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1. 发明专利

TWI608312B 微影基材標記工具及形成基材識別標記的方法有权
简体标题：微影基材标记工具及形成基材识别标记的方法
公开(公告)号：TWI608312B
公开(公告)日：2017-12-11
申请号：TW105133089
申请日：2016-10-13
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：林胡偉 , LIN, HU WEI , 許志賢 , HSU, CHIH HSIEN , 邱昱瑋 , CHIU, YU WEI , 陳海茵 , CHEN, HAI YIN , 王英豪 , WANG, YING HAO , 吳育恆 , WU, YU HEN
IPC分类号： G03F9/00 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： H01L23/544 , G03F7/70141 , G03F7/70541 , H01L21/0274 , H01L21/3086 , H01L21/67282 , H01L2223/54426 , H01L2223/54433

2. 发明专利

TWI606311B 脈衝光束之光譜特徵控制有权
简体标题：脉冲光束之光谱特征控制
公开(公告)号：TWI606311B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：TW105117663
申请日：2016-06-03
申请人：希瑪有限責任公司 , CYMER, LLC
发明人：阿拉瓦特拉赫 , AHLAWAT, RAHUL , 歐布萊恩凱文邁可 , O'BRIEN, KEVIN MICHAEL
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/2006 , G01B11/02 , G01J3/12 , G02B26/007 , G03F7/70 , G03F7/70141 , G03F7/70575 , H01S3/10 , H01S3/104 , H01S3/11

3. 发明专利

TWI598934B 曝光裝置及曝光方法、元件製造方法有权
简体标题：曝光设备及曝光方法、组件制造方法
公开(公告)号：TWI598934B
公开(公告)日：2017-09-11
申请号：TW104138732
申请日：2004-10-11
申请人：尼康股份有限公司 , NIKON CORPORATION
发明人：安田雅彥 , YASUDA, MASAHIKO , 正田隆博 , MASADA, TAKAHIRO , 金谷有步 , KANAYA, YUHO , 長山匡 , NAGAYAMA, TADASHI , 白石健一 , SHIRAISHI, KENICHI
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70341 , G03F7/70141 , G03F7/70716 , G03F9/7088

4. 发明专利

TWI594085B 照明光學設備和裝置製造方法有权
简体标题：照明光学设备和设备制造方法
公开(公告)号：TWI594085B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW104136163
申请日：2015-11-03
申请人：佳能股份有限公司 , CANON KABUSHIKI KAISHA
发明人：水谷将樹 , MIZUTANI, MASAKI
IPC分类号： G03F7/207 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70141 , G03F7/70075 , G03F7/70191 , G03F7/7085

5. 发明专利

TWI587097B 照明裝置、曝光設備、調整方法及製造物品的方法有权
简体标题：照明设备、曝光设备、调整方法及制造物品的方法
公开(公告)号：TWI587097B
公开(公告)日：2017-06-11
申请号：TW104118491
申请日：2015-06-08
申请人：佳能股份有限公司 , CANON KABUSHIKI KAISHA
发明人：米山義邦 , YONEYAMA, YOSHIKUNI , 昼間健太郎 , HIRUMA, KENTAROU , 大阪昇 , OSAKA, NOBORU
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70141 , G02B19/0028 , G02B19/0047 , G03F7/7005 , G03F7/70091 , G03F7/70133

