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1. 发明专利

TW540121B 光照射式加熱處理裝置及方法有权
简体标题：光照射式加热处理设备及方法
公开(公告)号：TW540121B
公开(公告)日：2003-07-01
申请号：TW090117832
申请日：2001-07-20
申请人：牛尾電機股份有限公司
发明人：鈴木信二 , 三村芳樹
IPC分类号： H01L
摘要：本發明有關於將半導體晶圓之成膜擴散，回火等予以急速加熱、高溫保持，急速冷卻處理之光照射式加熱處理裝置及其處理方法。
(課題)提供可能使晶圓之均一之加熱，同時有效率的實施導環之加熱為目的。
(解決手段)以晶圓加熱用之燈L1~L8及導環加熱用之燈L9、L10來構成光源部1之燈L1~L10。並且使從導環加熱用之燈L9，L10至導環3之距離大於從晶圓加熱用之燈L1~L8至晶圓W之距離，令燈 L1~L8與燈L9，L10之間側壁4形成為鏡面，而將從燈L9，L10所照射於晶圓方向之光反射於導環3方向。再在於導環加熱用之燈L9，L10之外周形成第2之側壁5，而使該側壁5做為反射面。
再者在於導環3之外周設置第2鏡6，而將照射於導環3之外側之光聚光於導環3者。
简体摘要：本发明有关于将半导体晶圆之成膜扩散，回火等予以急速加热、高温保持，急速冷却处理之光照射式加热处理设备及其处理方法。 (课题)提供可能使晶圆之均一之加热，同时有效率的实施导环之加热为目的。 (解决手段)以晶圆加热用之灯L1~L8及导环加热用之灯L9、L10来构成光源部1之灯L1~L10。并且使从导环加热用之灯L9，L10至导环3之距离大于从晶圆加热用之灯L1~L8至晶圆W之距离，令灯 L1~L8与灯L9，L10之间侧壁4形成为镜面，而将从灯L9，L10所照射于晶圆方向之光反射于导环3方向。再在于导环加热用之灯L9，L10之外周形成第2之侧壁5，而使该侧壁5做为反射面。再者在于导环3之外周设置第2镜6，而将照射于导环3之外侧之光聚光于导环3者。

2. 发明专利

TW538321B 薄膜電路基板的周邊曝光裝置失效
简体标题：薄膜电路基板的周边曝光设备
公开(公告)号：TW538321B
公开(公告)日：2003-06-21
申请号：TW090124549
申请日：2001-10-04
申请人：牛尾電機股份有限公司
发明人：三村芳樹 , 原一元
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/2026 , G03F7/2028 , H05K1/0393 , H05K3/0082 , H05K3/0097
摘要：促使薄膜周邊部雖有彎翹或皺紋、亦能在搬運薄膜同時、以良好精確度予以曝光薄膜周邊部。
藉由發光部4a及聚光部4b所構成光感測器4予以檢測TAB磁帶TP上之銅箔邊緣、並移動滑動台5及投影透鏡單元2促使聚光部4b之聚光量呈一定、而將紫外光予以聚光於TAB磁帶TP之銅箔周邊部以曝光該周邊部。投影透鏡單元2乃設有噴嘴9、且自該噴嘴9將空氣吹向TAB磁帶TP之進行周邊曝光之領域、藉空氣壓力予以吹押於載台3表面。藉此、雖TAB磁帶周邊部有彎翹或有皺紋、亦能促使TAB磁帶周邊部呈平面、可避免掩模之周緣影像模糊以進行精確度良好之曝光。
简体摘要：促使薄膜周边部虽有弯翘或皱纹、亦能在搬运薄膜同时、以良好精确度予以曝光薄膜周边部。借由发光部4a及聚光部4b所构成光传感器4予以检测TAB磁带TP上之铜箔边缘、并移动滑动台5及投影透镜单元2促使聚光部4b之聚光量呈一定、而将紫外光予以聚光于TAB磁带TP之铜箔周边部以曝光该周边部。投影透镜单元2乃设有喷嘴9、且自该喷嘴9将空气吹向TAB磁带TP之进行周边曝光之领域、藉空气压力予以吹押于载台3表面。借此、虽TAB磁带周边部有弯翘或有皱纹、亦能促使TAB磁带周边部呈平面、可避免掩模之周缘影像模煳以进行精确度良好之曝光。

