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1. 发明专利

TWI603377B 塗布處理方法、電腦記錄媒體及塗布處理裝置有权
简体标题：涂布处理方法、电脑记录媒体及涂布处理设备
公开(公告)号：TWI603377B
公开(公告)日：2017-10-21
申请号：TW104141226
申请日：2015-12-09
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：橋本崇史 , HASIMOTO, TAKAFUMI , 畠山真一 , HATAKEYAMA, SHINICHI , 柴田直樹 , SHIBATA, NAOKI , 吉原孝介 , YOSHIHARA, KOUSUKE , 久保田稔 , KUBOTA, MINORU , 井手裕幸 , IDE, HIROYUKI
IPC分类号： H01L21/027 , B05C11/08 , B05D1/40 , B05D3/00
CPC分类号： G05B15/02 , B05D1/005 , B05D3/042 , B05D3/0466 , B05D3/104 , G03F7/162 , H01L21/6715

2. 发明专利

TW201741034A 基板處理方法、基板處理裝置及電腦可讀取記錄媒體审中-公开
简体标题：基板处理方法、基板处理设备及电脑可读取记录媒体
公开(公告)号：TW201741034A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW106105813
申请日：2017-02-22
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：加藤寬三 , KATO, KANZO , 畠山真一 , HATAKEYAMA, SHINICHI , 柴田直樹 , SHIBATA, NAOKI
IPC分类号： B05C11/08 , B05D1/40 , B05D3/00 , G03F7/16 , H01L21/027
CPC分类号： B05C11/08 , B05D1/40 , B05D3/00 , G03F7/16 , H01L21/027
摘要：本發明之目的在於減少塗布液的使用量同時提高塗布膜之膜厚的均一性。為了達成上述目的，本發明之晶圓的處理方法包含：第1步驟（S3），其對以第1轉速旋轉的晶圓的表面供給塗布液；以及第2步驟（S5），其在第1步驟之後且在對晶圓的表面所供給的塗布液乾燥之前，對以比第1轉速更低的第2轉速旋轉的晶圓的表面供給塗布液。
简体摘要：本发明之目的在于减少涂布液的使用量同时提高涂布膜之膜厚的均一性。为了达成上述目的，本发明之晶圆的处理方法包含：第1步骤（S3），其对以第1转速旋转的晶圆的表面供给涂布液；以及第2步骤（S5），其在第1步骤之后且在对晶圆的表面所供给的涂布液干燥之前，对以比第1转速更低的第2转速旋转的晶圆的表面供给涂布液。

3. 发明专利

TW201639635A 液體處理方法、液體處理裝置及記錄媒體审中-公开
简体标题：液体处理方法、液体处理设备及记录媒体
公开(公告)号：TW201639635A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：TW104141227
申请日：2015-12-09
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：橋本崇史 , HASIMOTO, TAKAFUMI , 畠山真一 , HATAKEYAMA, SHINICHI , 柴田直樹 , SHIBATA, NAOKI
IPC分类号： B05C5/02 , B05C11/10
CPC分类号： G03F7/16
摘要：本發明提供一種可提高處理液相對於基板之塗布狀態的均勻度的液體處理方法、液體處理裝置以及液體處理用記錄媒體。本發明之塗布單元U1具備：旋轉保持部20，其使晶圓W旋轉；噴嘴32，其將處理液R供給到晶圓W的表面Wa上；以及控制部60，其控制噴嘴32相對於晶圓W的位置。本發明之液體處理方法包含：使晶圓W以第一轉速ω1旋轉，同時在偏離晶圓W的旋轉中心CL1的位置對晶圓W的表面Wa開始供給處理液R，並使處理液R的供給位置往旋轉中心CL1側移動的步驟；以及在處理液R的供給位置到達旋轉中心CL1之後，以比第一轉速ω1更大的第二轉速ω2使晶圓W旋轉，藉此將處理液R擴散塗布到晶圓W的外周側之步驟。
简体摘要：本发明提供一种可提高处理液相对于基板之涂布状态的均匀度的液体处理方法、液体处理设备以及液体处理用记录媒体。本发明之涂布单元U1具备：旋转保持部20，其使晶圆W旋转；喷嘴32，其将处理液R供给到晶圆W的表面Wa上；以及控制部60，其控制喷嘴32相对于晶圆W的位置。本发明之液体处理方法包含：使晶圆W以第一转速ω1旋转，同时在偏离晶圆W的旋转中心CL1的位置对晶圆W的表面Wa开始供给处理液R，并使处理液R的供给位置往旋转中心CL1侧移动的步骤；以及在处理液R的供给位置到达旋转中心CL1之后，以比第一转速ω1更大的第二转速ω2使晶圆W旋转，借此将处理液R扩散涂布到晶圆W的外周侧之步骤。

4. 发明专利

TW201637076A 塗布處理方法、電腦記錄媒體及塗布處理裝置审中-公开
简体标题：涂布处理方法、电脑记录媒体及涂布处理设备
公开(公告)号：TW201637076A
公开(公告)日：2016-10-16
申请号：TW104141226
申请日：2015-12-09
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：橋本崇史 , HASIMOTO, TAKAFUMI , 畠山真一 , HATAKEYAMA, SHINICHI , 柴田直樹 , SHIBATA, NAOKI , 吉原孝介 , YOSHIHARA, KOUSUKE , 久保田稔 , KUBOTA, MINORU , 井手裕幸 , IDE, HIROYUKI
IPC分类号： H01L21/027 , B05C11/08 , B05D1/40 , B05D3/00
CPC分类号： G05B15/02 , B05D1/005 , B05D3/042 , B05D3/0466 , B05D3/104 , G03F7/162 , H01L21/6715
摘要：本發明之目的為：在基板上塗布塗布液時，將塗布液的供給量抑制在較少的量，同時在基板面內均勻地塗布塗布液。為了達成上述目的，本發明提供一種在晶圓上塗布塗布液的方法，其特徵為：將塗布液的溶劑供給到晶圓上，在該晶圓的外周圍部位使溶劑的液膜形成為環狀，一邊令晶圓以第1旋轉速度旋轉，一邊將塗布液供給到晶圓的中心部位（時間t1 ～t2 ），令晶圓以比第1旋轉速度更快的第2旋轉速度旋轉，使塗布液在基板上擴散（時間t4 ～t5 ）。溶劑的供給，到塗布液與溶劑的液膜接觸之前持續地進行（時間t0 ～t3 ）。
简体摘要：本发明之目的为：在基板上涂布涂布液时，将涂布液的供给量抑制在较少的量，同时在基板面内均匀地涂布涂布液。为了达成上述目的，本发明提供一种在晶圆上涂布涂布液的方法，其特征为：将涂布液的溶剂供给到晶圆上，在该晶圆的外周围部位使溶剂的液膜形成为环状，一边令晶圆以第1旋转速度旋转，一边将涂布液供给到晶圆的中心部位（时间t1 ～t2 ），令晶圆以比第1旋转速度更快的第2旋转速度旋转，使涂布液在基板上扩散（时间t4 ～t5 ）。溶剂的供给，到涂布液与溶剂的液膜接触之前持续地进行（时间t0 ～t3 ）。

5. 发明专利

TWI686241B 塗布膜形成裝置、塗布膜形成方法及記錄媒體有权
简体标题：涂布膜形成设备、涂布膜形成方法及记录媒体
公开(公告)号：TWI686241B
公开(公告)日：2020-03-01
申请号：TW106115390
申请日：2017-05-10
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：柴田直樹 , SHIBATA, NAOKI , 畠山真一 , HATAKEYAMA, SHINICHI
IPC分类号： B05C11/08 , B05C11/10 , B05D1/40 , G03F7/16 , H01L21/027

6. 发明专利

TWI669759B 基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體有权
简体标题：基板处理设备、基板处理方法及记忆媒体
公开(公告)号：TWI669759B
公开(公告)日：2019-08-21
申请号：TW107109198
申请日：2018-03-19
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：川上真一路 , KAWAKAMI, SHINICHIRO , 水之浦宏 , MIZUNOURA, HIROSHI , 畠山真一 , HATAKEYAMA, SHINICHI
IPC分类号： H01L21/3105 , H01L21/67

7. 发明专利

TWI545404B 塗佈處理裝置、塗佈顯影處理系統、及塗佈處理方法與記錄有用來實行該塗佈處理方法之程式的記錄媒體有权
简体标题：涂布处理设备、涂布显影处理系统、及涂布处理方法与记录有用来实行该涂布处理方法之进程的记录媒体
公开(公告)号：TWI545404B
公开(公告)日：2016-08-11
申请号：TW101114370
申请日：2012-04-23
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：吉原孝介 , YOSHIHARA, KOUSUKE , 高柳康治 , TAKAYANAGI, KOJI , 畠山真一 , HATAKEYAMA, SHINICHI , 川上浩平 , KAWAKAMI KOHEI
IPC分类号： G03F7/16 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/0337 , B05C11/023 , B05D1/005 , G03F7/162 , G06F19/00 , H01L21/0271 , H01L21/6715 , H01L51/0003 , H01L2224/03418

8. 发明专利

TW201433366A 周緣部塗布裝置、周緣部塗布方法及周緣部塗布用記錄媒體审中-公开
简体标题：周缘部涂布设备、周缘部涂布方法及周缘部涂布用记录媒体
公开(公告)号：TW201433366A
公开(公告)日：2014-09-01
申请号：TW102144063
申请日：2013-12-02
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：畠山真一 , HATAKEYAMA, SHINICHI , 佐藤好友 , SATO, YOSHITOMO , 田代和之 , TASHIRO, KAZUYUKI , 木下尙文 , KISHITA, NAOFUMI
IPC分类号： B05D1/40 , B05B13/02
CPC分类号： H01L21/02282 , H01L21/6715
摘要：本發明之目的在於提供一種周緣部塗布裝置、周緣部塗布方法及周緣部塗布用記錄媒體，可僅在基板的周緣部效率良好地形成膜厚極為均勻的塗布膜。為達成上述之目的，於周緣部塗布單元中，進行掃入控制及掃出控制；該掃入控制，係在使晶圓W旋轉的同時，從光阻液噴嘴27吐出光阻液，並使光阻液噴嘴27從晶圓W之周緣Wb的外側往晶圓W的周緣部Wc上移動；該掃出控制，係在使晶圓W旋轉的同時，從光阻液噴嘴27吐出光阻液，並使光阻液噴嘴27從晶圓W之周緣部Wc上往晶圓W之周緣Wb的外側移動；在進行掃出控制時，以速度v2使光阻液噴嘴27移動，該速度v2低於光阻液往晶圓W之周緣Wb側移動的速度v3。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种周缘部涂布设备、周缘部涂布方法及周缘部涂布用记录媒体，可仅在基板的周缘部效率良好地形成膜厚极为均匀的涂布膜。为达成上述之目的，于周缘部涂布单元中，进行扫入控制及扫出控制；该扫入控制，系在使晶圆W旋转的同时，从光阻液喷嘴27吐出光阻液，并使光阻液喷嘴27从晶圆W之周缘Wb的外侧往晶圆W的周缘部Wc上移动；该扫出控制，系在使晶圆W旋转的同时，从光阻液喷嘴27吐出光阻液，并使光阻液喷嘴27从晶圆W之周缘部Wc上往晶圆W之周缘Wb的外侧移动；在进行扫出控制时，以速度v2使光阻液喷嘴27移动，该速度v2低于光阻液往晶圆W之周缘Wb侧移动的速度v3。

