基本信息:
- 专利标题： 曝光裝置及曝光方法、元件製造方法
- 专利标题（中）：曝光设备及曝光方法、组件制造方法
- 申请号：TW104138732 申请日：2004-10-11
- 公开(公告)号：TWI598934B 公开(公告)日：2017-09-11
- 发明人： 安田雅彥 , YASUDA, MASAHIKO , 正田隆博 , MASADA, TAKAHIRO , 金谷有步 , KANAYA, YUHO , 長山匡 , NAGAYAMA, TADASHI , 白石健一 , SHIRAISHI, KENICHI
- 申请人： 尼康股份有限公司 , NIKON CORPORATION
- 专利权人： 尼康股份有限公司,NIKON CORPORATION
- 当前专利权人： 尼康股份有限公司,NIKON CORPORATION
- 代理人： 桂齊恆; 閻啟泰
- 优先权： 2003-350628 20031009;2004-045103 20040220
- 主分类号： H01L21/027
- IPC分类号： H01L21/027 ; G03F7/20
公开/授权文献:
- TW201612951A 曝光裝置及曝光方法、元件製造方法 公开/授权日：2016-04-01
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |