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1. 发明专利

TWI632607B 基板之高精度蝕刻用方法及系統有权
简体标题：基板之高精度蚀刻用方法及系统
公开(公告)号：TWI632607B
公开(公告)日：2018-08-11
申请号：TW105102299
申请日：2016-01-26
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：趙建平 , ZHAO, JIANPING , 方克梅瑞特 , FUNK, MERRITT
IPC分类号： H01L21/3065

2. 发明专利

TWI527082B 電漿處理系統有权
简体标题：等离子处理系统
公开(公告)号：TWI527082B
公开(公告)日：2016-03-21
申请号：TW103109729
申请日：2014-03-14
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：方克梅瑞特 , FUNK, MERRITT , 趙建平 , ZHAO, JIANPING , 陳立 , CHEN, LEE , 凡特薩克彼得 , VENTZEK, PETER , 野澤俊久 , NOZAWA, TOSHIHISA , 岩尾俊彥 , IWAO, TOSHIHIKO
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32229 , H01J37/32211 , H01J37/32238 , H01L21/67017 , H01L21/67069

3. 发明专利

TWI494968B 利用微波共振器電漿源中之電漿調整桿處理基板的系統及方法有权
简体标题：利用微波共振器等离子源中之等离子调整杆处理基板的系统及方法
公开(公告)号：TWI494968B
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW101135640
申请日：2012-09-27
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：趙建平 , ZHAO, JIANPING , 陳立 , CHEN, LEE , 方克梅瑞特 , FUNK, MERRITT , 岩尾俊彦 , IWAO, TOSHIHIKO , 凡特薩克彼得LG , VENTZEK, PETER LG
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32256 , H01J37/32247 , H01J37/32935 , H01L22/00

4. 发明专利

TW201639028A 基板之高精度蝕刻用方法及系統审中-公开
简体标题：基板之高精度蚀刻用方法及系统
公开(公告)号：TW201639028A
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW105102299
申请日：2016-01-26
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：趙建平 , ZHAO, JIANPING , 方克梅瑞特 , FUNK, MERRITT
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/32715 , H01J37/32733
摘要：本揭露內容係關於用於微電子基板之高精度蝕刻的電漿處理系統及方法。該系統可包含電漿腔室，其可產生電漿以移除單層(單或複數)的基板。電漿處理可包含兩步驟之處理，其使用第一電漿以在微電子基板表面形成薄吸附層。當系統轉換為第二電漿時或將基板移至第一電漿內具有較高離子能量的不同位置時，可移除該吸附層。在一特定實施例中，可藉由在電漿處理條件未改變或具有相當小之改變的情況下改變基板相對於源電極的位置，來達成第一與第二電漿間之轉換。
简体摘要：本揭露内容系关于用于微电子基板之高精度蚀刻的等离子处理系统及方法。该系统可包含等离子腔室，其可产生等离子以移除单层(单或复数)的基板。等离子处理可包含两步骤之处理，其使用第一等离子以在微电子基板表面形成薄吸附层。当系统转换为第二等离子时或将基板移至第一等离子内具有较高离子能量的不同位置时，可移除该吸附层。在一特定实施例中，可借由在等离子处理条件未改变或具有相当小之改变的情况下改变基板相对于源电极的位置，来达成第一与第二等离子间之转换。

5. 发明专利

TWI536873B 低電子溫度微波表面波電漿處理方法及設備有权
简体标题：低电子温度微波表面波等离子处理方法及设备
公开(公告)号：TWI536873B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW102109501
申请日：2013-03-18
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：趙建平 , ZHAO, JIANPING , 陳立 , CHEN, LEE , 多納利文生M , DONNELLY, VINCENT M. , 伊格羅莫德密其J , ECONOMOU, DEMETRE J. , 方克梅瑞特 , FUNK, MERRITT , 聖德拉真瑞德哈 , SUNDARARAJAN, RADHA
IPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32192 , C23C16/511 , H01J37/32293 , H05H1/46 , H05H2001/4615 , H05H2001/463

