专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI584340B 微波放射機構、微波電漿源及表面波電漿處理裝置有权
简体标题：微波放射机构、微波等离子源及表面波等离子处理设备
公开(公告)号：TWI584340B
公开(公告)日：2017-05-21
申请号：TW102101628
申请日：2013-01-16
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：池田太郎 , IKEDA, TARO , 宮下大幸 , MIYASHITA, HIROYUKI , 長田勇輝 , OSADA, YUKI , 藤野豊 , FUJINO, YUTAKA , 小松智仁 , KOMATSU, TOMOHITO
IPC分类号： H01J37/32 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32266 , H01J37/32192 , H01J37/32201 , H01J37/3222 , H01J37/32229 , H05H1/46 , H05H2001/4615 , H05H2001/4622 , H05H2001/463

2. 发明专利

TW201528320A 電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW201528320A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：TW103131343
申请日：2014-09-11
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：池田太郎 , IKEDA, TARO , 河西繁 , KASAI, SHIGERU , 原恵美子 , HARA, EMIKO , 藤野豊 , FUJINO, YUTAKA , 長田勇輝 , OSADA, YUKI , 中込淳 , NAKAGOMI, JUN , 小松智仁 , KOMATSU, TOMOHITO
IPC分类号： H01J37/32 , C23C16/455 , C23C16/511
CPC分类号： C23C16/511 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/3244 , H01J2237/332 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/02532 , H01L21/0262
摘要：在電漿處理裝置中抑制成膜於噴淋板的氣孔且有效率地使電漿產生，該電漿處理裝置係具有將氣體導入至處理容器內的噴淋板，且藉由微波使表面波電漿產生。具備了進行電漿處理之處理容器(10)與將氣體供給到處理容器(10)內之噴淋板(100)的電漿處理裝置，係具有：下垂構件(101)，從噴淋板(100)之下端面向下方突出。下垂構件(101)之外側面，係從上端部朝向下端部往外側擴展，噴淋板(100)，係具備有：複數個第1供給口(133)，將第1氣體供給至處理容器(10)內；及複數個第2供給口(151)，供給第2氣體，第1氣體供給口(133)係配置於比下垂構件(101)之外側面更靠近內側，第2氣體供給口(151)係配置於比下垂構件之外側面更靠近外側。
简体摘要：在等离子处理设备中抑制成膜于喷淋板的气孔且有效率地使等离子产生，该等离子处理设备系具有将气体导入至处理容器内的喷淋板，且借由微波使表面波等离子产生。具备了进行等离子处理之处理容器(10)与将气体供给到处理容器(10)内之喷淋板(100)的等离子处理设备，系具有：下垂构件(101)，从喷淋板(100)之下端面向下方突出。下垂构件(101)之外侧面，系从上端部朝向下端部往外侧扩展，喷淋板(100)，系具备有：复数个第1供给口(133)，将第1气体供给至处理容器(10)内；及复数个第2供给口(151)，供给第2气体，第1气体供给口(133)系配置于比下垂构件(101)之外侧面更靠近内侧，第2气体供给口(151)系配置于比下垂构件之外侧面更靠近外侧。

3. 发明专利

TWI643236B 電漿處理裝置有权
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TWI643236B
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW103131343
申请日：2014-09-11
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：池田太郎 , IKEDA, TARO , 河西繁 , KASAI, SHIGERU , 原恵美子 , HARA, EMIKO , 藤野豊 , FUJINO, YUTAKA , 長田勇輝 , OSADA, YUKI , 中込淳 , NAKAGOMI, JUN , 小松智仁 , KOMATSU, TOMOHITO
IPC分类号： H01J37/32 , C23C16/455 , C23C16/511

4. 发明专利

TW201536115A 微波電漿源及電漿處理裝置审中-公开
简体标题：微波等离子源及等离子处理设备
公开(公告)号：TW201536115A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW103143305
申请日：2014-12-11
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：小松智仁 , KOMATSU, TOMOHITO , 池田太郎 , IKEDA, TARO , 藤野豊 , FUJINO, YUTAKA
IPC分类号： H05H1/30 , H01L21/67
CPC分类号： H01J37/32266 , H01J37/32192 , H01J37/32211 , H01J37/3222 , H01J37/32238
摘要：提供確保電漿之擴散，而即使減少微波放射部之數量亦可以形成均勻之表面波電漿的微波電漿源。微波電漿源(2)具有微波輸出部(30)、微波供給部(40)和微波放射板(50)。微波供給部(40)具有沿著圓周方向而在微波放射構件(50)之周緣部(50a)之上設置複數個的微波導入機構(43)，微波放射板(50)具備：具有微波放射用之槽孔(123)的槽孔天線(124)，其係沿著微波導入機構配置區域而以全體形狀成為圓周狀之方式被設置複數個；和微波穿透構件(122)，其係在與微波導入機構配置區域對應之位置，以覆蓋槽孔(123)之方式被設置成圓周狀，穿透從槽孔(123)被放射之微波。
简体摘要：提供确保等离子之扩散，而即使减少微波放射部之数量亦可以形成均匀之表面波等离子的微波等离子源。微波等离子源(2)具有微波输出部(30)、微波供给部(40)和微波放射板(50)。微波供给部(40)具有沿着圆周方向而在微波放射构件(50)之周缘部(50a)之上设置复数个的微波导入机构(43)，微波放射板(50)具备：具有微波放射用之槽孔(123)的槽孔天线(124)，其系沿着微波导入机构配置区域而以全体形状成为圆周状之方式被设置复数个；和微波穿透构件(122)，其系在与微波导入机构配置区域对应之位置，以覆盖槽孔(123)之方式被设置成圆周状，穿透从槽孔(123)被放射之微波。

