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1. 发明专利

TW201742113A 使用ＩＣＰ剝離劑的分層植入型光阻剝離製程审中-公开
简体标题：使用ＩＣＰ剥离剂的分层植入型光阻剥离制程
公开(公告)号：TW201742113A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW106106535
申请日：2017-02-24
申请人：瑪森科技公司 , MATTSON TECHNOLOGY, INC.
发明人：劉維華 , LIOU, WEI-HUA , 康俊彥 , KANG, CHUN-YEN , 芬尼阿波拉維杰M , VANIAPURA, VIJAY M. , 凡屋海奧M , PHAN-VU, HAI-AU M. , 馬蕭明 , MA, SHAWMING
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/47
CPC分类号： G03F7/42 , G03F7/423 , G03F7/427 , H01J2237/3342 , H01L21/31133 , H01L21/31138 , H01L22/24
摘要：用於，例如在離子植入被提供之後，將一光阻從一基板移除的多個製程。在一實施例中，一製程可以包括放置一具有一總體光阻的基板及一在一處理室中形成於該總體光阻上的外殼。該製程可以包括在該處理室中初始化一第一剝離製程。該製程可以包括在該第一剝離製程期間擷取一與一電漿相關的光發射訊號。該製程可以包括至少部份地基於該光發射訊號識別該第一剝離製程的一端點。該製程可以包括至少部份地基於該端點終止該第一剝離製程。該製程可以包括初始化一第二剝離製程以將該光阻從該基板移除。
简体摘要：用于，例如在离子植入被提供之后，将一光阻从一基板移除的多个制程。在一实施例中，一制程可以包括放置一具有一总体光阻的基板及一在一处理室中形成于该总体光阻上的外壳。该制程可以包括在该处理室中初始化一第一剥离制程。该制程可以包括在该第一剥离制程期间截取一与一等离子相关的光发射信号。该制程可以包括至少部份地基于该光发射信号识别该第一剥离制程的一端点。该制程可以包括至少部份地基于该端点终止该第一剥离制程。该制程可以包括初始化一第二剥离制程以将该光阻从该基板移除。

2. 发明专利

TW201740223A 圖案形成方法审中-公开
简体标题：图案形成方法
公开(公告)号：TW201740223A
公开(公告)日：2017-11-16
申请号：TW106103794
申请日：2017-02-06
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：八重樫英民 , YAEGASHI, HIDETAMI
IPC分类号： G03F7/26 , G03F7/11 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/31144 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/40 , G03F7/423 , H01L21/02123 , H01L21/0271 , H01L21/0274 , H01L21/31053 , H01L21/31058 , H01L21/31138
摘要：本發明提供一種能夠降低所獲得之圖案之LER之值的圖案形成方法。藉由如下之圖案形成方法而解決上述問題，該圖案形成方法具有如下步驟：於基底層上形成丙烯酸系樹脂層；於上述丙烯酸系樹脂層上形成中間層；於上述中間層上形成已被圖案化之EUV抗蝕劑層；藉由將上述EUV抗蝕劑層作為蝕刻遮罩對上述中間層及上述丙烯酸系樹脂層進行蝕刻，而於上述丙烯酸系樹脂層形成圖案；於在上述丙烯酸系樹脂層形成圖案之步驟之後，去除上述EUV抗蝕劑層及上述中間層；及於去除上述EUV抗蝕劑層及上述中間層之步驟之後，使上述丙烯酸系樹脂層之表面平滑化。
简体摘要：本发明提供一种能够降低所获得之图案之LER之值的图案形成方法。借由如下之图案形成方法而解决上述问题，该图案形成方法具有如下步骤：于基底层上形成丙烯酸系树脂层；于上述丙烯酸系树脂层上形成中间层；于上述中间层上形成已被图案化之EUV抗蚀剂层；借由将上述EUV抗蚀剂层作为蚀刻遮罩对上述中间层及上述丙烯酸系树脂层进行蚀刻，而于上述丙烯酸系树脂层形成图案；于在上述丙烯酸系树脂层形成图案之步骤之后，去除上述EUV抗蚀剂层及上述中间层；及于去除上述EUV抗蚀剂层及上述中间层之步骤之后，使上述丙烯酸系树脂层之表面平滑化。