3. 发明专利

TW326552B 晶圓周邊曝光方法及裝置失效
简体标题：晶圆周边曝光方法及设备
公开(公告)号：TW326552B
公开(公告)日：1998-02-11
申请号：TW085115888
申请日：1996-12-23
申请人：牛尾電機股份有限公司
发明人：三村芳樹
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G03F7/2028
摘要：本發明可以藉由一台的裝置使晶圓周邊部之一部分作階梯狀以及環狀曝光。
使塗佈了光抗蝕層之晶圓Ｗ載置在旋轉台ＲＳ上旋轉一周而檢測晶圓Ｗ之載置狀態與定向邊等之特異點，此外也檢測出對準標誌，根據該些情報使旋轉台ＲＳ產生移動／旋轉而使晶圓Ｗ位於一定的位置。接著，則自曝射光射出部Ｌ０１一邊照射曝射光，一邊藉由ＸＹ台ＸＹＳ使旋轉台ＲＳ移動而使晶圓周邊部之一部分作階梯式曝光。接著則使旋轉台ＲＳ移動到虛線位置，而一邊使晶圓Ｗ旋轉，一邊自曝射光射出部Ｌ０２照射曝射光，使晶圓之周邊部之未曝光部分作環狀曝光。此外，也可以設置光纖切換單元，而自一個光源將曝射光供給到曝射光射出部Ｌ０１、Ｌ０２。
简体摘要：本发明可以借由一台的设备使晶圆周边部之一部分作阶梯状以及环状曝光。使涂布了光抗蚀层之晶圆Ｗ载置在旋转台ＲＳ上旋转一周而检测晶圆Ｗ之载置状态与定向边等之特异点，此外也检测出对准标志，根据该些情报使旋转台ＲＳ产生移动／旋转而使晶圆Ｗ位于一定的位置。接着，则自曝射光射出部Ｌ０１一边照射曝射光，一边借由ＸＹ台ＸＹＳ使旋转台ＲＳ移动而使晶圆周边部之一部分作阶梯式曝光。接着则使旋转台ＲＳ移动到虚线位置，而一边使晶圆Ｗ旋转，一边自曝射光射出部Ｌ０２照射曝射光，使晶圆之周边部之未曝光部分作环状曝光。此外，也可以设置光纤切换单元，而自一个光源将曝射光供给到曝射光射出部Ｌ０１、Ｌ０２。

4. 发明专利

TW451309B 光照射式加熱處理裝置失效
简体标题：光照射式加热处理设备
公开(公告)号：TW451309B
公开(公告)日：2001-08-21
申请号：TW088120805
申请日：1999-11-29
申请人：牛尾電機股份有限公司
发明人：鈐木信二 , 三村芳樹
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H05B3/0047
摘要：本發明之課題，係由將燈有效率地充份冷卻，為了提高晶片的升溫速度，即使更增加燈之輸入，也不會發生燈管發光部的失透，提供壽命長之光照射式加熱處理裝置。
在把燈的光照射而加熱之光照射式加熱處理裝置，把多數個一端密封型燈排列在鏡子設置，而在鏡子設置將燈冷卻的送風路和從燈周圍排氣之排風路。
简体摘要：本发明之课题，系由将灯有效率地充份冷却，为了提高芯片的升温速度，即使更增加灯之输入，也不会发生灯管发光部的失透，提供寿命长之光照射式加热处理设备。在把灯的光照射而加热之光照射式加热处理设备，把多数个一端密封型灯排列在镜子设置，而在镜子设置将灯冷却的送风路和从灯周围排气之排风路。

5. 发明专利

TW316322B 除去半導體晶圓上之不要阻劑的晶圓周邊曝光方法及裝置失效
简体标题：除去半导体晶圆上之不要阻剂的晶圆周边曝光方法及设备
公开(公告)号：TW316322B
公开(公告)日：1997-09-21
申请号：TW085110859
申请日：1996-09-05
申请人：牛尾電機股份有限公司
发明人：三村芳樹 , 三浦真悦 , 美濃部猛
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G03F7/2028
摘要：本發明，係關於用以將晶圓上的不要阻劑在顯影工程除去而適用之晶圓週邊曝光方法及曝光裝置，特別有關用以將階段狀形狀的不要阻劑在顯影工程除去而適用之晶圓周邊曝光方法及曝光裝置。
本發明的課題，係即使在前工程形成在半導體晶圓上形成之電路圖型的形成位置有誤差，也能高精確度且簡便地，實現用以將階段狀形狀之不要阻劑在顯影工程除去的晶圓周邊曝光。
其解決方法，係在把晶圓（Ｗ）上的圖型形成領域以外之不要阻劑曝光前，以晶圓周緣檢出裝置（１３）檢出方位邊緣（oxientation flat）等形狀上的特異點之位置，驅動旋轉台級（１）使上述形狀上的特異點位於所定位置為止使晶圓旋轉，根據以對準標誌檢出單位（１４）把所定的對準標誌之位置記憶，運算而校正電路型的形成位置之誤差，再者驅動旋轉台級（１）進行晶圓上的曝光領域位置之微調整。
简体摘要：本发明，系关于用以将晶圆上的不要阻剂在显影工程除去而适用之晶圆周边曝光方法及曝光设备，特别有关用以将阶段状形状的不要阻剂在显影工程除去而适用之晶圆周边曝光方法及曝光设备。本发明的课题，系即使在前工程形成在半导体晶圆上形成之电路图型的形成位置有误差，也能高精确度且简便地，实现用以将阶段状形状之不要阻剂在显影工程除去的晶圆周边曝光。其解决方法，系在把晶圆（Ｗ）上的图型形成领域以外之不要阻剂曝光前，以晶圆周缘检出设备（１３）检出方位边缘（oxientation flat）等形状上的特异点之位置，驱动旋转台级（１）使上述形状上的特异点位于所定位置为止使晶圆旋转，根据以对准标志检出单位（１４）把所定的对准标志之位置记忆，运算而校正电路型的形成位置之误差，再者驱动旋转台级（１）进行晶圆上的曝光领域位置之微调整。

