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1. 发明专利

TWI607545B 使用雷射標示晶圓的方法有权
简体标题：使用激光标示晶圆的方法
公开(公告)号：TWI607545B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW104117877
申请日：2015-06-03
申请人： EO科技股份有限公司 , EO TECHNICS CO., LTD.
发明人：具春會 , GU, CHUN HOE , 金秀永 , KIM, SOO YOUNG , 鄭成釩 , JUNG, SUNG BEOM
IPC分类号： H01L23/544
CPC分类号： H01L23/544 , B23K26/0006 , B23K26/0084 , B23K26/082 , B23K26/18 , B23K26/352 , B23K2201/40 , B23K2203/56 , C03C23/0025 , H01L21/268 , H01L21/67282 , H01L21/6836 , H01L2223/54433 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

2. 发明专利

TW201629516A 檢查裝置及檢查方法审中-公开
简体标题：检查设备及检查方法
公开(公告)号：TW201629516A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：TW105101419
申请日：2016-01-18
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司 , HAMAMATSU PHOTONICS K. K.
发明人：鈴木信介 , SUZUKI, SHINSUKE , 寺田浩敏 , TERADA, HIROTOSHI , 松田俊輔 , MATSUDA, SHUNSUKE
IPC分类号： G01R31/302 , G01R31/26
CPC分类号： H01L22/26 , B23K26/0006 , B23K26/0084 , B23K26/0087 , B23K26/032 , B23K26/359 , B23K26/362 , B23K26/364 , B23K26/402 , B23K26/702 , B23K2201/42 , B23K2203/10 , B23K2203/166 , G02B5/208 , G06T7/0008 , G06T2207/10048 , G06T2207/10152 , G06T2207/30148 , G06T2207/30204 , H01L21/67282 , H01L23/544 , H01L2223/54426
摘要：本發明之檢查裝置具備：雷射光源；將雷射光從金屬層側照射至半導體器件之雷射標記用光學系；藉由控制雷射光源來控制雷射標記之控制部；在基板側檢測來自半導體器件之光並輸出光學反射像之二維照相機；及生成半導體器件之圖案圖像之解析部；且控制部以直至標記像顯現在圖案圖像上為止進行雷射標記之方式控制雷射光源。
简体摘要：本发明之检查设备具备：激光光源；将激光光从金属层侧照射至半导体器件之激光标记用光学系；借由控制激光光源来控制激光标记之控制部；在基板侧检测来自半导体器件之光并输出光学反射像之二维照相机；及生成半导体器件之图案图像之解析部；且控制部以直至标记像显现在图案图像上为止进行激光标记之方式控制激光光源。

3. 发明专利

TW201521100A 剝離暫時黏合之半導體晶圓审中-公开
简体标题：剥离暂时黏合之半导体晶圆
公开(公告)号：TW201521100A
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW104105728
申请日：2012-10-29
申请人：蘇斯微科微影公司 , SUSS MICROTEC LITHOGRAPHY GMBH
发明人：喬治葛瑞格 , GEORGE, GREGORY , 羅森索克里斯多夫 , ROSENTHAL, CHRISTOPHER
IPC分类号： H01L21/304 , B32B38/10
CPC分类号： H01L21/6835 , B32B38/10 , B32B38/1858 , B32B43/006 , B32B2309/105 , B32B2457/14 , H01L21/00 , H01L21/67092 , H01L21/67132 , H01L21/67282 , H01L21/6838 , H01L21/68707 , H01L21/68728 , H01L2221/683 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , H01L2221/6839 , Y10T156/11 , Y10T156/1142 , Y10T156/1168 , Y10T156/1179 , Y10T156/1184 , Y10T156/19 , Y10T156/1911 , Y10T156/1961 , Y10T156/1967 , Y10T156/1978
摘要：描述之方法及裝置對一器件晶圓與一載體晶圓之間之一黏著劑黏合提供一受控微擾。該受控微擾(其可為機械、化學、熱或輻射)在未損壞該器件晶圓之下促進該兩個晶圓之分離。該受控微擾在連結該兩個晶圓之黏著劑內、在該黏著劑層內之一介面處(諸如在一釋放層與該黏著劑之間)或在一晶圓/黏著劑介面處起始一裂縫。可接著使用用於起始該裂縫之前述方法之任何者，或其等之組合而傳播該裂縫。
简体摘要：描述之方法及设备对一器件晶圆与一载体晶圆之间之一黏着剂黏合提供一受控微扰。该受控微扰(其可为机械、化学、热或辐射)在未损坏该器件晶圆之下促进该两个晶圆之分离。该受控微扰在链接该两个晶圆之黏着剂内、在该黏着剂层内之一界面处(诸如在一释放层与该黏着剂之间)或在一晶圆/黏着剂界面处起始一裂缝。可接着使用用于起始该裂缝之前述方法之任何者，或其等之组合而传播该裂缝。