5. 发明专利

TWI575553B 電漿處理裝置及電漿的監控方法有权
简体标题：等离子处理设备及等离子的监控方法
公开(公告)号：TWI575553B
公开(公告)日：2017-03-21
申请号：TW102104375
申请日：2013-02-05
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：藤野豊 , FUJINO, YUTAKA , 福田良則 , FUKUDA, YOSHINORI , 北川淳一 , KITAGAWA, JUNICHI , 山本伸彥 , YAMAMOTO, NOBUHIKO
IPC分类号： H01J37/32

6. 发明专利

TW201339352A 電漿處理方法及電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理方法及等离子处理设备
公开(公告)号：TW201339352A
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW102103994
申请日：2013-02-01
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：塩澤俊彦 , SHIOZAWA, TOSHIHIKO , 宮原準 , MIYAHARA, JUNYA , 藤野豊 , FUJINO, YUTAKA
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/50
CPC分类号： H01L21/02164 , H01J37/32201 , H01J37/32238 , H01J37/32266 , H01J37/32311 , H01L21/0217 , H01L21/02238 , H01L21/02247 , H01L21/02252 , H05H1/46 , H05H2001/463
摘要：於處理容器內導入複數微波，使用產生電漿之方式的電漿處理裝置，將複數微波功率合計設為晶圓W之每單位面積1W/cm2以下來產生電漿。例如，電漿氧化處理係使用電漿生成用之稀有氣體與含氧氣體，將處理溫度設為100℃以下，由開始供給微波後30秒間的平均氧化率設為0.03nm/秒以下。藉由複數微波點燃電漿時不進行阻抗匹配，藉由電漿處理晶圓W時進行阻抗匹配為較佳。
简体摘要：于处理容器内导入复数微波，使用产生等离子之方式的等离子处理设备，将复数微波功率合计设为晶圆W之每单位面积1W/cm2以下来产生等离子。例如，等离子氧化处理系使用等离子生成用之稀有气体与含氧气体，将处理温度设为100℃以下，由开始供给微波后30秒间的平均氧化率设为0.03nm/秒以下。借由复数微波点燃等离子时不进行阻抗匹配，借由等离子处理晶圆W时进行阻抗匹配为较佳。

7. 发明专利

TWI619841B 電漿處理裝置及噴淋板有权
简体标题：等离子处理设备及喷淋板
公开(公告)号：TWI619841B
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW103109054
申请日：2014-03-13
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：河西繁 , KASAI, SHIGERU , 池田太郎 , IKEDA, TARO , 藤野豊 , FUJINO, YUTAKA
IPC分类号： C23C16/513 , C23C16/54
CPC分类号： C23C16/4401 , B05B1/005 , B05B1/14 , C23C16/452 , H01J37/32192 , H01J37/32293 , H01J37/3244

8. 发明专利

TW201508088A 電漿處理裝置及噴淋板审中-公开
简体标题：等离子处理设备及喷淋板
公开(公告)号：TW201508088A
公开(公告)日：2015-03-01
申请号：TW103109054
申请日：2014-03-13
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：河西繁 , KASAI, SHIGERU , 池田太郎 , IKEDA, TARO , 藤野豊 , FUJINO, YUTAKA
IPC分类号： C23C16/513 , C23C16/54
CPC分类号： C23C16/4401 , B05B1/005 , B05B1/14 , C23C16/452 , H01J37/32192 , H01J37/32293 , H01J37/3244
摘要：在電漿處理裝置中抑制前驅物沈積於噴淋板的氣孔，該電漿處理裝置係具有將氣體導入至處理容器內的噴淋板，且藉由微波使表面波電漿產生。在一種具有具備進行電漿處理之處理容器(10)與將第1氣體與第2氣體供給至處理容器(10)內之噴淋板(100)的電漿產生用天線(20)，且藉由以微波的供給而形成於噴淋板(100)表面的表面波，形成電漿來處理基板的電漿處理裝置，其特徵係，在噴淋板(100)係形成有：複數個氣孔(133)，將第1氣體供給至處理容器(10)內；及複數個供給噴嘴(160)，在不同於該複數個氣孔(133)的位置上，從噴淋板(100)的下面向垂直下方突出，並將第2氣體供給至處理容器(10)內。
简体摘要：在等离子处理设备中抑制前驱物沉积于喷淋板的气孔，该等离子处理设备系具有将气体导入至处理容器内的喷淋板，且借由微波使表面波等离子产生。在一种具有具备进行等离子处理之处理容器(10)与将第1气体与第2气体供给至处理容器(10)内之喷淋板(100)的等离子产生用天线(20)，且借由以微波的供给而形成于喷淋板(100)表面的表面波，形成等离子来处理基板的等离子处理设备，其特征系，在喷淋板(100)系形成有：复数个气孔(133)，将第1气体供给至处理容器(10)内；及复数个供给喷嘴(160)，在不同于该复数个气孔(133)的位置上，从喷淋板(100)的下面向垂直下方突出，并将第2气体供给至处理容器(10)内。