6. 发明专利

TW201719293A 用於ＥＵＶ投射曝光裝置的照明系統、包含照明系統的ＥＵＶ投射曝光裝置以及操作ＥＵＶ投射曝光裝置的方法审中-公开
简体标题：用于ＥＵＶ投射曝光设备的照明系统、包含照明系统的ＥＵＶ投射曝光设备以及操作ＥＵＶ投射曝光设备的方法
公开(公告)号：TW201719293A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105127440
申请日：2016-08-26
申请人：卡爾蔡司SMT有限公司 , CARL ZEISS SMT GMBH
发明人：派翠克里斯多福 , PETRI, CHRISTOPH , 朗德丹尼爾 , RUNDE, DANIEL
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70141 , G03F7/70033 , G03F7/7085
摘要：一種用於一EUV投射曝光裝置(WSC)之一照明系統(ILL)係設計用以接收一EUV輻射源(LS)的EUV輻射(LR)及用以從所接收的EUV輻射的其中至少一部分成形照明輻射(ILR)，其中照明輻射在曝光操作期間係導向照明系統之一出口平面(ES)中的一照明場，其中EUV輻射源配置於與照明系統分離的一源模組(SM)，該源模組在照明系統之一入口平面(IS)中的一源位置(SP)產生一次級輻射源(SLS)。為了決定次級輻射源相對照明系統的一對準狀態，照明系統包含一對準狀態決定系統(ADS)，其中對準狀態決定系統包含一對準偵測器(AD)，其組態以接收從次級輻射源所發出之EUV輻射的一部份以及由此而產生代表對準狀態的一對準偵測器信號(AS)。此外，照明系統包含一反射鏡模組(MM)，其包含一使用反射鏡元件(UM)及一對準反射鏡元件(AM)，其中在曝光操作期間，使用反射鏡元件有助於入射在照明場上之照明輻射的成形且對準反射鏡元件反射次級輻射源之EUV輻射的一部分於對準偵測器的方向。反射鏡模組係具體化為一結構可交換反射鏡模組，且一光學對準輔助組件(AAC)係指派給照明系統，其中在光學對準輔助組件的協助下，可產生一對準輔助信號(AAS,AAS’)，其允許次級輻射源之對準狀態的檢查、或在交換反射鏡模組後之一對準反射鏡元件之一對準狀態的檢查。
简体摘要：一种用于一EUV投射曝光设备(WSC)之一照明系统(ILL)系设计用以接收一EUV辐射源(LS)的EUV辐射(LR)及用以从所接收的EUV辐射的其中至少一部分成形照明辐射(ILR)，其中照明辐射在曝光操作期间系导向照明系统之一出口平面(ES)中的一照明场，其中EUV辐射源配置于与照明系统分离的一源模块(SM)，该源模块在照明系统之一入口平面(IS)中的一源位置(SP)产生一次级辐射源(SLS)。为了决定次级辐射源相对照明系统的一对准状态，照明系统包含一对准状态决定系统(ADS)，其中对准状态决定系统包含一对准侦测器(AD)，其组态以接收从次级辐射源所发出之EUV辐射的一部份以及由此而产生代表对准状态的一对准侦测器信号(AS)。此外，照明系统包含一反射镜模块(MM)，其包含一使用反射镜组件(UM)及一对准反射镜组件(AM)，其中在曝光操作期间，使用反射镜组件有助于入射在照明场上之照明辐射的成形且对准反射镜组件反射次级辐射源之EUV辐射的一部分于对准侦测器的方向。反射镜模块系具体化为一结构可交换反射镜模块，且一光学对准辅助组件(AAC)系指派给照明系统，其中在光学对准辅助组件的协助下，可产生一对准辅助信号(AAS,AAS’)，其允许次级辐射源之对准状态的检查、或在交换反射镜模块后之一对准反射镜组件之一对准状态的检查。

7. 发明专利

TW201717258A 曝光裝置及曝光方法、以及元件製造方法审中-公开
简体标题：曝光设备及曝光方法、以及组件制造方法
公开(公告)号：TW201717258A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW105142239
申请日：2007-01-19
申请人：尼康股份有限公司 , NIKON CORPORATION
发明人：柴崎祐一 , SHIBAZAKI, YUICHI
IPC分类号： H01L21/027 , G03F9/00 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70725 , G01B11/27 , G01D5/26 , G01D5/266 , G01D18/002 , G03F7/70141 , G03F7/70341 , G03F7/70483 , G03F7/70516 , G03F7/70716 , G03F7/70775 , G03F7/70975 , Y10T29/49826
摘要：係使用干涉儀(16y)、與測量值的短期穩定性優於該干涉儀之編碼器((24A,26A1)(24B,26B1))，來測量移動體(RST)在Y軸方向之位置資訊，並根據該測量結果來執行既定之校正動作，以取得對編碼器的測量值進行修正之修正資訊。藉此，能使用干涉儀的測量值來取得修正資訊，該修正資訊係用以修正測量值的短期穩定性優於該干涉儀之編碼器的測量值。又，可根據編碼器的測量值與該修正資訊，來以良好精度將移動體驅動於Y軸方向。
简体摘要：系使用干涉仪(16y)、与测量值的短期稳定性优于该干涉仪之编码器((24A,26A1)(24B,26B1))，来测量移动体(RST)在Y轴方向之位置信息，并根据该测量结果来运行既定之校正动作，以取得对编码器的测量值进行修正之修正信息。借此，能使用干涉仪的测量值来取得修正信息，该修正信息系用以修正测量值的短期稳定性优于该干涉仪之编码器的测量值。又，可根据编码器的测量值与该修正信息，来以良好精度将移动体驱动于Y轴方向。

9. 发明专利

TWI537690B 對準感測器、微影裝置及對準方法有权
简体标题：对准传感器、微影设备及对准方法
公开(公告)号：TWI537690B
公开(公告)日：2016-06-11
申请号：TW103116295
申请日：2014-05-07
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：丹包伊夫亞歷傑福瑞 , DEN BOEF, ARIE JEFFREY , 麥提森賽門吉司伯喬瑟佛思 , MATHIJSSEN, SIMON GIJSBERT JOSEPHUS , 提那曼斯派翠西斯阿若瑟斯約克伯 , TINNEMANS, PATRICIUS ALOYSIUS JACOBUS
IPC分类号： G03F7/20 , G02B5/12
CPC分类号： G03F7/70141 , G01B11/272 , G03F9/7069 , G03F9/7088 , G03F9/7092

10. 发明专利

TWI528103B 用於ＥＵＶ微影之光罩與ＥＵＶ微影系統有权
简体标题：用于ＥＵＶ微影之光罩与ＥＵＶ微影系统
公开(公告)号：TWI528103B
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW100120847
申请日：2011-06-15
申请人：卡爾蔡司SMT有限公司 , CARL ZEISS SMT GMBH
发明人：勞夫喬哈尼斯 , RUOFF, JOHANNES , 克瑞墨丹尼爾
IPC分类号： G03F1/22
CPC分类号： G03F7/70141 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/22 , G03F1/24

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