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1. 发明专利

TW265508B 電漿處理方法及裝置失效
简体标题：等离子处理方法及设备
公开(公告)号：TW265508B
公开(公告)日：1995-12-11
申请号：TW084102171
申请日：1995-03-06
申请人：日立製作所股份有限公司
发明人：加治哲德 , 古瀨宗雄 , 白米茂 , 渡邊成一
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H01J37/3222 , H01J37/32192 , H01J37/32293 , H01J37/32678
摘要：本發明係關於，使用微波電漿特別是對半導體元件基板等之試料，施加蝕刻及成膜等處理最為合適之電漿處理方法及裝置，在利用微波之電漿處理裝置，於放射微波之平板天線，與可減壓之處理室之一部分而用以將微波引進處理室內之石英窗之間，配設空間，而由於如此構成，從平板天線放射之局部性電場很強之微波在空間傳播中間逐漸擴大而形成為所欲之模態，而得將特定模態之微波引進處理室內，因此可產生更為均勻之電漿。
简体摘要：本发明系关于，使用微波等离子特别是对半导体组件基板等之试料，施加蚀刻及成膜等处理最为合适之等离子处理方法及设备，在利用微波之等离子处理设备，于放射微波之平板天线，与可减压之处理室之一部分而用以将微波引进处理室内之石英窗之间，配设空间，而由于如此构成，从平板天线放射之局部性电场很强之微波在空间传播中间逐渐扩大而形成为所欲之模态，而得将特定模态之微波引进处理室内，因此可产生更为均匀之等离子。

2. 发明专利

TW201643934A 電漿處理裝置及電漿處理方法审中-公开
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TW201643934A
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：TW105113586
申请日：2016-04-29
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：久保田紳治 , KUBOTA, SHINJI
IPC分类号： H01J37/32 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32302 , H01J37/32201 , H01J37/32293 , H01J37/3299 , H01L21/3065 , H01L21/31
摘要：本發明之電漿處理裝置具備：處理容器；載波群產生部，其產生包含複數個載波之載波群，該等載波分別具有屬於以特定之中心頻率為中心之特定之頻帶且互不相同之頻率；及電漿產生部，其使用載波群於處理容器內產生電漿。
简体摘要：本发明之等离子处理设备具备：处理容器；载波群产生部，其产生包含复数个载波之载波群，该等载波分别具有属于以特定之中心频率为中心之特定之频带且互不相同之频率；及等离子产生部，其使用载波群于处理容器内产生等离子。

3. 发明专利

TW201346971A 微波放射機構及表面波電漿處理裝置审中-公开
简体标题：微波放射机构及表面波等离子处理设备
公开(公告)号：TW201346971A
公开(公告)日：2013-11-16
申请号：TW102103486
申请日：2013-01-30
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：池田太郎 , IKEDA, TARO , 長田勇輝 , OSADA, YUKI
IPC分类号： H01J37/32 , H05H1/46
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32027 , H01J37/32192 , H01J37/32293 , H01L21/3065 , H05H2001/4615
摘要：本發明的課題是在於提供一種微波的投入電力低時或壓力高時皆可確保所望的表面波電漿的直徑之微波放射機構及表面波電漿處理裝置。微波放射機構(43)係具備：傳送路(44)，其係傳送微波；天線(81)，其係經由縫隙(81a)來將傳送於微波傳送路(44)而來的微波放射至腔室(1)內；介電質構件(110b)，其係使從天線(81)放射的微波透過，在其表面形成表面波；及直流電壓施加構件(112)，其係於藉由表面波來生成表面波電漿的電漿生成區域施加正的直流電壓，直流電壓施加構件(112)係以表面波電漿能夠擴大的方式在前述電漿生成區域施加正的直流電壓。
简体摘要：本发明的课题是在于提供一种微波的投入电力低时或压力高时皆可确保所望的表面波等离子的直径之微波放射机构及表面波等离子处理设备。微波放射机构(43)系具备：发送路(44)，其系发送微波；天线(81)，其系经由缝隙(81a)来将发送于微波发送路(44)而来的微波放射至腔室(1)内；介电质构件(110b)，其系使从天线(81)放射的微波透过，在其表面形成表面波；及直流电压施加构件(112)，其系于借由表面波来生成表面波等离子的等离子生成区域施加正的直流电压，直流电压施加构件(112)系以表面波等离子能够扩大的方式在前述等离子生成区域施加正的直流电压。

