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1. 发明专利

TW201234434A 金屬－絕緣體過渡切換裝置 METAL-INSULATOR TRANSITION SWITCHING DEVICES 审中-公开
简体标题：金属－绝缘体过渡切换设备 METAL-INSULATOR TRANSITION SWITCHING DEVICES
公开(公告)号：TW201234434A
公开(公告)日：2012-08-16
申请号：TW100138068
申请日：2011-10-20
申请人：惠普研發公司
发明人：皮奇特馬修D , 桂克斯菲力浦J , 威廉斯 R 史丹利 , 派納弗瑞德里克 , 吳威 , 布萊特柯夫斯基亞歷山大M
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L47/02 , H01L47/005 , H01L49/003
摘要：一種金屬-絕緣體過渡切換裝置包括一第一電極及一第二電極。包括一整體金屬-絕緣體過渡材料之一通道區域將第一電極及第二電極分開。一種用以形成一金屬-絕緣體過渡切換裝置之方法包括將一整體金屬-絕緣體過渡材料層沉積於一第一電極與一第二電極之間,以形成一通道區域,及形成一閘極電極,其係與通道區域可操作地連接。
简体摘要：一种金属-绝缘体过渡切换设备包括一第一电极及一第二电极。包括一整体金属-绝缘体过渡材料之一信道区域将第一电极及第二电极分开。一种用以形成一金属-绝缘体过渡切换设备之方法包括将一整体金属-绝缘体过渡材料层沉积于一第一电极与一第二电极之间,以形成一信道区域,及形成一闸极电极,其系与信道区域可操作地连接。

2. 发明专利

TWI523290B 具非對稱電極之憶阻器有权
简体标题：具非对称电极之忆阻器
公开(公告)号：TWI523290B
公开(公告)日：2016-02-21
申请号：TW099124716
申请日：2010-07-27
申请人：惠普研發公司 , HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P.
发明人：布萊特柯夫斯基亞歷山大M , BRATKOVSKI, ALEXANDRE M. , 楊錦華 , YANG, JIANHUA , 王士元 , WANG, SHIH YUAN , 史圖克麥可 , STUKE, MICHAEL
IPC分类号： H01L45/00 , H01L27/24
CPC分类号： H01L45/1273 , G11C13/0007 , G11C16/02 , G11C2213/19 , G11C2213/52 , H01L27/2463 , H01L27/2472 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/148

3. 发明专利

TW201110439A 記憶電阻裝置 MEMRISTIVE DEVICE 审中-公开
简体标题：记忆电阻设备 MEMRISTIVE DEVICE
公开(公告)号：TW201110439A
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：TW099122820
申请日：2010-07-12
申请人：惠普研發公司
发明人：楊錦華 , 夏強菲 , 布萊特柯夫斯基亞歷山大M
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L45/145 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/142 , H01L45/146 , H01L45/1616
摘要：一種記憶電阻裝置包括一第一電極、一第二電極,其在一非零度角度下與該第一電極交叉,以及一活性區域,其係配置在該第一與第二電極之間。該活性區域具有一經控制的缺陷剖面遍及其之厚度。
简体摘要：一种记忆电阻设备包括一第一电极、一第二电极,其在一非零度角度下与该第一电极交叉,以及一活性区域,其系配置在该第一与第二电极之间。该活性区域具有一经控制的缺陷剖面遍及其之厚度。

4. 发明专利

TW201037259A 格柵式散熱座 GRID HEAT SINK 审中-公开
简体标题：格栅式散热座 GRID HEAT SINK
公开(公告)号：TW201037259A
公开(公告)日：2010-10-16
申请号：TW099105459
申请日：2010-02-25
申请人：惠普研發公司
发明人：布萊特柯夫斯基亞歷山大M , 奇亞瑪蘭尼K , 奧斯波夫維契斯雷 , 布瓦得后依葛拉米W
IPC分类号： F28F , H05K
CPC分类号： H01L23/467 , F28F3/02 , H01L23/367 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種格柵式散熱座包括一基座，數個交叉的鰭狀件及由交叉鰭狀件形成的數個通道。各個通道於格柵式散熱座之輸入側接受冷卻空氣及引導冷卻空氣至該格柵式散熱座之輸出側的出口。
简体摘要：一种格栅式散热座包括一基座，数个交叉的鳍状件及由交叉鳍状件形成的数个信道。各个信道于格栅式散热座之输入侧接受冷却空气及引导冷却空气至该格栅式散热座之输出侧的出口。