6. 发明专利

TW580740B 塗布在大型基板的光阻的硬化方法及裝置失效
简体标题：涂布在大型基板的光阻的硬化方法及设备
公开(公告)号：TW580740B
公开(公告)日：2004-03-21
申请号：TW091118300
申请日：2002-08-14
申请人：牛尾電機股份有限公司 USHIO DENKI KABUSHIKI KAISHA
发明人：三村芳樹 , 原一元
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67115 , G03F7/40 , H01L21/67109
摘要：提供一種不會增加投入在裝置的效用(utility)的光阻硬化方法及裝置。
將工件台WS分割成小於工件大小的複數台ST1至 ST4，並將令割之領域分別控制在不同的一定溫度。首先，藉由工件搬運手段14，將塗布有光阻並經顯像的工件一部分載置於工件台WS的台ST1，一面加熱器W的上述部分一面從光照射部11照射紫外線。然後，藉由工件搬運手段14，移動工件使得位在台ST1上的工件一部分位在台ST2，而另一部分位於台ST1上，並從光照射部11照射紫外線。同樣地，藉由工件搬運手段14一面間歇地移動工件，一面將紫外線照射在工件俾硬化光阻。
简体摘要：提供一种不会增加投入在设备的效用(utility)的光阻硬化方法及设备。将工件台WS分割成小于工件大小的复数台ST1至 ST4，并将令割之领域分别控制在不同的一定温度。首先，借由工件搬运手段14，将涂布有光阻并经显像的工件一部分载置于工件台WS的台ST1，一面加热器W的上述部分一面从光照射部11照射紫外线。然后，借由工件搬运手段14，移动工件使得位在台ST1上的工件一部分位在台ST2，而另一部分位于台ST1上，并从光照射部11照射紫外线。同样地，借由工件搬运手段14一面间歇地移动工件，一面将紫外线照射在工件俾硬化光阻。

7. 发明专利

TW454241B 光阻劑硬化裝置有权
简体标题：光阻剂硬化设备
公开(公告)号：TW454241B
公开(公告)日：2001-09-11
申请号：TW089109634
申请日：2000-05-19
申请人：牛尾電機股份有限公司
发明人：田近望 , 倉持智 , 三村芳樹
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67109 , H01L21/6838
摘要：本發明之課題，係提供將被塗佈光阻劑的矽晶片真空吸附在工作台，一面加熱，冷卻而照射紫外線進行光阻劑硬化處理，也不會在矽晶片的背面產生擦傷之光阻劑硬化裝置。
在由具有照射紫外線的光源部，和將矽晶片真空吸附之工件保持裝置及工作溫度控制裝置的工作台10而成，一面把被保持在工作台上面之矽晶片加熱，在矽晶片被塗佈的光阻劑照射紫外線使之硬化的光阻劑硬化裝置，在工作台上面和矽晶片之間，使由Si，SiO2，SiC， Si3N4中的一種材質而成之板片60介在，以將該板片和矽晶片真空吸附附在工作台之狀態照射紫外線。
简体摘要：本发明之课题，系提供将被涂布光阻剂的硅芯片真空吸附在工作台，一面加热，冷却而照射紫外线进行光阻剂硬化处理，也不会在硅芯片的背面产生擦伤之光阻剂硬化设备。在由具有照射紫外线的光源部，和将硅芯片真空吸附之工件保持设备及工作温度控制设备的工作台10而成，一面把被保持在工作台上面之硅芯片加热，在硅芯片被涂布的光阻剂照射紫外线使之硬化的光阻剂硬化设备，在工作台上面和硅芯片之间，使由Si，SiO2，SiC， Si3N4中的一种材质而成之板片60介在，以将该板片和硅芯片真空吸附附在工作台之状态照射紫外线。