4. 发明专利

TW201727691A 用於藉供應電力之波導中的光圈之微波旋轉及阻抗偏移的通用圓柱形諧振腔系統审中-公开
简体标题：用于藉供应电力之波导中的光圈之微波旋转及阻抗偏移的通用圆柱形谐振腔系统
公开(公告)号：TW201727691A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105134404
申请日：2016-10-25
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：小林悟 , KOBAYASHI, SATORU , 菅井英夫 , SUGAI, HIDEO , 崔恩托恩 , TRAN, TOAN , 朴壽南 , PARK, SOONAM , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY, DMITRY
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32293 , H01J37/32192 , H01J37/32211 , H01J37/32229 , H01J37/32935 , H01J2237/334
摘要：針對諧振腔之任何諧振模式TEmnl或TMmnl產生旋轉微波，其中使用者自由地選擇模式指數m、n及l之值。旋轉頻率等於操作微波頻率之快速旋轉是藉由根據m、n及l設定介於兩個微波輸入埠P及Q之間的時間相位差ΔØ及方位角Δθ來完成。頻率Ωα（通常1～1000Hz）之慢速旋轉是藉由將正交輸入系中之雙場輸入及轉換成藉由介於兩個微波埠P及Q之間的角度Δθ界定之斜角系來產生。
简体摘要：针对谐振腔之任何谐振模式TEmnl或TMmnl产生旋转微波，其中用户自由地选择模式指数m、n及l之值。旋转频率等于操作微波频率之快速旋转是借由根据m、n及l设置介于两个微波输入端口P及Q之间的时间相位差ΔØ及方位角Δθ来完成。频率Ωα（通常1～1000Hz）之慢速旋转是借由将正交输入系中之双场输入及转换成借由介于两个微波端口P及Q之间的角度Δθ界定之斜角系来产生。

5. 发明专利

TW201204186A 電磁波供電機構及微波導入機構审中-公开
简体标题：电磁波供电机构及微波导入机构
公开(公告)号：TW201204186A
公开(公告)日：2012-01-16
申请号：TW100101645
申请日：2011-01-17
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：池田太郎 , 長田勇輝 , 河西繁
IPC分类号： H05H , H01L , H01P
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32192 , H01J37/32211 , H01J37/3222 , H01J37/32229 , H01J37/32293 , H01J37/32311 , H01Q15/0006 , H05H2001/4622 , H05H2001/463
摘要：具備有:微波電力導入埠(55),係被設置在同軸構造之導波路(44)的側部,並被連接有作為供電線之同軸線路(56);和供電天線(90),係被與同軸線路(56)作連接,並將電磁波電力輻射至導波路(44)之內部。供電天線(90),係具備有:天線本體(91),係具有與同軸線路(56)作連接之第1極(92)、和與導波路(44)之內側導體(53)相接觸之第2極(93);和反射部(94),係從前述天線本體(91)之兩側起而延伸,並形成為環狀。
简体摘要：具备有:微波电力导入端口(55),系被设置在同轴构造之导波路(44)的侧部,并被连接有作为供电线之同轴线路(56);和供电天线(90),系被与同轴线路(56)作连接,并将电磁波电力辐射至导波路(44)之内部。供电天线(90),系具备有:天线本体(91),系具有与同轴线路(56)作连接之第1极(92)、和与导波路(44)之内侧导体(53)相接触之第2极(93);和反射部(94),系从前述天线本体(91)之两侧起而延伸,并形成为环状。

6. 发明专利

TWI619841B 電漿處理裝置及噴淋板有权
简体标题：等离子处理设备及喷淋板
公开(公告)号：TWI619841B
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW103109054
申请日：2014-03-13
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：河西繁 , KASAI, SHIGERU , 池田太郎 , IKEDA, TARO , 藤野豊 , FUJINO, YUTAKA
IPC分类号： C23C16/513 , C23C16/54
CPC分类号： C23C16/4401 , B05B1/005 , B05B1/14 , C23C16/452 , H01J37/32192 , H01J37/32293 , H01J37/3244