9. 发明专利

TW201346973A 電漿處理裝置及電漿的監控方法审中-公开
简体标题：等离子处理设备及等离子的监控方法
公开(公告)号：TW201346973A
公开(公告)日：2013-11-16
申请号：TW102104375
申请日：2013-02-05
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：藤野豊 , FUJINO, YUTAKA , 福田良則 , FUKUDA, YOSHINORI , 北川淳一 , KITAGAWA, JUNICHI , 山本伸彥 , YAMAMOTO, NOBUHIKO
IPC分类号： H01J37/32
摘要：本發明的課題是在處理容器內從複數的部位導入微波的方式的電漿處理裝置中，將藉由複數的微波所生成的複數的電漿的狀態予以區別而監控。其解決手段為：電漿處理裝置(1)係具備對處理容器(2)內導入微波的微波導入裝置(5)。微波導入裝置(5)係包含嵌合於頂部(11)的複數的開口部之複數的微波透過板(73)。發光感測器(92)係分別設在微波導入裝置(5)的各天線模組(61)。發光感測器(92)係經由微波透過板(73)來檢測出在微波透過板(73)的正下面的處理容器(2)內所生成的電漿的特定波長的發光。檢測對象的波長係根據藉由從彼此鄰接的2個微波透過板(73)所分別導入的微波而生成的2個電漿的發光強度的比來選擇。
简体摘要：本发明的课题是在处理容器内从复数的部位导入微波的方式的等离子处理设备中，将借由复数的微波所生成的复数的等离子的状态予以区别而监控。其解决手段为：等离子处理设备(1)系具备对处理容器(2)内导入微波的微波导入设备(5)。微波导入设备(5)系包含嵌合于顶部(11)的复数的开口部之复数的微波透过板(73)。发光传感器(92)系分别设在微波导入设备(5)的各天线模块(61)。发光传感器(92)系经由微波透过板(73)来检测出在微波透过板(73)的正下面的处理容器(2)内所生成的等离子的特定波长的发光。检测对象的波长系根据借由从彼此邻接的2个微波透过板(73)所分别导入的微波而生成的2个等离子的发光强度的比来选择。

10. 发明专利

TW201344741A 微波放射機構、微波電漿源及表面波電漿處理裝置审中-公开
简体标题：微波放射机构、微波等离子源及表面波等离子处理设备
公开(公告)号：TW201344741A
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW102101628
申请日：2013-01-16
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：池田太郎 , IKEDA, TARO , 宮下大幸 , MIYASHITA, HIROYUKI , 長田勇輝 , OSADA, YUKI , 藤野豊 , FUJINO, YUTAKA , 小松智仁 , KOMATSU, TOMOHITO
IPC分类号： H01J37/32 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32266 , H01J37/32192 , H01J37/32201 , H01J37/3222 , H01J37/32229 , H05H1/46 , H05H2001/4615 , H05H2001/4622 , H05H2001/463
摘要： [課題]提供可以提升增加輸入電力之時的電漿密度(電子密度)增加率的微波放射機構。[解決手段]微波放射機構(43)具有傳送微波的微波傳送路(44)，和對腔室(1)內放射在微波傳送路(44)被傳送之微波的天線部(45)，天線部(45)具有形成有放射微波之縫槽(131)的天線(81)，和使從天線(81)被放射之微波透過，在其表面形成表面波的介電體構件(110b)，並且具有包含縫槽(131)內壁及介電體構件(110b)之表面及內部的流動表面電流及位移電流之閉路(C)，閉路(C)之長度係於將微波之波長設為λ0之時，成為nλ0±δ(n為正的整數，δ為微調整成分(包含0))。
简体摘要： [课题]提供可以提升增加输入电力之时的等离子密度(电子密度)增加率的微波放射机构。[解决手段]微波放射机构(43)具有发送微波的微波发送路(44)，和对腔室(1)内放射在微波发送路(44)被发送之微波的天线部(45)，天线部(45)具有形成有放射微波之缝槽(131)的天线(81)，和使从天线(81)被放射之微波透过，在其表面形成表面波的介电体构件(110b)，并且具有包含缝槽(131)内壁及介电体构件(110b)之表面及内部的流动表面电流及位移电流之闭路(C)，闭路(C)之长度系于将微波之波长设为λ0之时，成为nλ0±δ(n为正的整数，δ为微调整成分(包含0))。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式