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1. 发明专利

TW201701082A 塗布處理方法、電腦記錄媒體及塗布處理裝置审中-公开
简体标题：涂布处理方法、电脑记录媒体及涂布处理设备
公开(公告)号：TW201701082A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW105106056
申请日：2016-03-01
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：橋本崇史 , HASHIMOTO, TAKAFUMI , 畠山真一 , HATAKEYAMA, SHINICHI , 柴田直樹 , SHIBATA, NAOKI , 吉原孝介 , YOSHIHARA, KOUSUKE
IPC分类号： G03F7/16 , H01L21/027
CPC分类号： B05D1/005 , B05C11/08 , B05D3/104 , G03F7/091 , G03F7/162 , G03F7/2028 , H01L21/027 , H01L21/6715 , H01L21/67253
摘要：本發明之目的為：將塗布液塗布在基板上之際，無論塗布液的黏度而將塗布液的供給量抑制為少量、並在基板面內將塗布液均勻塗布。本發明係一種將塗布液塗布在晶圓上的方法，分別在晶圓的中央部由溶劑形成第一液膜、在晶圓的外周部由溶劑形成膜厚較該第一液膜更厚之環狀的第二液膜(步驟T1)。然後，一面使晶圓以第一旋轉速度旋轉，一面將塗布液供給至晶圓的中心部(步驟T2)。一面供給塗布液，一面使晶圓以較第一旋轉速度更快的第二旋轉速度旋轉，使塗布液在晶圓上擴散(步驟T3)。
简体摘要：本发明之目的为：将涂布液涂布在基板上之际，无论涂布液的黏度而将涂布液的供给量抑制为少量、并在基板面内将涂布液均匀涂布。本发明系一种将涂布液涂布在晶圆上的方法，分别在晶圆的中央部由溶剂形成第一液膜、在晶圆的外周部由溶剂形成膜厚较该第一液膜更厚之环状的第二液膜(步骤T1)。然后，一面使晶圆以第一旋转速度旋转，一面将涂布液供给至晶圆的中心部(步骤T2)。一面供给涂布液，一面使晶圆以较第一旋转速度更快的第二旋转速度旋转，使涂布液在晶圆上扩散(步骤T3)。

2. 发明专利

TWI334061B 周緣曝光裝置，塗佈，顯像裝置及周緣曝光方法有权
简体标题：周缘曝光设备，涂布，显像设备及周缘曝光方法
公开(公告)号：TWI334061B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：TW095116240
申请日：2006-05-08
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：岩下泰治 , 下村一郎
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/2022 , G03F7/2026 , G03F7/2028 , H01L21/67005
摘要：本發明的課題是在於提供一種可一方面抑止裝置的大型化，另一方面具有高基板處理能力的周緣曝光裝置及周緣曝光方法。
其解決手段為周緣曝光裝的構成係具備：第1光路形成構件及第2光路形成構件，其係各基端側會被配置於該光束的通路內，而使以來自光源的光束的横剖面看時該光束能夠被分割；第1載置台，其係載置基板，構成繞著垂直軸自由旋轉，基板的周緣部會位於來自上述第1光路形成構件的前端側之光束的照射區域；第2載置台，其係基板的周緣部會位於來自上述第2光路形成構件的前端側之光束的照射區域；及遮光手段，其係遮斷來自第1光路形成構件及第2光路形成構件之各個光的照射。
由於可利用共通的光源來對第1及第2載置台上的基板例如同時進行周緣曝光，因此具有高處理能力且可抑止裝置的大型化。
简体摘要：本发明的课题是在于提供一种可一方面抑止设备的大型化，另一方面具有高基板处理能力的周缘曝光设备及周缘曝光方法。其解决手段为周缘曝光装的构成系具备：第1光路形成构件及第2光路形成构件，其系各基端侧会被配置于该光束的通路内，而使以来自光源的光束的横剖面看时该光束能够被分割；第1载置台，其系载置基板，构成绕着垂直轴自由旋转，基板的周缘部会位于来自上述第1光路形成构件的前端侧之光束的照射区域；第2载置台，其系基板的周缘部会位于来自上述第2光路形成构件的前端侧之光束的照射区域；及遮光手段，其系遮断来自第1光路形成构件及第2光路形成构件之各个光的照射。由于可利用共通的光源来对第1及第2载置台上的基板例如同时进行周缘曝光，因此具有高处理能力且可抑止设备的大型化。