7. 发明专利

TW201508088A 電漿處理裝置及噴淋板审中-公开
简体标题：等离子处理设备及喷淋板
公开(公告)号：TW201508088A
公开(公告)日：2015-03-01
申请号：TW103109054
申请日：2014-03-13
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：河西繁 , KASAI, SHIGERU , 池田太郎 , IKEDA, TARO , 藤野豊 , FUJINO, YUTAKA
IPC分类号： C23C16/513 , C23C16/54
CPC分类号： C23C16/4401 , B05B1/005 , B05B1/14 , C23C16/452 , H01J37/32192 , H01J37/32293 , H01J37/3244
摘要：在電漿處理裝置中抑制前驅物沈積於噴淋板的氣孔，該電漿處理裝置係具有將氣體導入至處理容器內的噴淋板，且藉由微波使表面波電漿產生。在一種具有具備進行電漿處理之處理容器(10)與將第1氣體與第2氣體供給至處理容器(10)內之噴淋板(100)的電漿產生用天線(20)，且藉由以微波的供給而形成於噴淋板(100)表面的表面波，形成電漿來處理基板的電漿處理裝置，其特徵係，在噴淋板(100)係形成有：複數個氣孔(133)，將第1氣體供給至處理容器(10)內；及複數個供給噴嘴(160)，在不同於該複數個氣孔(133)的位置上，從噴淋板(100)的下面向垂直下方突出，並將第2氣體供給至處理容器(10)內。
简体摘要：在等离子处理设备中抑制前驱物沉积于喷淋板的气孔，该等离子处理设备系具有将气体导入至处理容器内的喷淋板，且借由微波使表面波等离子产生。在一种具有具备进行等离子处理之处理容器(10)与将第1气体与第2气体供给至处理容器(10)内之喷淋板(100)的等离子产生用天线(20)，且借由以微波的供给而形成于喷淋板(100)表面的表面波，形成等离子来处理基板的等离子处理设备，其特征系，在喷淋板(100)系形成有：复数个气孔(133)，将第1气体供给至处理容器(10)内；及复数个供给喷嘴(160)，在不同于该复数个气孔(133)的位置上，从喷淋板(100)的下面向垂直下方突出，并将第2气体供给至处理容器(10)内。

8. 发明专利

TW201345324A 低電子溫度微波表面波電漿處理方法及設備审中-公开
简体标题：低电子温度微波表面波等离子处理方法及设备
公开(公告)号：TW201345324A
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW102109501
申请日：2013-03-18
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：趙建平 , ZHAO, JIANPING , 陳立 , CHEN, LEE , 多納利文生M , DONNELLY, VINCENT M. , 伊格羅莫德密其J , ECONOMOU, DEMETRE J. , 方克梅瑞特 , FUNK, MERRITT , 聖德拉真瑞德哈 , SUNDARARAJAN, RADHA
IPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32192 , C23C16/511 , H01J37/32293 , H05H1/46 , H05H2001/4615 , H05H2001/463
摘要：一種表面波電漿(SWP)源經由如徑向線槽孔天線耦合脈動的微波(MW)能量至處理室中以導致低平均電子能量(Te)。為了避免微波能量在脈動之間當電漿密度低時撞擊基板的表面，如螺旋感應源、平面RF線圈、或其他感應耦合源的ICP源係設置在SWP源及基板之間，以產生對微波能量而言無法穿透的電漿。亦可使ICP源與MW電漿的脈動同步、與MW脈動的向上勻變同相地產生脈動。ICP亦添加電漿之邊緣稠密分布至大致在腔室中心的MW電漿以改善電漿均勻性。
简体摘要：一种表面波等离子(SWP)源经由如径向线槽孔天线耦合脉动的微波(MW)能量至处理室中以导致低平均电子能量(Te)。为了避免微波能量在脉动之间当等离子密度低时撞击基板的表面，如螺旋感应源、平面RF线圈、或其他感应耦合源的ICP源系设置在SWP源及基板之间，以产生对微波能量而言无法穿透的等离子。亦可使ICP源与MW等离子的脉动同步、与MW脉动的向上匀变同相地产生脉动。ICP亦添加等离子之边缘稠密分布至大致在腔室中心的MW等离子以改善等离子均匀性。

