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1. 发明专利

TW201807183A 半導體製造用處理液、其製造方法、圖案形成方法及電子裝置的製造方法审中-公开
简体标题：半导体制造用处理液、其制造方法、图案形成方法及电子设备的制造方法
公开(公告)号：TW201807183A
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW106110701
申请日：2017-03-30
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：上村哲也 , KAMIMURA, TETSUYA
IPC分类号： C11D7/02 , C11D7/26 , G03F7/16 , G03F7/32 , G03F7/40 , H01L21/027 , H01L21/304 , H01L21/306
CPC分类号： G03F7/16 , G03F7/32 , G03F7/42 , H01L21/027 , H01L21/304
摘要：本發明的目的在於提供一種可抑制微影性能的惡化或缺陷的產生且可製造微細的抗蝕劑圖案或微細的半導體元件的半導體製造用處理液。本發明的實施形態的半導體製造用處理液含有：一種滿足下述要件（a）的化合物（A）、一種或兩種以上的滿足下述要件（b）的化合物（B）、以及一種或兩種以上的含有選自Al、B、S、N及K中的任一種元素的無機物（C）。此處，化合物（B）的含有率的合計為10-10質量%～0.1質量%，下述式I所表示的化合物（B）與無機物（C）的比率P為103～10-6。要件（a）：選自醇化合物、酮化合物及酯化合物中且含有率為90.0質量%～99.9999999質量%的化合物。要件（b）：碳數6以上的選自醇化合物、酮化合物、酯化合物、醚化合物及醛化合物中且含有率為10-11質量%～0.1質量%的化合物。（式I）P=[無機物（C）的總質量]/[化合物（B）的總質量]
简体摘要：本发明的目的在于提供一种可抑制微影性能的恶化或缺陷的产生且可制造微细的抗蚀剂图案或微细的半导体组件的半导体制造用处理液。本发明的实施形态的半导体制造用处理液含有：一种满足下述要件（a）的化合物（A）、一种或两种以上的满足下述要件（b）的化合物（B）、以及一种或两种以上的含有选自Al、B、S、N及K中的任一种元素的无机物（C）。此处，化合物（B）的含有率的合计为10-10质量%～0.1质量%，下述式I所表示的化合物（B）与无机物（C）的比率P为103～10-6。要件（a）：选自醇化合物、酮化合物及酯化合物中且含有率为90.0质量%～99.9999999质量%的化合物。要件（b）：碳数6以上的选自醇化合物、酮化合物、酯化合物、醚化合物及醛化合物中且含有率为10-11质量%～0.1质量%的化合物。（式I）P=[无机物（C）的总质量]/[化合物（B）的总质量]

2. 发明专利

TW201742113A 使用ＩＣＰ剝離劑的分層植入型光阻剝離製程审中-公开
简体标题：使用ＩＣＰ剥离剂的分层植入型光阻剥离制程
公开(公告)号：TW201742113A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW106106535
申请日：2017-02-24
申请人：瑪森科技公司 , MATTSON TECHNOLOGY, INC.
发明人：劉維華 , LIOU, WEI-HUA , 康俊彥 , KANG, CHUN-YEN , 芬尼阿波拉維杰M , VANIAPURA, VIJAY M. , 凡屋海奧M , PHAN-VU, HAI-AU M. , 馬蕭明 , MA, SHAWMING
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/47
CPC分类号： G03F7/42 , G03F7/423 , G03F7/427 , H01J2237/3342 , H01L21/31133 , H01L21/31138 , H01L22/24
摘要：用於，例如在離子植入被提供之後，將一光阻從一基板移除的多個製程。在一實施例中，一製程可以包括放置一具有一總體光阻的基板及一在一處理室中形成於該總體光阻上的外殼。該製程可以包括在該處理室中初始化一第一剝離製程。該製程可以包括在該第一剝離製程期間擷取一與一電漿相關的光發射訊號。該製程可以包括至少部份地基於該光發射訊號識別該第一剝離製程的一端點。該製程可以包括至少部份地基於該端點終止該第一剝離製程。該製程可以包括初始化一第二剝離製程以將該光阻從該基板移除。
简体摘要：用于，例如在离子植入被提供之后，将一光阻从一基板移除的多个制程。在一实施例中，一制程可以包括放置一具有一总体光阻的基板及一在一处理室中形成于该总体光阻上的外壳。该制程可以包括在该处理室中初始化一第一剥离制程。该制程可以包括在该第一剥离制程期间截取一与一等离子相关的光发射信号。该制程可以包括至少部份地基于该光发射信号识别该第一剥离制程的一端点。该制程可以包括至少部份地基于该端点终止该第一剥离制程。该制程可以包括初始化一第二剥离制程以将该光阻从该基板移除。