4. 发明专利

TWI444611B 檢測發光二極體封裝件之設備及使用其之檢測方法有权
简体标题：检测发光二极管封装件之设备及使用其之检测方法
公开(公告)号：TWI444611B
公开(公告)日：2014-07-11
申请号：TW099141675
申请日：2010-12-01
申请人：三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：林雙根 , LIM, SSANG GUN , 高升奎 , KO, SEUNG GYU , 權大甲 , KWON, DAE KAB , 安珠勳 , AN, JU HUN , 池元秀 , JI, WON SOO
IPC分类号： G01N21/88 , H01L33/00
CPC分类号： H01L21/67271 , G09G3/14 , H01L21/67259 , H01L21/67282 , H01L21/67294 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2924/00014

5. 发明专利

TWI340409B 晶圓切割方法 WAFER SAWING METHOD 有权
简体标题：晶圆切割方法 WAFER SAWING METHOD
公开(公告)号：TWI340409B
公开(公告)日：2011-04-11
申请号：TW096113436
申请日：2007-04-17
申请人：日月光半導體製造股份有限公司
发明人：彭勝揚
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B28D5/0082 , H01L21/67092 , H01L21/67282
摘要：一種晶圓切割方法，其適於藉由一刀具切割一晶圓，其中晶圓的一表面上具有多個切割道。首先，提供一載具，此載具的尺寸大於晶圓的尺寸，並且在載具上形成多個膠條或是至少一定位標記。然後，使晶圓的表面朝向載具而與載具接合，而上述的膠條或定位標記會延伸至或位於晶圓與載具的接合區域之外。接著，依據接合區域外的膠條或定位標記使刀具與載具之間達成定位。之後，藉由刀具來切割晶圓。此晶圓切割方法可達到準確且快速的切割，並符合高良率的要求。
简体摘要：一种晶圆切割方法，其适于借由一刀具切割一晶圆，其中晶圆的一表面上具有多个切割道。首先，提供一载具，此载具的尺寸大于晶圆的尺寸，并且在载具上形成多个胶条或是至少一定位标记。然后，使晶圆的表面朝向载具而与载具接合，而上述的胶条或定位标记会延伸至或位于晶圆与载具的接合区域之外。接着，依据接合区域外的胶条或定位标记使刀具与载具之间达成定位。之后，借由刀具来切割晶圆。此晶圆切割方法可达到准确且快速的切割，并符合高良率的要求。

6. 发明专利

TWI303088B 半導體製造裝置、半導體製造方法、以及半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING APPARATUS, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE 失效
简体标题：半导体制造设备、半导体制造方法、以及半导体设备 SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING APPARATUS, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TWI303088B
公开(公告)日：2008-11-11
申请号：TW095111955
申请日：2006-04-04
申请人：三菱電機股份有限公司 MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA
发明人：清水和宏 KAZUHIRO SHIMIZU , 秋山肇 HAJIME AKIYAMA , 保田直紀 NAOKI YASUDA
IPC分类号： H01L , G01R
CPC分类号： H01L21/67271 , H01L21/67282 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：半導體製造裝置中的描繪圖案印刷部係具有分別射出導電性溶劑、絕緣性溶劑、及界面處理液的印刷頭,根據來自晶圓測試部的描繪圖案的資訊、來自記憶部之關於該晶圓的資訊、及來自晶片座標辨識部的座標資訊,印刷頭被構成以可對該晶圓印刷期望的電路描繪圖案,半導體製造方法係使用半導體製造裝置透過印刷處理形成期望的電路以製造半導體裝置,在半導體裝置上形成墊電極等以可透過電路描繪圖案的印刷進行修整處理。
简体摘要：半导体制造设备中的描绘图案印刷部系具有分别射出导电性溶剂、绝缘性溶剂、及界面处理液的印刷头,根据来自晶圆测试部的描绘图案的信息、来自记忆部之关于该晶圆的信息、及来自芯片座标辨识部的座标信息,印刷头被构成以可对该晶圆印刷期望的电路描绘图案,半导体制造方法系使用半导体制造设备透过印刷处理形成期望的电路以制造半导体设备,在半导体设备上形成垫电极等以可透过电路描绘图案的印刷进行修整处理。

