C23C14/3407 , H01J37/32614 , H01J37/3288 , H01J37/3417 , H01J37/3435 , H01J37/3491
摘要：一種用於物理氣相沉積方法之裝置，其中該裝置具有一圓柱形主體，且其中該主體包含一底側、一頂側、一上部及一下部，其中該下部包含一緊固佈置，其中位於該裝置之該下部處的該緊固佈置包含至少一個外部凹槽，其中該凹槽圍繞該圓柱形主體之一圓周至少部分地延伸。
简体摘要：一种用于物理气相沉积方法之设备，其中该设备具有一圆柱形主体，且其中该主体包含一底侧、一顶侧、一上部及一下部，其中该下部包含一紧固布置，其中位于该设备之该下部处的该紧固布置包含至少一个外部凹槽，其中该凹槽围绕该圆柱形主体之一圆周至少部分地延伸。

3. 发明专利

TWI544100B 濺鍍靶組裝體有权
简体标题：溅镀靶组装体
公开(公告)号：TWI544100B
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW100134299
申请日：2011-09-23
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：高橋一成 , TAKAHASHI, KAZUSHIGE , 鈴木了 , SUZUKI, RYO
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/3407 , H01J37/3417 , H01J37/3423 , H01J37/3435

4. 发明专利

TWI534283B 支撐可旋轉靶材之裝置及濺射設備有权
简体标题：支撑可旋转靶材之设备及溅射设备
公开(公告)号：TWI534283B
公开(公告)日：2016-05-21
申请号：TW100108787
申请日：2011-03-15
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：斯可那潘布格法蘭克 , SCHNAPPENBERGER, FRANK
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： H01J37/3497 , H01J37/3435

5. 实用新型

TWM516220U 濺鍍設備有权
简体标题：溅镀设备
公开(公告)号：TWM516220U
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：TW104205623
申请日：2015-04-15
申请人：濺鍍零件公司 , SPUTTERING COMPONENTS, INC.
发明人：科絡里丹尼爾西奧多 , CROWLEY, DANIEL THEODORE , 摩斯派翠克羅倫斯 , MORSE, PATRICK LAWRENCE , 爵曼約翰羅勃 , GERMAN, JOHN ROBERT , 梅爾迪斯威廉A , MEREDITH, WILLIAM A.
IPC分类号： H01L21/363 , H01L21/203
CPC分类号： H01J37/3435 , H01J37/32935 , H01J37/3405 , H01J37/3455

6. 发明专利

TW201541499A 交流電力連接器、濺射設備及其之方法审中-公开
简体标题：交流电力连接器、溅射设备及其之方法
公开(公告)号：TW201541499A
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW103142746
申请日：2014-12-09
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：史奇那本伯爵法蘭克 , SCHNAPPENBERGER, FRANK , 海幕奇安格 , HELLMICH, ANKE , 凱樂史丹分 , KELLER, STEFAN , 班德麥卡司 , BENDER, MARCUS
IPC分类号： H01J37/34 , C23C14/34
CPC分类号： H01J37/32183 , C23C14/3407 , H01G5/04 , H01G5/12 , H01J37/32577 , H01J37/3405 , H01J37/3435 , H01J37/3444 , H01J2237/20214 , H01J2237/3322 , H03H7/004
摘要：一種用以連接一AC電源至一裝置之交流電力連接器係提供。AC電力連接器包括可連接於AC電源之至少一第一元件及可連接於裝置之至少一第二元件，此至少一第一元件與此至少一第二元件係相對於彼此配置於一第一距離，用以定義一電容，其中此至少一第一元件與此至少一第二元件係相對於彼此可旋轉，其中此至少一第一元件與此至少一第二元件係配置以在此至少一第一元件與此至少一第二元件之間傳送一AC電力。
简体摘要：一种用以连接一AC电源至一设备之交流电力连接器系提供。AC电力连接器包括可连接于AC电源之至少一第一组件及可连接于设备之至少一第二组件，此至少一第一组件与此至少一第二组件系相对于彼此配置于一第一距离，用以定义一电容，其中此至少一第一组件与此至少一第二组件系相对于彼此可旋转，其中此至少一第一组件与此至少一第二组件系配置以在此至少一第一组件与此至少一第二组件之间发送一AC电力。