3. 发明专利

TW201736536A 熱硬化性著色組成物及固體攝像元件用彩色濾光片的製造方法审中-公开
简体标题：热硬化性着色组成物及固体摄像组件用彩色滤光片的制造方法
公开(公告)号：TW201736536A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：TW106101140
申请日：2017-01-13
申请人：東洋油墨SC控股股份有限公司 , TOYO INK SC HOLDINGS CO., LTD. , 東洋色材股份有限公司 , TOYOCOLOR CO., LTD. , 凸版印刷股份有限公司 , TOPPAN PRINTING CO.,LTD.
发明人：日岐憲司 , HIKI, KENJI , 井本知宏 , IMOTO, TOMOHIRO , 高橋聡 , TAKAHASHI, SATOSHI
IPC分类号： C09D163/00 , C09D7/12 , C09B67/22 , C09B67/46 , C09B67/20 , B01F17/52 , G03F7/11 , G03F7/40 , H01J37/32 , G02B5/20 , G02B5/22 , H01L27/14 , H04N9/07
CPC分类号： C08L63/00 , G02B5/20 , G03F7/42
摘要：本發明的課題在於提供一種對剝離液的耐性優異的固體攝像元件用彩色濾光片熱硬化性著色組成物、以及使用該著色組成物的彩色濾光片的製造方法。本發明的課題藉由一種熱硬化性著色組成物來解決，其用於固體攝像元件用彩色濾光片的製造，所述固體攝像元件用彩色濾光片包括對著色層（2）藉由乾式蝕刻進行圖案化而成的著色圖案（5），所述熱硬化性著色組成物的特徵在於：包含顏料（A）、分散劑（B）、熱硬化性化合物（C）及溶劑（D），所述顏料（A）於所述熱硬化性著色組成物的總固體成分中所佔的比例為50質量%以上，且所述分散劑（B）包含具有酸性官能基的分散劑（b1）及/或具有鹼性官能基的分散劑（b2），且所述熱硬化性化合物（C）包含山梨醇的縮水甘油酯化環氧化合物。
简体摘要：本发明的课题在于提供一种对剥离液的耐性优异的固体摄像组件用彩色滤光片热硬化性着色组成物、以及使用该着色组成物的彩色滤光片的制造方法。本发明的课题借由一种热硬化性着色组成物来解决，其用于固体摄像组件用彩色滤光片的制造，所述固体摄像组件用彩色滤光片包括对着色层（2）借由干式蚀刻进行图案化而成的着色图案（5），所述热硬化性着色组成物的特征在于：包含颜料（A）、分散剂（B）、热硬化性化合物（C）及溶剂（D），所述颜料（A）于所述热硬化性着色组成物的总固体成分中所占的比例为50质量%以上，且所述分散剂（B）包含具有酸性官能基的分散剂（b1）及/或具有碱性官能基的分散剂（b2），且所述热硬化性化合物（C）包含山梨醇的缩水甘油酯化环氧化合物。

4. 发明专利

TWI569113B 用於移除光阻的剝離劑組成物及使用其的光阻的剝離方法有权
简体标题：用于移除光阻的剥离剂组成物及使用其的光阻的剥离方法
公开(公告)号：TWI569113B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW104129086
申请日：2015-09-03
申请人： LG 化學股份有限公司 , LG CHEM, LTD.
发明人：朴泰文 , PARK, TAE MOON , 鄭大哲 , JUNG, DAE CHUL , 李東勳 , LEE, DONG HOON , 李友覽 , LEE, WOO RAM , 李賢濬 , LEE, HYUN JUN , 金周永 , KIM, JU YOUNG
IPC分类号： G03F7/42 , C11D3/30 , C11D3/44 , C11D1/82 , C09D9/00
CPC分类号： G03F7/42

5. 发明专利

TWI548738B 用於移除蝕刻後殘餘物之水性清潔劑有权
简体标题：用于移除蚀刻后残余物之水性清洁剂
公开(公告)号：TWI548738B
公开(公告)日：2016-09-11
申请号：TW100125073
申请日：2011-07-15
申请人：安堤格里斯公司 , ENTEGRIS, INC.
发明人：巴尼斯傑佛里A , BARNES, JEFFREY A. , 里皮史帝芬 , LIPPY, STEVEN , 張鵬 , ZHANG, PENG , 拉加雷姆雷哈 , RAJARAM, REKHA
IPC分类号： C11D7/00 , C23F1/14 , C23F11/10 , H01L21/306
CPC分类号： C11D11/0041 , C11D3/042 , G03F7/42 , H01L21/02063 , H01L21/02071