3. 发明专利

TW201727796A 基板液體處理裝置、基板液體處理方法及記錄媒體审中-公开
简体标题：基板液体处理设备、基板液体处理方法及记录媒体
公开(公告)号：TW201727796A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105123984
申请日：2016-07-29
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：百武宏展 , HYAKUTAKE, HIRONOBU , 土屋孝文 , TSUCHIYA, TAKAFUMI , 神崎光一郎 , KANZAKI, KOICHIRO
IPC分类号： H01L21/67 , G03F7/42 , H01L21/027 , H01L21/02
CPC分类号： C23C2/04 , G03F7/423 , H01L21/67086
摘要：本發明之課題係以按謀求之效果的態樣進行過氧化氫供給。本發明之基板液體處理裝置包含有處理槽、外槽、循環管路、硫酸供給部、第1過氧化氫水溶液供給部、及第2過氧化氫水溶液供給部，該處理槽用以儲存硫酸與過氧化氫水溶液之混合液並將基板浸漬於所儲存之混合液而進行基板之處理；該外槽用以承接從該處理槽流出之混合液；該循環管路用以使該外槽內之混合液返回至該處理槽；該硫酸供給部用以將硫酸供至該混合液中；該第1過氧化氫水溶液供給部用以將過氧化氫水溶液供至該外槽內之混合液；該第2過氧化氫水溶液供給部用以將過氧化氫水溶液供至流經該循環管路之下游側部分的混合液。
简体摘要：本发明之课题系以按谋求之效果的态样进行过氧化氢供给。本发明之基板液体处理设备包含有处理槽、外槽、循环管路、硫酸供给部、第1过氧化氢水溶液供给部、及第2过氧化氢水溶液供给部，该处理槽用以存储硫酸与过氧化氢水溶液之混合液并将基板浸渍于所存储之混合液而进行基板之处理；该外槽用以承接从该处理槽流出之混合液；该循环管路用以使该外槽内之混合液返回至该处理槽；该硫酸供给部用以将硫酸供至该混合液中；该第1过氧化氢水溶液供给部用以将过氧化氢水溶液供至该外槽内之混合液；该第2过氧化氢水溶液供给部用以将过氧化氢水溶液供至流经该循环管路之下游侧部分的混合液。

4. 发明专利

TWI580776B 具有改良的矽鈍化性之光阻劑或半導體製造殘留物的半水性剝除及清潔組合物有权
简体标题：具有改良的硅钝化性之光阻剂或半导体制造残留物的半水性剥除及清洁组合物
公开(公告)号：TWI580776B
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW104142551
申请日：2015-12-17
申请人：氣體產品及化學品股份公司 , AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.
发明人：阿加渥爾勞爵夫克里山 , AGARWAL, RAJIV KRISHAN , 布朗馬克理查 , BROWN, MARK RICHARD , 吳愛萍 , WU, AIPING , 雷尼大衛巴里 , RENNIE, DAVID BARRY , 李翊嘉 , LEE, YI CHIA , 沛瑞斯郡艾韋拉德 , PARRIS, GENE EVERAD
IPC分类号： C11D7/50 , C11D7/32 , C23F11/14 , C11D7/26 , G03F7/42 , B08B3/08 , C11D11/00 , H01L21/02
CPC分类号： G03F7/425 , C11D7/261 , C11D7/265 , C11D7/267 , C11D7/3209 , C11D7/3218 , C11D7/3281 , C11D11/0047 , G03F7/423 , G03F7/426 , H01L21/02057 , H01L21/02334

5. 发明专利

TW201703874A 基板處理方法及基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理方法及基板处理设备
公开(公告)号：TW201703874A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105107566
申请日：2016-03-11
申请人：思可林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO,. LTD.
发明人：秋月佑介 , AKIZUKI, YUSUKE
IPC分类号： B05C11/10 , B05D3/00 , B05D7/24 , B05C11/08 , H01L21/027
CPC分类号： B05C11/1039 , B05C11/08 , B05C11/1042 , B05D7/24 , G03F7/423 , G03F7/425 , H01L21/027
摘要：基板處理裝置係包含有：自轉夾具；以及SPM供給單元，係將SPM供給至被自轉夾具保持的基板。SPM供給單元係具備有：混合單元，係將過氧化氫水與氟酸予以混合，並生成混合液；以及SPM噴嘴，係將混合液與硫酸予以混合，並生成HF混合SPM。
简体摘要：基板处理设备系包含有：自转夹具；以及SPM供给单元，系将SPM供给至被自转夹具保持的基板。SPM供给单元系具备有：混合单元，系将过氧化氢水与氟酸予以混合，并生成混合液；以及SPM喷嘴，系将混合液与硫酸予以混合，并生成HF混合SPM。

