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    • 4. 发明专利
    • 周緣曝光裝置,塗佈,顯像裝置及周緣曝光方法
    • 周缘曝光设备,涂布,显像设备及周缘曝光方法
    • TWI334061B
    • 2010-12-01
    • TW095116240
    • 2006-05-08
    • 東京威力科創股份有限公司
    • 岩下泰治下村一郎
    • G03FH01L
    • G03F7/2022G03F7/2026G03F7/2028H01L21/67005
    • 本發明的課題是在於提供一種可一方面抑止裝置的大型化,另一方面具有高基板處理能力的周緣曝光裝置及周緣曝光方法。
      其解決手段為周緣曝光裝的構成係具備:第1光路形成構件及第2光路形成構件,其係各基端側會被配置於該光束的通路內,而使以來自光源的光束的横剖面看時該光束能夠被分割;第1載置台,其係載置基板,構成繞著垂直軸自由旋轉,基板的周緣部會位於來自上述第1光路形成構件的前端側之光束的照射區域;第2載置台,其係基板的周緣部會位於來自上述第2光路形成構件的前端側之光束的照射區域;及遮光手段,其係遮斷來自第1光路形成構件及第2光路形成構件之各個光的照射。
      由於可利用共通的光源來對第1及第2載置台上的基板例如同時進行周緣曝光,因此具有高處理能力且可抑止裝置的大型化。
    • 本发明的课题是在于提供一种可一方面抑止设备的大型化,另一方面具有高基板处理能力的周缘曝光设备及周缘曝光方法。 其解决手段为周缘曝光装的构成系具备:第1光路形成构件及第2光路形成构件,其系各基端侧会被配置于该光束的通路内,而使以来自光源的光束的横剖面看时该光束能够被分割;第1载置台,其系载置基板,构成绕着垂直轴自由旋转,基板的周缘部会位于来自上述第1光路形成构件的前端侧之光束的照射区域;第2载置台,其系基板的周缘部会位于来自上述第2光路形成构件的前端侧之光束的照射区域;及遮光手段,其系遮断来自第1光路形成构件及第2光路形成构件之各个光的照射。 由于可利用共通的光源来对第1及第2载置台上的基板例如同时进行周缘曝光,因此具有高处理能力且可抑止设备的大型化。
    • 9. 发明专利
    • 接合系統、接合方法及電腦記憶媒體
    • 接合系统、接合方法及电脑记忆媒体
    • TW201208027A
    • 2012-02-16
    • TW100107736
    • 2011-03-08
    • 東京威力科創股份有限公司
    • 西林孝浩岩下泰治田村武北山殖也
    • H01L
    • H01L21/187H01L21/67092H01L21/67109H01L21/6715H01L21/67167H01L21/67184H01L21/67288H01L21/67748H01L21/68Y10T156/10Y10T156/14Y10T156/17
    • 本發明的課題是在於一面適當地接合基板彼此間,一面使基板接合處理的總處理能力提升。其解決手段為接合系統(1)具有:搬出入站(2),其係可保有複數的晶圓(WU、WL)、複數的重合晶圓(WT),且對處理站3搬出入晶圓(WU、WL)、重合晶圓(WT);及處理站(3),其係對晶圓(WU、WL)進行所定的處理,接合晶圓(WU、WL)彼此間。處理站(3)是具有:表面活化裝置(30),其係使晶圓(WU、WL)的表面活化;表面親水化裝置(40),其係使晶圓(WU、WL)的表面親水化的同時洗淨;接合裝置(41),其係接合晶圓(WU、WL)彼此間;及搬送區域(60),其係用以對於表面活化裝置(30)、表面親水化裝置(40)及接合裝置(41)搬送晶圓(WU、WL)、重合晶圓(WT)。
    • 本发明的课题是在于一面适当地接合基板彼此间,一面使基板接合处理的总处理能力提升。其解决手段为接合系统(1)具有:搬出入站(2),其系可保有复数的晶圆(WU、WL)、复数的重合晶圆(WT),且对处理站3搬出入晶圆(WU、WL)、重合晶圆(WT);及处理站(3),其系对晶圆(WU、WL)进行所定的处理,接合晶圆(WU、WL)彼此间。处理站(3)是具有:表面活化设备(30),其系使晶圆(WU、WL)的表面活化;表面亲水化设备(40),其系使晶圆(WU、WL)的表面亲水化的同时洗净;接合设备(41),其系接合晶圆(WU、WL)彼此间;及搬送区域(60),其系用以对于表面活化设备(30)、表面亲水化设备(40)及接合设备(41)搬送晶圆(WU、WL)、重合晶圆(WT)。