6. 发明专利

TWI547318B 旋轉處理裝置有权
简体标题：旋转处理设备
公开(公告)号：TWI547318B
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW103129703
申请日：2014-08-28
申请人：芝浦機械電子裝置股份有限公司 , SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION
发明人：古矢正明 , FURUYA, MASAAKI
IPC分类号： B05D1/40
CPC分类号： G03F7/162 , G03F7/3021 , G03F7/42 , H01L21/68728

7. 发明专利

TW201610613A 用於移除光阻的剝離劑組成物及使用其的光阻剝離方法审中-公开
简体标题：用于移除光阻的剥离剂组成物及使用其的光阻剥离方法
公开(公告)号：TW201610613A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW104126957
申请日：2015-08-19
申请人： LG 化學股份有限公司 , LG CHEM, LTD.
发明人：朴泰文 , PARK, TAE MOON , 鄭大哲 , JUNG, DAE CHUL , 李東勳 , LEE, DONG HOON , 李友覽 , LEE, WOO RAM , 李賢濬 , LEE, HYUN JUN , 金周永 , KIM, JU YOUNG
IPC分类号： G03F7/42 , C11D7/32
CPC分类号： G03F7/42 , C11D3/0073 , C11D3/2068 , C11D3/28 , C11D3/30 , C11D3/32 , C11D3/373 , C11D3/43 , C11D11/0047 , G03F7/11 , G03F7/325 , G03F7/40 , G03F7/425 , G03F7/426 , H01L21/0206 , H01L21/0274 , H01L21/0276
摘要：本發明是關於一種用於移除光阻之剝離劑組成物，其包括：重量平均分子量大於95公克/莫耳之鏈狀胺化合物；重量平均分子量不大於90公克/莫耳之鏈狀胺化合物；環狀胺化合物；醯胺類化合物，其中具有1-5個碳原子之直鏈或分支鏈烷基經氮單取代或二取代；以及極性有機溶劑，其中重量平均分子量大於95公克/莫耳之所述鏈狀胺化合物與重量平均分子量不大於90公克/莫耳之所述鏈狀胺化合物的重量比為1:1至1:10；以及使用其的光阻剝離方法。
简体摘要：本发明是关于一种用于移除光阻之剥离剂组成物，其包括：重量平均分子量大于95公克/莫耳之链状胺化合物；重量平均分子量不大于90公克/莫耳之链状胺化合物；环状胺化合物；酰胺类化合物，其中具有1-5个碳原子之直链或分支链烷基经氮单取代或二取代；以及极性有机溶剂，其中重量平均分子量大于95公克/莫耳之所述链状胺化合物与重量平均分子量不大于90公克/莫耳之所述链状胺化合物的重量比为1:1至1:10；以及使用其的光阻剥离方法。

8. 发明专利

TW201432046A 界面活性劑及其製造與使用方法审中-公开
简体标题：界面活性剂及其制造与使用方法
公开(公告)号：TW201432046A
公开(公告)日：2014-08-16
申请号：TW103102534
申请日：2014-01-23
申请人： 3M新設資產公司 , 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY
发明人：拉馬納威廉馬力歐 , LAMANNA, WILLIAM MARIO , 沙維派翠西亞瑪莉 , SAVU, PATRICIA MARIE , 奇瑞恩傑森麥克 , KEHREN, JASON MICHAEL
IPC分类号： C11D1/00 , G03F7/32
CPC分类号： C11D11/0047 , C07C303/36 , C07C311/00 , C08F14/18 , C08F290/062 , C08F290/065 , C11D1/004 , C11D1/83 , G03F7/40 , G03F7/42 , G03F7/426
摘要：本發明提供具有下式之陰離子界面活性劑：RfSO2N(H)-CH2CH(CH3)OH；或RfSO2N(H)-(CH2CH2O)xH，其中x為2-6之整數。Rf為具有3至8個碳原子之氟烷基。本發明提供具有下式之中性界面活性劑：(a)RfSO2N[CH2CH(CH3)OH]2；(b)RfSO2N[CH2CH(CH3)OH][(CH2CH2O)nH]，其中n為1-6之整數；(c)RfSO2N(R)[(CH2CH2O)pH]，其中p為2-6之整數，且R為具有1至4個碳原子之烷基；或(d)RfSO2N[(CH2CH2O)qH][(CH2CH2O)mH]，其中q為1-6之整數且m為3-6之整數。Rf為具有3至8個碳原子之氟烷基。
简体摘要：本发明提供具有下式之阴离子界面活性剂：RfSO2N(H)-CH2CH(CH3)OH；或RfSO2N(H)-(CH2CH2O)xH，其中x为2-6之整数。Rf为具有3至8个碳原子之氟烷基。本发明提供具有下式之中性界面活性剂：(a)RfSO2N[CH2CH(CH3)OH]2；(b)RfSO2N[CH2CH(CH3)OH][(CH2CH2O)nH]，其中n为1-6之整数；(c)RfSO2N(R)[(CH2CH2O)pH]，其中p为2-6之整数，且R为具有1至4个碳原子之烷基；或(d)RfSO2N[(CH2CH2O)qH][(CH2CH2O)mH]，其中q为1-6之整数且m为3-6之整数。Rf为具有3至8个碳原子之氟烷基。