7. 发明专利

TW200741811A 積體電路設計之製造方法與系統 METHOD AND SYSTEM FOR MANUFACTURING INTEGRATED CIRCUIT DESIGNS 审中-公开
简体标题：集成电路设计之制造方法与系统 METHOD AND SYSTEM FOR MANUFACTURING INTEGRATED CIRCUIT DESIGNS
公开(公告)号：TW200741811A
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：TW096112855
申请日：2007-04-12
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：曾乙弘 YI-HONG TSENG , 吳冠良 KUAN-LIANG WU
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67282 , B23K26/14 , B23K26/40 , B23K2203/50 , G03F7/70425 , G03F7/70433 , H01L21/67294 , H01L23/5258 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本專利提出一套方法與一套系統,可用於局部移除多項目晶圓的電路圖案。藉由此方法與系統可成功移除多項目晶圓上的電路,因此可在不揭露其他使用者之電路情況下,將一完整之多項目晶圓提供給單一使用者。其程序為先定義其中一個使用者之積體電路設計為不需移除的部份,接著透過積體電路移除方法,將屬於其他客戶之積體電路完全移除。隨後,此部份電路已移除之多項目晶圓可提供給單一使用者進行電路測量,而不需擔心揭露其它使用者之設計電路。在一實例中,藉由一雷射系統可對於定義移除之積體電路進行完整的移除,於過程中不會對於留下之積體電路造成任何的影響。於另一實例中,利用一鑽石鋸片也可對已定義移除之積體電路進行完整的移除,於過程中不會對於定義留下之其它積體電路之電路效能造成任何的影響。
简体摘要：本专利提出一套方法与一套系统,可用于局部移除多项目晶圆的电路图案。借由此方法与系统可成功移除多项目晶圆上的电路,因此可在不揭露其他用户之电路情况下,将一完整之多项目晶圆提供给单一用户。其进程为先定义其中一个用户之集成电路设计为不需移除的部份,接着透过集成电路移除方法,将属于其他客户之集成电路完全移除。随后,此部份电路已移除之多项目晶圆可提供给单一用户进行电路测量,而不需担心揭露其它用户之设计电路。在一实例中,借由一激光系统可对于定义移除之集成电路进行完整的移除,于过程中不会对于留下之集成电路造成任何的影响。于另一实例中,利用一钻石锯片也可对已定义移除之集成电路进行完整的移除,于过程中不会对于定义留下之其它集成电路之电路性能造成任何的影响。

8. 发明专利

TWI288431B 用以於晶圓上標記辨識記號之方法與裝置 METHOD AND APPARATUS FOR MARKING AN IDENTIFICATION MARK IN A WAFER 失效
简体标题：用以于晶圆上标记辨识记号之方法与设备 METHOD AND APPARATUS FOR MARKING AN IDENTIFICATION MARK IN A WAFER
公开(公告)号：TWI288431B
公开(公告)日：2007-10-11
申请号：TW090113688
申请日：2001-06-06
申请人：三星電子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：鄭寶根 SIL-GUN JEONG , 朴慶信 KYOUNG-SHIN PARK , 曹喜允 KYOUNG-SHIN PARK , 朴炳 BYONG-CHEOL PARK
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67282 , B23K26/1435 , B23K26/1438 , B23K26/147 , H01L2223/54493
摘要：本文揭示一種用以於晶圓上標記辨識記號之方法與裝置。在晶圓對準之後，雷射束被放射到晶圓上一預定部位上，故該辨識記號被刻記在晶圓上。於雷射束被放射之際，一氣體朝向晶圓上該預定部位吹氣以便移除放射雷束造成在晶圓表面上產生的粒子。提供一排氣部以排空包括該等粒子的氣體。因此，可防止粒子黏在晶圓表面上，故於以下步驟進行時粒子造成的裝置故障可以防止。
简体摘要：本文揭示一种用以于晶圆上标记辨识记号之方法与设备。在晶圆对准之后，激光束被放射到晶圆上一预定部位上，故该辨识记号被刻记在晶圆上。于激光束被放射之际，一气体朝向晶圆上该预定部位吹气以便移除放射雷束造成在晶圆表面上产生的粒子。提供一排气部以排空包括该等粒子的气体。因此，可防止粒子黏在晶圆表面上，故于以下步骤进行时粒子造成的设备故障可以防止。