5. 发明专利

TWI500192B 記憶電阻裝置、用以製造記憶電阻裝置的方法以及交叉桿陣列有权
简体标题：记忆电阻设备、用以制造记忆电阻设备的方法以及交叉杆数组
公开(公告)号：TWI500192B
公开(公告)日：2015-09-11
申请号：TW099122820
申请日：2010-07-12
申请人：惠普研發公司 , HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P.
发明人：楊錦華 , YANG, JIANHUA , 夏強菲 , XIA, QIANGFEI , 布萊特柯夫斯基亞歷山大M , BRATKOVSKI, ALEXANDRE M.
IPC分类号： H01L45/00 , H01L27/24
CPC分类号： H01L45/145 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/142 , H01L45/146 , H01L45/1616

6. 发明专利

TW201027051A 奈米線輻射熱測定計光檢測器 NANOWIRE BOLOMETER PHOTODETECTOR 审中-公开
简体标题：奈米线辐射热测定计光检测器 NANOWIRE BOLOMETER PHOTODETECTOR
公开(公告)号：TW201027051A
公开(公告)日：2010-07-16
申请号：TW098131903
申请日：2009-09-22
申请人：惠普研發公司
发明人：布萊特柯夫斯基亞歷山大M , 奧斯波夫維契斯雷V
IPC分类号： G01J
CPC分类号： G01J5/20 , B82Y20/00 , G01J5/08 , G01J5/0809 , G01J5/0815 , G01J5/0853 , G02B19/0019 , G02B19/0028 , G02B19/0042 , G02B19/0076 , G02B19/009
摘要：一種用於輻射電磁能之檢測的光檢測器，包括至少一輻射熱測定計奈米線至少部份位於一光子陷阱內。該至少一奈米線具有至少一個黑化面。該黑化面被配置成吸收範圍從紅外光到可見光的輻射電磁能。
简体摘要：一种用于辐射电磁能之检测的光检测器，包括至少一辐射热测定计奈米线至少部份位于一光子猫腻内。该至少一奈米线具有至少一个黑化面。该黑化面被配置成吸收范围从红外光到可见光的辐射电磁能。

7. 发明专利

TWI511280B 記憶電容器有权
简体标题：记忆电容器
公开(公告)号：TWI511280B
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW099116812
申请日：2010-05-26
申请人：惠普研發公司 , HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P.
发明人：布萊特柯夫斯基亞歷山大M , BRATKOVSKI, ALEXANDRE M. , 威廉斯 R 史丹利 , WILLIAMS, R. STANLEY
IPC分类号： H01L27/24
CPC分类号： G11C11/24 , G11C13/0002 , H01G4/1272 , H01G4/255 , H01G4/33 , H01L27/101 , H01L28/40

8. 发明专利

TW201141095A 光學感測器網絡及其製造方法 OPTICAL SENSOR NETWORKS AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME 审中-公开
简体标题：光学传感器网络及其制造方法 OPTICAL SENSOR NETWORKS AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TW201141095A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：TW100103686
申请日：2011-01-31
申请人：惠普研發公司
发明人：周漢斯S , 布萊特柯夫斯基亞歷山大M , 威廉斯 R 史丹利 , 哈特維爾彼得G
IPC分类号： H04B
CPC分类号： G02B6/2938 , G01D5/268 , G01N21/7703 , G01N2021/7793 , G02B6/136 , G02B6/4403
摘要：本發明之各個實施例係針對感測器網絡及用以製造感測器網絡之方法。於一個構面，一種感測器網絡包括一處理節點，及光學式耦接該處理節點之一或多個感測器線路。各個感測器線路包含一波導，及一或多個感測器節點。各個感測器節點係光學式耦接該波導且係組配來量測一或多項物理條件，及將該量測結果編碼於由該波導所攜載至該處理節點之一或多個光波長。
简体摘要：本发明之各个实施例系针对传感器网络及用以制造传感器网络之方法。于一个构面，一种传感器网络包括一处理节点，及光学式耦接该处理节点之一或多个传感器线路。各个传感器线路包含一波导，及一或多个传感器节点。各个传感器节点系光学式耦接该波导且系组配来量测一或多项物理条件，及将该量测结果编码于由该波导所携载至该处理节点之一或多个光波长。