6. 发明专利

TW201623598A 具有高ＷＮ／Ｗ蝕刻選擇性的剝除組合物审中-公开
简体标题：具有高ＷＮ／Ｗ蚀刻选择性的剥除组合物
公开(公告)号：TW201623598A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW104143648
申请日：2015-12-24
申请人：氣體產品及化學品股份公司 , AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.
发明人：劉文達 , LIU, WEN DAR , 李翊嘉 , LEE, YI CHIA , 陳天牛 , CHEN, TIANNIU , 加斯特爾威廉傑克 , CASTEEL, WILLIAM JACK, JR. , 稻岡誠二 , INAOKA, SEIJI , 沛瑞斯郡艾韋拉德 , PARRIS, GENE EVERAD
IPC分类号： C11D7/10 , C11D7/32 , C23F11/04 , H01L21/67 , H01L21/3105
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D3/0073 , C11D3/3947 , C11D3/3956 , C11D7/10 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D7/3245 , G03F7/423 , G03F7/425 , G03F7/426 , H01L21/02063 , H01L21/31144 , H01L21/32134
摘要：本發明關於一種用於清潔積體電路基材的組合物，該組合物包含：水；包含氧化性物種銨鹽的氧化劑；包含一級烷基胺的腐蝕抑制劑，該一級烷基胺具有以下通式：R'NH2，其中R'係含有至多約150個碳原子的烷基而且更常為含有約4至約30個碳原子的脂肪族烷基；任意地，水可混溶性有機溶劑；任意地，有機酸；任意地，緩衝物種；任意地，氟離子源；及任意地，金屬螯合劑。
简体摘要：本发明关于一种用于清洁集成电路基材的组合物，该组合物包含：水；包含氧化性物种铵盐的氧化剂；包含一级烷基胺的腐蚀抑制剂，该一级烷基胺具有以下通式：R'NH2，其中R'系含有至多约150个碳原子的烷基而且更常为含有约4至约30个碳原子的脂肪族烷基；任意地，水可混溶性有机溶剂；任意地，有机酸；任意地，缓冲物种；任意地，氟离子源；及任意地，金属螯合剂。

7. 发明专利

TWI518768B 用於單一基板剝除處理之順序階段混合有权
简体标题：用於单一基板剥除处理之顺序阶段混合
公开(公告)号：TWI518768B
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：TW102107724
申请日：2013-03-05
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：布朗意恩J , BROWN, IAN J.
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/6715 , G03F7/423 , H01L21/67253

8. 发明专利

TW201530268A 基板處理方法及基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理方法及基板处理设备
公开(公告)号：TW201530268A
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW103141585
申请日：2014-12-01
申请人：斯克林集團公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：秋月佑介 , AKIZUKI, YUSUKE
IPC分类号： G03F7/26 , G03F7/42
CPC分类号： H01L21/67051 , G03F7/423 , H01L21/67028
摘要：本發明之基板處理方法係用以自基板之表面去除阻劑之基板處理方法，其包含：有機溶劑供給步驟，其將具有高於常溫且未達沸點之液溫之液體的有機溶劑依連續流狀供給至上述基板之表面；SPM供給步驟，其於進行上述有機溶劑供給步驟之後，將SPM供給至上述有機溶劑被去除後之上述基板之表面。
简体摘要：本发明之基板处理方法系用以自基板之表面去除阻剂之基板处理方法，其包含：有机溶剂供给步骤，其将具有高于常温且未达沸点之液温之液体的有机溶剂依连续流状供给至上述基板之表面；SPM供给步骤，其于进行上述有机溶剂供给步骤之后，将SPM供给至上述有机溶剂被去除后之上述基板之表面。