8. 发明专利

TW449659B 燈之黑化檢測方法失效
简体标题：灯之黑化检测方法
公开(公告)号：TW449659B
公开(公告)日：2001-08-11
申请号：TW088117020
申请日：1999-10-02
申请人：牛尾電機股份有限公司
发明人：荒井徹治 , 鈴木信二 , 三村芳樹
IPC分类号： G01K
CPC分类号： G01N21/255
摘要：本發明係提供一種不依靠目視可在即時或接近其狀態下，檢測燈的黑化的燈之黑化檢測方法。
自燈１的燈泡玻璃所放射的輻射能量光譜經由光纖５ａ傳輸至輻射能量光譜檢測器５的本體部５ｂ。在本體部５ｂ設有檢測元件５ｃ與波段濾波器(band-pass filter)５ｄ僅將由波段濾波器５ｄ所測定的波段的輻射能量光譜導入於檢測元件５ｃ。自燈的燈泡玻璃所放射的此輻射能量光譜，因在未黑化時與黑化時為不同，所以藉由檢測自燈泡玻璃所放射的輻射能量光譜的變化就可檢測出燈的黑化。而且，在燈泡玻璃溫度變化的燈中，於令自燈泡玻璃所放射的輻射能量光譜不同的兩個波長中測定，根據其比率的變化來檢測出燈的黑化也可以。
简体摘要：本发明系提供一种不依靠目视可在实时或接近其状态下，检测灯的黑化的灯之黑化检测方法。自灯１的灯泡玻璃所放射的辐射能量光谱经由光纤５ａ传输至辐射能量光谱检测器５的本体部５ｂ。在本体部５ｂ设有检测组件５ｃ与波段滤波器(band-pass filter)５ｄ仅将由波段滤波器５ｄ所测定的波段的辐射能量光谱导入于检测组件５ｃ。自灯的灯泡玻璃所放射的此辐射能量光谱，因在未黑化时与黑化时为不同，所以借由检测自灯泡玻璃所放射的辐射能量光谱的变化就可检测出灯的黑化。而且，在灯泡玻璃温度变化的灯中，于令自灯泡玻璃所放射的辐射能量光谱不同的两个波长中测定，根据其比率的变化来检测出灯的黑化也可以。

9. 发明专利

TW392205B 晶圓周邊曝光裝置失效
简体标题：晶圆周边曝光设备
公开(公告)号：TW392205B
公开(公告)日：2000-06-01
申请号：TW087116820
申请日：1998-10-09
申请人：牛尾電機股份有限公司
发明人：三浦真悦 , 三村芳樹
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G03F7/2022 , H01L21/681
摘要：本發明係擬提供一種以使用形成階梯狀來曝光晶圓周邊部用之裝置而可曝光晶圓周邊部成環狀之小型又廉價之晶圓周邊曝光裝置者。為了達成該目的，本發明係如圖l所示，將塗敷有抗蝕劑之晶圓W載置於旋轉台RS上，並使之旋轉一個迴轉來偵測晶圓W之載置狀態及取向平面(orientaion flat)等之特異處,而依據該等之資訊來使晶圓W位於所定之位置。接著，從曝光(用)光出射部LOl予以照射曝光光之同時，由XY台XYS來移動旋轉台RS，而以形成階梯狀來曝光晶圓周邊部。又與上述同樣，予以偵測晶圓W之載置狀態及取向平面之特異處，以令晶圓W位於所定之位置。接著，從曝光光出射部LOl照射曝光光，且旋轉旋轉台RS來曝光晶圓W之周邊部成環狀。該時，以朝XY方向同時驅動XY台XYS來移動旋轉台RS，使之晶圓W之中心位置不會產生變化。
简体摘要：本发明系拟提供一种以使用形成阶梯状来曝光晶圆周边部用之设备而可曝光晶圆周边部成环状之小型又廉价之晶圆周边曝光设备者。为了达成该目的，本发明系如图l所示，将涂敷有抗蚀剂之晶圆W载置于旋转台RS上，并使之旋转一个掉头来侦测晶圆W之载置状态及取向平面(orientaion flat)等之特异处,而依据该等之信息来使晶圆W位于所定之位置。接着，从曝光(用)光出射部LOl予以照射曝光光之同时，由XY台XYS来移动旋转台RS，而以形成阶梯状来曝光晶圆周边部。又与上述同样，予以侦测晶圆W之载置状态及取向平面之特异处，以令晶圆W位于所定之位置。接着，从曝光光出射部LOl照射曝光光，且旋转旋转台RS来曝光晶圆W之周边部成环状。该时，以朝XY方向同时驱动XY台XYS来移动旋转台RS，使之晶圆W之中心位置不会产生变化。

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