9. 发明专利

TW201117445A 具非對稱電極之憶阻器 MEMRISTORS WITH ASYMMETRIC ELECTRODES 审中-公开
简体标题：具非对称电极之忆阻器 MEMRISTORS WITH ASYMMETRIC ELECTRODES
公开(公告)号：TW201117445A
公开(公告)日：2011-05-16
申请号：TW099124716
申请日：2010-07-27
申请人：惠普研發公司
发明人：布萊特柯夫斯基亞歷山大M , 楊錦華 , 王士元 , 史圖克麥可
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L45/1273 , G11C13/0007 , G11C16/02 , G11C2213/19 , G11C2213/52 , H01L27/2463 , H01L27/2472 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/148
摘要：本發明之實施例針對提供非依電性憶阻式開關切換之奈米級憶阻器裝置。在一個實施例中，一憶阻器裝置包含一主動區域、位於該主動區域之一第一表面上之一第一電極及位於該主動區域之一第二表面上之一第二電極，該第二表面與該第一表面相對。該第一電極受組配以在一第一方向上具有比該主動區域大之一寬度，且該第二電極受組配以在一第二方向上具有比該主動區域大之一寬度。施加一電壓到該等電極中之至少一個在該第一電極與該第二電極之間產生穿過該主動區域內之一子區域的一電場。
简体摘要：本发明之实施例针对提供非依电性忆阻式开关切换之奈米级忆阻器设备。在一个实施例中，一忆阻器设备包含一主动区域、位于该主动区域之一第一表面上之一第一电极及位于该主动区域之一第二表面上之一第二电极，该第二表面与该第一表面相对。该第一电极受组配以在一第一方向上具有比该主动区域大之一宽度，且该第二电极受组配以在一第二方向上具有比该主动区域大之一宽度。施加一电压到该等电极中之至少一个在该第一电极与该第二电极之间产生穿过该主动区域内之一子区域的一电场。

10. 发明专利

TW201108407A 記憶電容器 MEMCAPACITOR 审中-公开
简体标题：记忆电容器 MEMCAPACITOR
公开(公告)号：TW201108407A
公开(公告)日：2011-03-01
申请号：TW099116812
申请日：2010-05-26
申请人：惠普研發公司
发明人：布萊特柯夫斯基亞歷山大M , 威廉斯 R 史丹利
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G11C11/24 , G11C13/0002 , H01G4/1272 , H01G4/255 , H01G4/33 , H01L27/101 , H01L28/40
摘要：一記憶電容裝置包括一第一電極及一第二電極及一介於該第一電極與該第二電極之間的記憶電容基質。可移動摻雜物被包含在該記憶電容基質內,且藉由施加一通過第一電極與第二電極之操作電壓而在該記憶電容基質內重新定位以改變該記憶電容器之電容。一種利用一記憶電容裝置的方法,包括在一記憶電容基質兩端施加一操作電壓使得包含在一記憶電容基質內的可移動離子重新分佈且改變該記憶電容裝置的一電容,接著除去操作電壓及施加一讀取電壓以感測記憶電容裝置之電容。
简体摘要：一记忆电容设备包括一第一电极及一第二电极及一介于该第一电极与该第二电极之间的记忆电容基质。可移动掺杂物被包含在该记忆电容基质内,且借由施加一通过第一电极与第二电极之操作电压而在该记忆电容基质内重新定位以改变该记忆电容器之电容。一种利用一记忆电容设备的方法,包括在一记忆电容基质两端施加一操作电压使得包含在一记忆电容基质内的可移动离子重新分布且改变该记忆电容设备的一电容,接着除去操作电压及施加一读取电压以传感记忆电容设备之电容。

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