6. 发明专利

TW201501573A 微波共振器處理系統中之電漿調整桿审中-公开
简体标题：微波共振器处理系统中之等离子调整杆
公开(公告)号：TW201501573A
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW103108246
申请日：2014-03-10
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：趙建平 , ZHAO, JIANPING , 岩尾俊彥 , IWAO, TOSHIHIKO , 陳立 , CHEN, LEE , 凡特薩克彼得L G , VENTZEK, PETER L. G. , 方克梅瑞特 , FUNK, MERRITT
IPC分类号： H05H1/34
摘要：一種電漿調整桿系統，設有一個以上微波腔，其建構成藉由在電漿之內和/或鄰近電漿處於一個以上電漿調整桿（170a-j與175a-j、270a-h與275a-h、370a-f與375a-f、470a-d與475a-d、570a-d與575a-d、670a-d與675a-d、770a-d與775a-d、911a-f、912a-f、1070a-h與1075a-h、1170與1175）產生共振微波能量，將電磁（EM）能量在所欲的電磁波模態下耦合至電漿。一個以上微波腔組件（168a、168b、268a、268b、368a、368b、468a、468b、968a-f、1168）可連結至製程腔室（110、210、310、410、910、1010、1110），且可包含一個以上調整空間/腔（169a、169b、269a、269b、369a、369b、469a、469b、1069a-d、1169）。各調整空間/腔可具有一個以上與其連結之電漿調整桿。該等電漿調整桿可建構成將EM能量自共振腔耦合至製程腔室內的製程空間（115、215、315、415、915、1015）且藉此在製程空間內產生均勻電漿。
简体摘要：一种等离子调整杆系统，设有一个以上微波腔，其建构成借由在等离子之内和/或邻近等离子处于一个以上等离子调整杆（170a-j与175a-j、270a-h与275a-h、370a-f与375a-f、470a-d与475a-d、570a-d与575a-d、670a-d与675a-d、770a-d与775a-d、911a-f、912a-f、1070a-h与1075a-h、1170与1175）产生共振微波能量，将电磁（EM）能量在所欲的电磁波模态下耦合至等离子。一个以上微波腔组件（168a、168b、268a、268b、368a、368b、468a、468b、968a-f、1168）可链接至制程腔室（110、210、310、410、910、1010、1110），且可包含一个以上调整空间/腔（169a、169b、269a、269b、369a、369b、469a、469b、1069a-d、1169）。各调整空间/腔可具有一个以上与其链接之等离子调整杆。该等等离子调整杆可建构成将EM能量自共振腔耦合至制程腔室内的制程空间（115、215、315、415、915、1015）且借此在制程空间内产生均匀等离子。

7. 发明专利

TWI461114B 安定之表面波電漿源有权
简体标题：安定之表面波等离子源
公开(公告)号：TWI461114B
公开(公告)日：2014-11-11
申请号：TW099130390
申请日：2010-09-08
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：陳立 , CHEN, LEE , 趙建平 , ZHAO, JIANPING , 波凡尼克羅那德 , BRAVENEC, RONALD , 方克梅瑞特 , FUNK, MERRITT
IPC分类号： H05H1/46 , H01Q13/10
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01L21/67005 , H01Q13/10

8. 发明专利

TWI568317B 微波共振器處理系統中之電漿調整桿有权
简体标题：微波共振器处理系统中之等离子调整杆
公开(公告)号：TWI568317B
公开(公告)日：2017-01-21
申请号：TW103108246
申请日：2014-03-10
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：趙建平 , ZHAO, JIANPING , 岩尾俊彥 , IWAO, TOSHIHIKO , 陳立 , CHEN, LEE , 凡特薩克彼得L G , VENTZEK, PETER L. G. , 方克梅瑞特 , FUNK, MERRITT
IPC分类号： H05H1/34

9. 发明专利

TWI539484B 使用電漿處理用電漿調整桿之系統有权
简体标题：使用等离子处理用等离子调整杆之系统
公开(公告)号：TWI539484B
公开(公告)日：2016-06-21
申请号：TW103108498
申请日：2014-03-11
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：趙建平 , ZHAO, JIANPING , 凡特薩克彼得L G , VENTZEK, PETER L. G. , 陳立 , CHEN, LEE , 連恩巴頓 , LANE, BARTON , 方克梅瑞特 , FUNK, MERRITT , 桑德拉拉珍瑞德哈 , SUNDARARAJAN, RADHA , 岩尾俊彥 , IWAO, TOSHIHIKO , 陳智穎 , CHEN, ZHIYING
IPC分类号： H01J37/305
CPC分类号： H01J37/32256

10. 发明专利

TWI505355B 微波處理系統中之電漿調整桿有权
简体标题：微波处理系统中之等离子调整杆
公开(公告)号：TWI505355B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：TW101135638
申请日：2012-09-27
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：趙建平 , ZHAO, JIANPING , 陳立 , CHEN, LEE , 方克梅瑞特 , FUNK, MERRITT , 岩尾俊彦 , IWAO, TOSHIHIKO , 凡特薩克彼得LG , VENTZEK, PETER LG
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32192 , H01J37/32247 , H01J37/32256 , Y10T29/49002

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