7. 发明专利

TW201540859A 高磁性材料的濺鍍系統及方法审中-公开
简体标题：高磁性材料的溅镀系统及方法
公开(公告)号：TW201540859A
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW104105774
申请日：2015-02-24
申请人：因特瓦克公司 , INTEVAC, INC.
发明人：布朗大衛沃德 , BROWN, DAVID WARD , 布拉克泰瑞 , BLUCK, TERRY
IPC分类号： C23C14/35 , C23C14/54
CPC分类号： H01J37/3455 , C23C14/35 , C23C14/56 , G11B5/851 , H01F41/183 , H01J37/3405 , H01J37/3408 , H01J37/3417 , H01J37/3426 , H01J37/3435 , H01J37/3452 , H01J37/347
摘要：一種系統，用於從一靶材濺鍍材料至基板上，包括：一處理腔室；一濺鍍靶材，其長度為L並提供高磁性濺鍍材料於其前側表面；一磁體組件，可操作以於接近該靶材的後側表面處，往復掃描該長度L。該磁體組件包括：一背板，由磁性材料製成；一第一組磁體，配置成單一列，位在該背板的中央，並具有一第一磁極，定位成面對該靶材的背側表面；及一第二組磁體，配置在該背板的周圍，以圍繞該第一組磁體，該第二組磁體具有一第二磁極，極性與該第一磁極相反，並定位成面對該靶材的背側表面。
简体摘要：一种系统，用于从一靶材溅镀材料至基板上，包括：一处理腔室；一溅镀靶材，其长度为L并提供高磁性溅镀材料于其前侧表面；一磁体组件，可操作以于接近该靶材的后侧表面处，往复扫描该长度L。该磁体组件包括：一背板，由磁性材料制成；一第一组磁体，配置成单一列，位在该背板的中央，并具有一第一磁极，定位成面对该靶材的背侧表面；及一第二组磁体，配置在该背板的周围，以围绕该第一组磁体，该第二组磁体具有一第二磁极，极性与该第一磁极相反，并定位成面对该靶材的背侧表面。

8. 发明专利

TWI491750B 圓筒形濺鍍靶材及其製造方法有权
简体标题：圆筒形溅镀靶材及其制造方法
公开(公告)号：TWI491750B
公开(公告)日：2015-07-11
申请号：TW098132289
申请日：2009-09-24
申请人：東曹股份有限公司 , TOSOH CORPORATION
发明人：伊藤謙一 , ITOH, KENICHI , 玉野公章 , TAMANO, KIMIAKI , 戶床茂久 , TODOKO, SHIGEHISA , 澀田見哲夫 , SHIBUTAMI, TETSUO
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/3407 , H01J37/3423 , H01J37/3435 , Y10T156/10

9. 发明专利

TWI468539B 用於支撐可旋轉靶材的裝置及濺射設備有权
简体标题：用于支撑可旋转靶材的设备及溅射设备
公开(公告)号：TWI468539B
公开(公告)日：2015-01-11
申请号：TW101101273
申请日：2012-01-12
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：斯可那潘布格法蘭克 , SCHNAPPENBERGER, FRANK , 慕特勒卓耿 , MULTERER, JURGEN
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： H01J37/3405 , H01J37/3435 , H01J37/3441

10. 发明专利

TW201500567A 具有相鄰濺鍍陰極之裝置及其操作方法审中-公开
简体标题：具有相邻溅镀阴极之设备及其操作方法
公开(公告)号：TW201500567A
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW103105598
申请日：2014-02-20
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：皮瑞里西法畢歐 , PIERALISI, FABIO , 慕何費德佑維 , MÜHLFELD, UWE
IPC分类号： C23C14/22 , C23C14/34 , C23C14/35 , C23C14/56
CPC分类号： C23C14/568 , C23C14/14 , C23C14/35 , C23C14/352 , C23C14/50 , C23C14/542 , H01J37/3435 , H01J37/345
摘要：敘述用以沉積層堆疊(layer stack)於載具(carrier)內提供的非可撓性基板或基板上的一種裝置。此裝置包括：真空腔室、運輸系統，其中運輸系統以及真空腔室係被配置以用於線內式沉積(inline deposition)，用於第一可旋轉濺鍍陰極的第一支撐件，第一可旋轉濺鍍陰極可以繞著真空腔室內的第一旋轉軸旋轉，其中用於沉積第一材料的第一沉積區係被提供，用於第二可旋轉濺鍍陰極的第二支撐件，第二可旋轉濺鍍陰極可以繞著真空腔室內的第二旋轉軸旋轉，其中用於沉積第二材料的第二沉積區係被提供，其中第一旋轉軸與第二旋轉軸彼此的距離為700毫米或更短；以及第一旋轉軸與第二旋轉軸之間的分離器結構，分離器結構用以接收朝向第二沉積區濺鍍的第一材料以及朝向第一沉積區濺鍍的第二材料，其中裝置係配置成用來沉積層堆疊，層堆疊包括第一材料的層以及接續的第二材料的層。
简体摘要：叙述用以沉积层堆栈(layer stack)于载具(carrier)内提供的非可挠性基板或基板上的一种设备。此设备包括：真空腔室、运输系统，其中运输系统以及真空腔室系被配置以用于线内式沉积(inline deposition)，用于第一可旋转溅镀阴极的第一支撑件，第一可旋转溅镀阴极可以绕着真空腔室内的第一旋转轴旋转，其中用于沉积第一材料的第一沉积区系被提供，用于第二可旋转溅镀阴极的第二支撑件，第二可旋转溅镀阴极可以绕着真空腔室内的第二旋转轴旋转，其中用于沉积第二材料的第二沉积区系被提供，其中第一旋转轴与第二旋转轴彼此的距离为700毫米或更短；以及第一旋转轴与第二旋转轴之间的分离器结构，分离器结构用以接收朝向第二沉积区溅镀的第一材料以及朝向第一沉积区溅镀的第二材料，其中设备系配置成用来沉积层堆栈，层堆栈包括第一材料的层以及接续的第二材料的层。

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