9. 发明专利

TW200713481A 多軸式打墨器 MULTI-AXES INKER 失效
简体标题：多轴式打墨器 MULTI-AXES INKER
公开(公告)号：TW200713481A
公开(公告)日：2007-04-01
申请号：TW094134376
申请日：2005-09-30
申请人：京元電子股份有限公司 KING YUAN ELECTRONICS CO., LTD
发明人：戴碧輝 DAI, JOHNNY
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67282
摘要：本發明揭露一種多軸式打墨器的裝置。此打墨器是用來標示在晶圓上有瑕疵的晶片,而傳統式的打墨器的第一軸桿會晃動造成打墨的誤差;本發明之打墨器,是在傳統式的打墨器上加裝一第二軸桿,用以固定第一軸桿,讓第一軸桿在工作時不會晃動,造成誤差的產生。
简体摘要：本发明揭露一种多轴式打墨器的设备。此打墨器是用来标示在晶圆上有瑕疵的芯片,而传统式的打墨器的第一轴杆会晃动造成打墨的误差;本发明之打墨器,是在传统式的打墨器上加装一第二轴杆,用以固定第一轴杆,让第一轴杆在工作时不会晃动,造成误差的产生。

10. 发明专利

TWI228816B 晶片大小標記裝置及其標記方法 CHIP SCALE MARKER AND MARKING METHOD 有权
简体标题：芯片大小标记设备及其标记方法 CHIP SCALE MARKER AND MARKING METHOD
公开(公告)号：TWI228816B
公开(公告)日：2005-03-01
申请号：TW092101557
申请日：2003-01-24
申请人： EO科技股份有限公司 EO TECHNICS CO., LTD.
发明人：韓裕熙 HAN, YOU HIE
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67282 , H01L23/544 , H01L2223/54473 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種晶片大小標記裝置及其標記方法。在使用晶片大小標記裝置的標記方法中，照射在晶圓片晶片上的雷射光束，是從雷射光源所發出，經過偏轉鏡和 f-theta聚焦鏡。該方法包括下列步驟：(a)測量在晶圓片上複數個點的位置資訊；(b)將測量所得的位置資訊傳送給一個控制器；(c)計算f-theta聚焦鏡與在晶圓片表面的該點之間的一標記距離，和從所傳送的位置資訊所得的一聚焦距離之間的偏差；以及(d)如果該偏差大於步驟(c)中的一預定值時，校準該晶圓片晶片，使其定位在 f-theta聚焦鏡的聚焦距離上。根據該晶片大小標記裝置，可以藉由測量及校準從雷射系統的f-theta聚焦鏡到每一晶圓片晶片的垂直距離，以使得晶圓片晶片可以與雷射系統的f-theta聚焦鏡保持一預定距離標記，而增加標記品質。
简体摘要：本发明提供一种芯片大小标记设备及其标记方法。在使用芯片大小标记设备的标记方法中，照射在晶圆片芯片上的激光光束，是从激光光源所发出，经过偏转镜和 f-theta聚焦镜。该方法包括下列步骤：(a)测量在晶圆片上复数个点的位置信息；(b)将测量所得的位置信息发送给一个控制器；(c)计算f-theta聚焦镜与在晶圆片表面的该点之间的一标记距离，和从所发送的位置信息所得的一聚焦距离之间的偏差；以及(d)如果该偏差大于步骤(c)中的一预定值时，校准该晶圆片芯片，使其定位在 f-theta聚焦镜的聚焦距离上。根据该芯片大小标记设备，可以借由测量及校准从激光系统的f-theta聚焦镜到每一晶圆片芯片的垂直距离，以使得晶圆片芯片可以与激光系统的f-theta聚焦镜保持一预定距离标记，而增加标记品质。

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