9. 发明专利

TW201409188A 光阻去除裝置及光阻去除方法审中-公开
简体标题：光阻去除设备及光阻去除方法
公开(公告)号：TW201409188A
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW102125536
申请日：2013-07-17
申请人：東邦化成股份有限公司 , TOHO KASEI CO., LTD.
发明人：木下敬俊 , KINOSHITA, TAKATOSHI , 川西孝則 , KAWANISHI, TAKANORI , 牛田慧 , USHIDA, SATOSHI
IPC分类号： G03F7/26 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/31133 , G03F7/42 , G03F7/423 , H01L21/6708
摘要：本發明之光阻去除裝置包含有基板保持部、硫酸供給部及臭氧水供給部，前述基板保持部係用於保持設有已植入預定之離子而於表面上形成有硬化層之光阻之基板者，前述硫酸供給部係設有用於加熱硫酸之加熱器並可朝基板保持部所保持之基板供給已藉加熱器加熱至200℃以上之不含過氧化氫水之硫酸者，前述臭氧水供給部係可對已藉硫酸供給部供給硫酸之基板供給濃度150ppm以上之臭氧水者。
简体摘要：本发明之光阻去除设备包含有基板保持部、硫酸供给部及臭氧水供给部，前述基板保持部系用于保持设有已植入预定之离子而于表面上形成有硬化层之光阻之基板者，前述硫酸供给部系设有用于加热硫酸之加热器并可朝基板保持部所保持之基板供给已藉加热器加热至200℃以上之不含过氧化氢水之硫酸者，前述臭氧水供给部系可对已藉硫酸供给部供给硫酸之基板供给浓度150ppm以上之臭氧水者。

10. 发明专利

TW201342452A 基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體审中-公开
简体标题：基板处理设备、基板处理方法及记忆媒体
公开(公告)号：TW201342452A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：TW101139965
申请日：2012-10-29
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：天野嘉文 , AMANO, YOSHIFUMI
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/027 , H01L21/306
CPC分类号： B05C5/02 , G03F7/162 , G03F7/3021 , G03F7/42 , H01L21/67051
摘要：本發明旨在提供一種基板處理裝置，可抑制不同化學液相混合。其中基板處理裝置1包含：基板固持部21，水平固持晶圓W；旋轉驅動部24，令基板固持部21旋轉；第1化學液噴嘴73，朝晶圓W之周緣部噴吐第1化學液；第2化學液噴嘴83，朝晶圓W之周緣部噴吐與第1化學液不同種類之第2化學液；及第1噴嘴驅動部70及第2噴嘴驅動部80，移動第1化學液噴嘴73及第2化學液噴嘴83。各化學液噴嘴73、83藉由各噴嘴驅動部70、80分別在朝晶圓W之周緣部噴吐化學液時所處之處理位置，與未噴吐化學液時所處之待命位置之間移動。在此，各待命位置較各處理位置更位於晶圓W之中心側。
简体摘要：本发明旨在提供一种基板处理设备，可抑制不同化学液相混合。其中基板处理设备1包含：基板固持部21，水平固持晶圆W；旋转驱动部24，令基板固持部21旋转；第1化学液喷嘴73，朝晶圆W之周缘部喷吐第1化学液；第2化学液喷嘴83，朝晶圆W之周缘部喷吐与第1化学液不同种类之第2化学液；及第1喷嘴驱动部70及第2喷嘴驱动部80，移动第1化学液喷嘴73及第2化学液喷嘴83。各化学液喷嘴73、83借由各喷嘴驱动部70、80分别在朝晶圆W之周缘部喷吐化学液时所处之处理位置，与未喷吐化学液时所处之待命位置之间移动。在此，各待命位置较各处理位置更位于晶圆W之中心侧。

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