3. 发明专利

TWI292511B 罩幕毛胚,罩幕毛胚之製造方法,轉印罩幕之製造方法及半導體裝置之製造方法 MASK BLANK, MASK BLANK MANUFACTURING METHOD, TRANSFER MASK MANUFACTURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD 有权
简体标题：罩幕毛胚,罩幕毛胚之制造方法,转印罩幕之制造方法及半导体设备之制造方法 MASK BLANK, MASK BLANK MANUFACTURING METHOD, TRANSFER MASK MANUFACTURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
公开(公告)号：TWI292511B
公开(公告)日：2008-01-11
申请号：TW093108838
申请日：2004-03-31
申请人： HOYA股份有限公司 HOYA CORPORATION
发明人：大久保靖 YASUSHI OKUBO , 橫矢康範 YASUNORI YOKOYA
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/2028 , G03F1/50
摘要：本發明係於基板10上具有應轉印於被轉印體之轉印圖案之轉印罩幕之原版的罩幕毛胚100中，罩幕毛胚100係於基板10上具有成為上述轉印圖案之遮光膜20及光阻膜30，在藉由曝光裝置之基板保持構件支持有圖案加工遮光膜20而獲得之轉印圖案的轉印罩幕時，以成為所需之圖案位置精度及所需之聚焦精度的方式，在藉由曝光裝置之基板保持構件所支持之罩幕毛胚100的被支持區域31之指定區域除去形成於基板10主表面之周邊部的光阻膜30。藉由如此之構成，在將光柵安裝於步進機之基板保持構件時，可抑制光柵之變形，將轉印圖案之位置精度的降低及聚焦精度的降低抑制在最小限度。
简体摘要：本发明系于基板10上具有应转印于被转印体之转印图案之转印罩幕之原版的罩幕毛胚100中，罩幕毛胚100系于基板10上具有成为上述转印图案之遮光膜20及光阻膜30，在借由曝光设备之基板保持构件支持有图案加工遮光膜20而获得之转印图案的转印罩幕时，以成为所需之图案位置精度及所需之聚焦精度的方式，在借由曝光设备之基板保持构件所支持之罩幕毛胚100的被支持区域31之指定区域除去形成于基板10主表面之周边部的光阻膜30。借由如此之构成，在将光栅安装于步进机之基板保持构件时，可抑制光栅之变形，将转印图案之位置精度的降低及聚焦精度的降低抑制在最小限度。

4. 发明专利

TW200505617A 移除一施加於基板之層之邊緣區域與塗佈基板之方法和裝置以及基板 METHOD AND APPARATUS FOR REMOVING AN EDGE REGION OF A LAYER APPLIED TO A SUBSTRATE AND FOR COATING A SUBSTRATE AND A SUBSTRATE 审中-公开
简体标题：移除一施加于基板之层之边缘区域与涂布基板之方法和设备以及基板 METHOD AND APPARATUS FOR REMOVING AN EDGE REGION OF A LAYER APPLIED TO A SUBSTRATE AND FOR COATING A SUBSTRATE AND A SUBSTRATE
公开(公告)号：TW200505617A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：TW093110570
申请日：2004-04-15
申请人：史考特玻璃公司 SCHOTT GLAS
发明人：赫曼瓦尼爾 WAGNER, HERMANN , 伯恩比爾 BEIER, BERND , 瑪利歐希弗勒 SCHIFFLER, MARIO , 剛特海斯 HEB, GUNTER , 彼得魯達克夫 RUDAKOFF, PETER , 伯恩豪瑟 HOTZEL BERND
IPC分类号： B23K
CPC分类号： B23K26/0823 , B23K26/066 , B23K26/0738 , B23K26/082 , B23K26/0853 , B23K26/361 , B23K26/40 , B23K2201/40 , B23K2203/172 , B23K2203/50 , G03F7/2028
摘要：本發明係關於用於移除一施加至一基板之層的邊緣區域且用於(尤其以光阻層)塗佈一基板之方法及裝置。此外，本發明係關於一種基板，在其上施加一層面，詳言之該層面為用於微微影(microlithographic)處理中的光阻層，其中根據本發明將該層之邊緣區域移除。在該方法中，將雷射束成像於邊緣區域上，且藉由雷射束將邊緣區域移除。以此方式，能可靠地且精確地將邊緣區域移除，而不會損壞或污染該層之未移除區域。
简体摘要：本发明系关于用于移除一施加至一基板之层的边缘区域且用于(尤其以光阻层)涂布一基板之方法及设备。此外，本发明系关于一种基板，在其上施加一层面，详言之该层面为用于微微影(microlithographic)处理中的光阻层，其中根据本发明将该层之边缘区域移除。在该方法中，将激光束成像于边缘区域上，且借由激光束将边缘区域移除。以此方式，能可靠地且精确地将边缘区域移除，而不会损坏或污染该层之未移除区域。