9. 发明专利

TW201527519A 用於選擇性清除硬遮罩之清除組成物及其方法审中-公开
简体标题：用于选择性清除硬遮罩之清除组成物及其方法
公开(公告)号：TW201527519A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：TW103135159
申请日：2014-10-09
申请人：義凱西技術公司 , EKC TECHNOLOGY, INC.
发明人：崔華 , CUI, HUA
IPC分类号： C11D7/18 , C11D7/38 , C11D7/26 , C11D7/08 , C11D7/32 , H01L21/306 , H01L21/311 , B08B3/04
CPC分类号： C11D11/0047 , B08B3/08 , B08B3/10 , C11D3/2082 , C11D3/3942 , C11D3/3947 , C11D7/04 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D7/3218 , C11D7/3245 , C11D7/3281 , C23F1/18 , C23F1/26 , C23F1/28 , C23F1/34 , C23F1/38 , C23F1/40 , G03F7/423 , G03F7/425 , G03F7/426 , H01L21/02057 , H01L21/02063 , H01L21/31111 , H01L21/31144 , H01L21/32134 , H01L21/76807 , H01L21/76814
摘要：本揭露關於一種清除組成物，用於自一半導體基板上相對於低介電常數介電材料選擇性清除一硬遮罩，該硬遮罩主要由TiN、TaN、TiNxOy、TiW、W、Ti及Ti與W之合金所組成。該半導體基板包含具有TiN、TaN、TiNxOy、TiW、W、Ti或Ti或W之合金的硬遮罩於其上之低介電常數介電材料。該清除組成物包含0.1wt%至90wt%的一氧化劑；0.0001wt%至50wt%的一羧酸鹽；以及補足100wt%的該清除組成物之剩餘部分，其包含去離子水。
简体摘要：本揭露关于一种清除组成物，用于自一半导体基板上相对于低介电常数介电材料选择性清除一硬遮罩，该硬遮罩主要由TiN、TaN、TiNxOy、TiW、W、Ti及Ti与W之合金所组成。该半导体基板包含具有TiN、TaN、TiNxOy、TiW、W、Ti或Ti或W之合金的硬遮罩于其上之低介电常数介电材料。该清除组成物包含0.1wt%至90wt%的一氧化剂；0.0001wt%至50wt%的一羧酸盐；以及补足100wt%的该清除组成物之剩余部分，其包含去离子水。

10. 发明专利

TW201504397A 選擇性蝕刻氮化鈦之組成物及方法审中-公开
简体标题：选择性蚀刻氮化钛之组成物及方法
公开(公告)号：TW201504397A
公开(公告)日：2015-02-01
申请号：TW103119699
申请日：2014-06-06
申请人：先進科技材料公司 , ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.
发明人：陳立民 , CHEN, LI MIN , 里皮史帝芬 , LIPPY, STEVEN , 庫帕艾曼紐 , COOPER, EMANUEL I. , 宋靈巖 , SONG, LINGYAN
IPC分类号： C09K13/00 , H01L21/306
CPC分类号： C09K13/02 , C09K13/00 , C11D3/0073 , C11D3/044 , C11D3/30 , C11D3/3942 , C11D3/3947 , C11D3/3956 , C11D7/06 , C11D11/0047 , C23G1/20 , G03F7/423 , H01L21/02052 , H01L21/02057 , H01L21/02063 , H01L21/31144 , H01L21/32134
摘要：本發明係關於適用於自其上具有氮化鈦及/或光阻蝕刻殘留材料之微電子裝置相對於金屬傳導(例如，鈷、釕及銅)及絕緣材料選擇性移除該等材料之組成物。該移除組成物包含至少一種氧化劑及一種蝕刻劑，且可包含各種腐蝕抑制劑來確保選擇性。
简体摘要：本发明系关于适用于自其上具有氮化钛及/或光阻蚀刻残留材料之微电子设备相对于金属传导(例如，钴、钌及铜)及绝缘材料选择性移除该等材料之组成物。该移除组成物包含至少一种氧化剂及一种蚀刻剂，且可包含各种腐蚀抑制剂来确保选择性。

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