9. 发明专利

TW201332402A 微波放射機構、表面波電漿源及表面波電漿處理裝置审中-公开
简体标题：微波放射机构、表面波等离子源及表面波等离子处理设备
公开(公告)号：TW201332402A
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW101133756
申请日：2012-09-14
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：池田太郎 , IKEDA, TARO , 長田勇輝 , OSADA, YUKI , 宮下大幸 , MIYASHITA, HIROYUKI , 河西繁 , KASAI, SHIGERU
IPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32 , H05H1/00
CPC分类号： H01J37/3222 , H01J37/32293 , H01J37/32935
摘要：微波放射機構(41)具備有表面波電漿產生用天線(81)、由介電體所構成之慢波材(82)、藉由從天線(81)被放射之微波形成用以生成表面波電漿之電場之介電體構件(83)、電場感測器(112)或電漿發光感測器(113)，及被設置成貫通慢波材(82)及表面波電漿產生用天線(81)的感測器插入孔(110)。感測器插入孔(110)係在對應於縫槽內側之區域，以縫槽之一個以上之整數倍之個數均等地被形成在同一圓周上，電場感測器(112)或電漿發光感測器(113)被插入至感測器插入孔(110)之至少一個。
简体摘要：微波放射机构(41)具备有表面波等离子产生用天线(81)、由介电体所构成之慢波材(82)、借由从天线(81)被放射之微波形成用以生成表面波等离子之电场之介电体构件(83)、电场传感器(112)或等离子发光传感器(113)，及被设置成贯通慢波材(82)及表面波等离子产生用天线(81)的传感器插入孔(110)。传感器插入孔(110)系在对应于缝槽内侧之区域，以缝槽之一个以上之整数倍之个数均等地被形成在同一圆周上，电场传感器(112)或等离子发光传感器(113)被插入至传感器插入孔(110)之至少一个。

10. 发明专利

TW201010528A 電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW201010528A
公开(公告)日：2010-03-01
申请号：TW097136663
申请日：2008-09-24
申请人：日立全球先端科技股份有限公司
发明人：渡邊成一 , 安井尚輝 , 田內勤 , 西森康博
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H01J37/32293 , H01J37/32192 , H01J37/32229 , H01J37/32449 , H01J2237/2001
摘要：提供一種蝕刻加工形狀之於晶圓面內之均勻性良好、適合極微細加工火多層膜蝕刻的電漿處理裝置。具備：減壓處理室（8），內部可被減壓；氣體供給手段（9），用於對該減壓處理室內供給處理氣體；微波供給手段（1），用於對上述減壓處理室內供給微波而產生電漿；試料載置電極（11），於上述減壓處理室內載置、保持被處理構件之試料；及真空排氣手段（14），連接於上述減壓處理室，用於排氣該減壓處理室內之氣體；使上述減壓處理室、氣體供給手段之對於處理室之氣體供給部、微波供給手段之對於處理室之微波導入部、試料載置電極、及真空排氣手段，對於上述減壓處理室之中心軸被配置於同軸上，上述微波導入部，係具備微波旋轉產生器（22），用於使輸入之微波之極化面旋轉而供給至上述處理室。
简体摘要：提供一种蚀刻加工形状之于晶圆面内之均匀性良好、适合极微细加工火多层膜蚀刻的等离子处理设备。具备：减压处理室（8），内部可被减压；气体供给手段（9），用于对该减压处理室内供给处理气体；微波供给手段（1），用于对上述减压处理室内供给微波而产生等离子；试料载置电极（11），于上述减压处理室内载置、保持被处理构件之试料；及真空排气手段（14），连接于上述减压处理室，用于排气该减压处理室内之气体；使上述减压处理室、气体供给手段之对于处理室之气体供给部、微波供给手段之对于处理室之微波导入部、试料载置电极、及真空排气手段，对于上述减压处理室之中心轴被配置于同轴上，上述微波导入部，系具备微波旋转产生器（22），用于使输入之微波之极化面旋转而供给至上述处理室。

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