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1. 发明专利

TWI588726B 電容感測器的讀取電路與其操作方法有权
简体标题：电容传感器的读取电路与其操作方法
公开(公告)号：TWI588726B
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：TW105108613
申请日：2016-03-21
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：林育聖 , LIN, YU-SHENG , 林志修 , LIN, CHIH-HSIOU , 邱勝任 , CHIU, SHENG-REN
IPC分类号： G06F3/044

2. 发明专利

TWI615985B 光感測元件及其製造方法有权
简体标题：光传感组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI615985B
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：TW104143693
申请日：2015-12-25
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：許豐家 , HSU, FENG-CHIA , 林育聖 , LIN, YU-SHENG , 蔡俊胤 , TSAI, CHUN-YIN , 邱勝任 , CHIU, SHENG-REN
IPC分类号： H01L31/02 , H01L31/09 , H01L31/18
CPC分类号： H01L27/1443 , G01J5/023 , G01J5/024 , G01J5/10 , G01J5/12 , G01J5/20 , H01L31/02005 , H01L31/02164 , H01L31/02327 , H01L31/024 , H01L31/18

3. 发明专利

TW201734735A 電容感測器的讀取電路與其操作方法审中-公开
简体标题：电容传感器的读取电路与其操作方法
公开(公告)号：TW201734735A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105108613
申请日：2016-03-21
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：林育聖 , LIN, YU-SHENG , 林志修 , LIN, CHIH-HSIOU , 邱勝任 , CHIU, SHENG-REN
IPC分类号： G06F3/044
摘要：讀取電路包括輸入驅動電路、第一積分電路、二個電容器、開關電路、第二積分電路、比較器、閂鎖電路與三個校正支路。第一積分電路儲存/累積電容感測器、第一校正支路與第二校正支路產生的電荷。第一電容器、第二電容器與開關電路將第一積分電路儲存的電荷傳送至第二積分電路。第二積分電路的輸出端耦接至比較器與閂鎖電路。閂鎖電路的輸出端產生數位信號，其部分脈衝密度可以表示感測器之差動電容變化量。第一校正支路用以校正所述讀取電路的輸出信號的偏移電壓。第二校正支路與第三校正支路用以校正所述讀取電路的電容靈敏度。
简体摘要：读取电路包括输入驱动电路、第一积分电路、二个电容器、开关电路、第二积分电路、比较器、闩锁电路与三个校正支路。第一积分电路存储/累积电容传感器、第一校正支路与第二校正支路产生的电荷。第一电容器、第二电容器与开关电路将第一积分电路存储的电荷发送至第二积分电路。第二积分电路的输出端耦接至比较器与闩锁电路。闩锁电路的输出端产生数码信号，其部分脉冲密度可以表示传感器之差动电容变化量。第一校正支路用以校正所述读取电路的输出信号的偏移电压。第二校正支路与第三校正支路用以校正所述读取电路的电容灵敏度。

4. 发明专利

TW201724533A 光感測元件及其製造方法审中-公开
简体标题：光传感组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201724533A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW104143693
申请日：2015-12-25
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：許豐家 , HSU, FENG-CHIA , 林育聖 , LIN, YU-SHENG , 蔡俊胤 , TSAI, CHUN-YIN , 邱勝任 , CHIU, SHENG-REN
IPC分类号： H01L31/02 , H01L31/09 , H01L31/18
CPC分类号： H01L27/1443 , G01J5/023 , G01J5/024 , G01J5/10 , G01J5/12 , G01J5/20 , H01L31/02005 , H01L31/02164 , H01L31/02327 , H01L31/024 , H01L31/18
摘要：一種光感測元件，其包括基材、半導體元件層、金屬與絕緣材料疊層結構以及光吸收層。基材具有凹陷部。半導體元件層位於基材上。金屬與絕緣材料疊層結構位於半導體元件層上且包括第一內連線結構以及位於第一內連線結構周圍之第二內連線結構以及元件導線。光吸收層位於金屬與絕緣材料疊層結構上，其中第一內連線結構位於光吸收層與半導體元件層之間，以使位於不同水平面的光吸收層以及半導體元件層彼此具有固體熱傳導途徑。
简体摘要：一种光传感组件，其包括基材、半导体组件层、金属与绝缘材料叠层结构以及光吸收层。基材具有凹陷部。半导体组件层位于基材上。金属与绝缘材料叠层结构位于半导体组件层上且包括第一内连接结构以及位于第一内连接结构周围之第二内连接结构以及组件导线。光吸收层位于金属与绝缘材料叠层结构上，其中第一内连接结构位于光吸收层与半导体组件层之间，以使位于不同水平面的光吸收层以及半导体组件层彼此具有固体热传导途径。

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