9. 发明专利

TW201808463A 基板處理方法、基板處理裝置及記錄媒體审中-公开
简体标题：基板处理方法、基板处理设备及记录媒体
公开(公告)号：TW201808463A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106128027
申请日：2017-08-18
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：畠山真一 , HATAKEYAMA, SHINICHI , 渡邊聖之 , WATANABE, MASANOBU , 西幸三 , NISHI, KOUZO , 戶塚誠也 , TOTSUKA, SEIYA , 吉原健太郎 , YOSHIHARA, KENTARO
IPC分类号： B05C9/04 , B05C5/00
摘要：本發明旨在提供能有效地提高塗佈膜之膜厚的均一性之基板處理裝置、基板處理方法及記錄媒體。塗佈顯像裝置2包含有噴嘴22、壓送部40、送液管路50及控制器100，該噴嘴用以將處理液吐出至晶圓W；該壓送部用以將處理液壓送至噴嘴22側；該送液管路具有從壓送部40側排列至噴嘴22側之閥53、54，而用以將處理液從壓送部40引導至噴嘴22。控制器100執行下列步驟：在閥54關閉，閥53與閥54之間的壓力比壓送部40與閥53之間的壓力更高之狀態下，開啟閥53；將壓送部40控制成使因閥53開啟而降低之閥53與閥54之間的壓力上升；於閥53與閥54之間的壓力因閥53開啟而降低後，開啟閥54。
简体摘要：本发明旨在提供能有效地提高涂布膜之膜厚的均一性之基板处理设备、基板处理方法及记录媒体。涂布显像设备2包含有喷嘴22、压送部40、送液管路50及控制器100，该喷嘴用以将处理液吐出至晶圆W；该压送部用以将处理液压送至喷嘴22侧；该送液管路具有从压送部40侧排列至喷嘴22侧之阀53、54，而用以将处理液从压送部40引导至喷嘴22。控制器100运行下列步骤：在阀54关闭，阀53与阀54之间的压力比压送部40与阀53之间的压力更高之状态下，打开阀53；将压送部40控制成使因阀53打开而降低之阀53与阀54之间的压力上升；于阀53与阀54之间的压力因阀53打开而降低后，打开阀54。

10. 发明专利

TW201805071A 塗布膜形成裝置、塗布膜形成方法及記錄媒體审中-公开
简体标题：涂布膜形成设备、涂布膜形成方法及记录媒体
公开(公告)号：TW201805071A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106115390
申请日：2017-05-10
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：柴田直樹 , SHIBATA, NAOKI , 畠山真一 , HATAKEYAMA, SHINICHI
IPC分类号： B05C11/08 , B05C11/10 , B05D1/40 , G03F7/16 , H01L21/027
CPC分类号： B05C11/08 , B05C11/10 , B05D1/40 , G03F7/16 , H01L21/027
摘要：本發明之目的為在對基板形成塗布膜之際，可以抑制氣泡混入塗布膜中。為達成前述目的，本發明進行處理以實施第1步驟、第2步驟、以及第3步驟；該第1步驟，係對基板供給塗布液，以在該基板之中心部，局部性地形成液池A1；接著，該第2步驟，係僅限於對該液池A1之周緣部供給稀釋液，以形成混合液A2；接下來，該第3步驟，係旋轉該基板，以藉由離心力使該混合液A2伸展至該基板之周緣部，而以該混合液A2被覆基板之周緣部，並使該液池伸展至以該混合液A2所被覆之基板之周緣部，而形成該塗布膜。
简体摘要：本发明之目的为在对基板形成涂布膜之际，可以抑制气泡混入涂布膜中。为达成前述目的，本发明进行处理以实施第1步骤、第2步骤、以及第3步骤；该第1步骤，系对基板供给涂布液，以在该基板之中心部，局部性地形成液池A1；接着，该第2步骤，系仅限于对该液池A1之周缘部供给稀释液，以形成混合液A2；接下来，该第3步骤，系旋转该基板，以借由离心力使该混合液A2伸展至该基板之周缘部，而以该混合液A2被覆基板之周缘部，并使该液池伸展至以该混合液A2所被覆之基板之周缘部，而形成该涂布膜。

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