5. 发明专利

TW578034B 空白遮光罩和遮光罩及其製造方法,及無用薄膜移除方法和裝置有权
简体标题：空白遮光罩和遮光罩及其制造方法,及无用薄膜移除方法和设备
公开(公告)号：TW578034B
公开(公告)日：2004-03-01
申请号：TW091122306
申请日：2002-09-27
申请人：保谷股份有限公司 HOYA CORPORATION
发明人： 光明
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/2028 , G03F1/38 , G03F7/168
摘要：於沿一基體之一周圍部位移除一已被形成之無用薄膜之方法中，為了能提供一被移除之部位，一覆蓋構件被覆蓋於該基體範圍內以便透過溶劑輸送孔將一溶劑輸送至該無用部位。具有該被移除部位以及一未被移除部位之該周圍部位是用以提供一識別碼或其他以識別該基體。該溶劑輸送孔皆被形成於可互換固定至該覆蓋構件之一外圍部位的溶劑導引構件中。該基體可作為一種空白遮光罩或一種具有該利用上述方法藉由移除該無用薄膜所形成之該識別圖案的光罩。
简体摘要：于沿一基体之一周围部位移除一已被形成之无用薄膜之方法中，为了能提供一被移除之部位，一覆盖构件被覆盖于该基体范围内以便透过溶剂输送孔将一溶剂输送至该无用部位。具有该被移除部位以及一未被移除部位之该周围部位是用以提供一识别码或其他以识别该基体。该溶剂输送孔皆被形成于可互换固定至该覆盖构件之一外围部位的溶剂导引构件中。该基体可作为一种空白遮光罩或一种具有该利用上述方法借由移除该无用薄膜所形成之该识别图案的光罩。

6. 发明专利

TW316322B 除去半導體晶圓上之不要阻劑的晶圓周邊曝光方法及裝置失效
简体标题：除去半导体晶圆上之不要阻剂的晶圆周边曝光方法及设备
公开(公告)号：TW316322B
公开(公告)日：1997-09-21
申请号：TW085110859
申请日：1996-09-05
申请人：牛尾電機股份有限公司
发明人：三村芳樹 , 三浦真悦 , 美濃部猛
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G03F7/2028
摘要：本發明，係關於用以將晶圓上的不要阻劑在顯影工程除去而適用之晶圓週邊曝光方法及曝光裝置，特別有關用以將階段狀形狀的不要阻劑在顯影工程除去而適用之晶圓周邊曝光方法及曝光裝置。
本發明的課題，係即使在前工程形成在半導體晶圓上形成之電路圖型的形成位置有誤差，也能高精確度且簡便地，實現用以將階段狀形狀之不要阻劑在顯影工程除去的晶圓周邊曝光。
其解決方法，係在把晶圓（Ｗ）上的圖型形成領域以外之不要阻劑曝光前，以晶圓周緣檢出裝置（１３）檢出方位邊緣（oxientation flat）等形狀上的特異點之位置，驅動旋轉台級（１）使上述形狀上的特異點位於所定位置為止使晶圓旋轉，根據以對準標誌檢出單位（１４）把所定的對準標誌之位置記憶，運算而校正電路型的形成位置之誤差，再者驅動旋轉台級（１）進行晶圓上的曝光領域位置之微調整。
简体摘要：本发明，系关于用以将晶圆上的不要阻剂在显影工程除去而适用之晶圆周边曝光方法及曝光设备，特别有关用以将阶段状形状的不要阻剂在显影工程除去而适用之晶圆周边曝光方法及曝光设备。本发明的课题，系即使在前工程形成在半导体晶圆上形成之电路图型的形成位置有误差，也能高精确度且简便地，实现用以将阶段状形状之不要阻剂在显影工程除去的晶圆周边曝光。其解决方法，系在把晶圆（Ｗ）上的图型形成领域以外之不要阻剂曝光前，以晶圆周缘检出设备（１３）检出方位边缘（oxientation flat）等形状上的特异点之位置，驱动旋转台级（１）使上述形状上的特异点位于所定位置为止使晶圆旋转，根据以对准标志检出单位（１４）把所定的对准标志之位置记忆，运算而校正电路型的形成位置之误差，再者驱动旋转台级（１）进行晶圆上的曝光领域位置之微调整。

7. 发明专利

TW201740433A 基板處理方法、基板處理裝置及電腦可讀取記錄媒體审中-公开
简体标题：基板处理方法、基板处理设备及电脑可读取记录媒体
公开(公告)号：TW201740433A
公开(公告)日：2017-11-16
申请号：TW106105504
申请日：2017-02-20
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：野田康朗 , NODA, YASUAKI , 西山直 , NISHIYAMA, TADASHI
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： H01L21/0274 , G03F7/168 , G03F7/20 , G03F7/2028 , G03F7/26 , G06T7/0008 , G06T7/60 , G06T2207/30148 , H01L21/6715 , H01L21/67173 , H01L21/67253 , H01L21/67288 , H01L21/681 , H01L21/68714 , H01L22/12 , H01L22/20
摘要：處理方法包含有下列製程：(1)遍及翹曲量為已知之基準基板的周緣全周以照相機拍攝基準基板之端面，而遍及基準基板之周緣全周取得基準基板之端面的形狀資料；(2)遍及晶圓之周緣全周以照相機拍攝晶圓之端面，而遍及晶圓之周緣全周取得晶圓之端面的形狀資料；(3)依據各形狀資料，算出晶圓之翹曲量；(4)於晶圓之表面形成抗蝕膜；(5)依據該翹曲量，決定有機溶劑對抗蝕膜之周緣部的供給位置，以從該供給位置供給之有機溶劑將該周緣部溶解而從晶圓上去除。
简体摘要：处理方法包含有下列制程：(1)遍及翘曲量为已知之基准基板的周缘全周以照相机拍摄基准基板之端面，而遍及基准基板之周缘全周取得基准基板之端面的形状数据；(2)遍及晶圆之周缘全周以照相机拍摄晶圆之端面，而遍及晶圆之周缘全周取得晶圆之端面的形状数据；(3)依据各形状数据，算出晶圆之翘曲量；(4)于晶圆之表面形成抗蚀膜；(5)依据该翘曲量，决定有机溶剂对抗蚀膜之周缘部的供给位置，以从该供给位置供给之有机溶剂将该周缘部溶解而从晶圆上去除。

8. 发明专利

TW201636739A 邊緣曝光裝置、邊緣曝光方法、程式及電腦記錄媒體审中-公开
简体标题：边缘曝光设备、边缘曝光方法、进程及电脑记录媒体
公开(公告)号：TW201636739A
公开(公告)日：2016-10-16
申请号：TW105105198
申请日：2016-02-23
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：富田浩 , TOMITA, HIROSHI
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/2028 , G03F7/2022
摘要：本發明之課題，係藉由邊緣曝光裝置而適當地進行仿真照射。其解決手段係提供一種邊緣曝光裝置42，使塗布有光阻膜之基板的周緣部曝光，該邊緣曝光裝置42具有：攝影部，拍攝基板W之表面；基板保持部，保持基板W；曝光部130，使基板保持部所保持之基板的周緣部曝光；夾頭驅動部，使基板保持部移動及旋轉；曝光驅動部，使曝光部130移動；以及控制部200，從攝影部所拍攝之基板影像，取得基板W上之圖案之射域的配列資訊，並根據該取得之配列資訊而控制夾頭驅動部及曝光驅動部，以使基板W之周緣部曝光。
简体摘要：本发明之课题，系借由边缘曝光设备而适当地进行仿真照射。其解决手段系提供一种边缘曝光设备42，使涂布有光阻膜之基板的周缘部曝光，该边缘曝光设备42具有：摄影部，拍摄基板W之表面；基板保持部，保持基板W；曝光部130，使基板保持部所保持之基板的周缘部曝光；夹头驱动部，使基板保持部移动及旋转；曝光驱动部，使曝光部130移动；以及控制部200，从摄影部所拍摄之基板影像，取得基板W上之图案之射域的配列信息，并根据该取得之配列信息而控制夹头驱动部及曝光驱动部，以使基板W之周缘部曝光。

9. 发明专利

TWI547969B 周邊曝光方法及周邊曝光裝置有权
简体标题：周边曝光方法及周边曝光设备
公开(公告)号：TWI547969B
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW102102475
申请日：2013-01-23
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：宮本健一 , MIYAMOTO, KENICHI , 久保田稔 , KUBOTA, MINORU
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70875 , G03F7/2028 , G03F7/2041

10. 发明专利

TWI413160B 半導體微影製程有权
简体标题：半导体微影制程
公开(公告)号：TWI413160B
公开(公告)日：2013-10-21
申请号：TW099120522
申请日：2010-06-23
申请人：南亞科技股份有限公司 , NANYA TECHNOLOGY CORP.
发明人：黃沛霖 , HUANG, PEI LIN , 黃浚彥 , HUANG, CHUN YEN , 王逸銘 , WANG, YI MING
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/2022 , G03F7/2028 , G03F7/70425 , G03F7/70466 , Y10S430/143

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