专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI388922B 圖案形成方法及相位移遮罩的製造方法有权
简体标题：图案形成方法及相位移遮罩的制造方法
公开(公告)号：TWI388922B
公开(公告)日：2013-03-11
申请号：TW096105380
申请日：2007-02-14
申请人： HOYA股份有限公司 , HOYA CORPORATION
发明人：須田秀喜 , SUDA, HIDEKI
IPC分类号： G03F1/00 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/72 , C03C17/3411 , C03C2218/328 , C03C2218/33 , G03F1/26 , G03F1/32

2. 发明专利

TW201228967A 抗眩光表面處理方法及其製品 ANTI-GLARE SURFACE TREATMENT METHOD AND ARTICLES THEREOF 审中-公开
简体标题：抗眩光表面处理方法及其制品 ANTI-GLARE SURFACE TREATMENT METHOD AND ARTICLES THEREOF
公开(公告)号：TW201228967A
公开(公告)日：2012-07-16
申请号：TW100143533
申请日：2011-11-28
申请人：康寧公司
发明人：蘭德查爾斯華倫 , 麥爾斯提摩西愛德華 , 阮凱文 , 史帝芬二世艾倫湯瑪斯
IPC分类号： C03C , G02F
CPC分类号： G02B5/0268 , C03C15/00 , C03C15/02 , C03C17/007 , C03C17/32 , C03C2217/42 , C03C2217/732 , C03C2217/77 , C03C2218/114 , C03C2218/33 , C03C2218/355 , G02B5/0221 , G02B5/0226 , G02B5/0278 , G02B5/0294
摘要：一種玻璃製品，該玻璃製品包括：至少一個抗眩光表面，該至少一個抗眩光表面具有如本文定義之渾濁度、影像清晰度、表面粗糙度，以及均勻性特性。一種製造玻璃製品之方法，該方法包括例如以下步驟：將可變形粒子沉積於該製品之玻璃表面之至少一部分上；引起表面上的沉積之可變形粒子變形且黏著至該表面；以及使具有黏著粒子之表面與蝕刻劑接觸以形成抗眩光表面。亦揭示一種併有如本文定義之玻璃製品之顯示系統。
简体摘要：一种玻璃制品，该玻璃制品包括：至少一个抗眩光表面，该至少一个抗眩光表面具有如本文定义之浑浊度、影像清晰度、表面粗糙度，以及均匀性特性。一种制造玻璃制品之方法，该方法包括例如以下步骤：将可变形粒子沉积于该制品之玻璃表面之至少一部分上；引起表面上的沉积之可变形粒子变形且黏着至该表面；以及使具有黏着粒子之表面与蚀刻剂接触以形成抗眩光表面。亦揭示一种并有如本文定义之玻璃制品之显示系统。

3. 发明专利

TW200740535A 除去光阻製程用裝置及方法 APPARATUS AND METHOD FOR PHOTORESIST REMOVAL PROCESSING 审中-公开
简体标题：除去光阻制程用设备及方法 APPARATUS AND METHOD FOR PHOTORESIST REMOVAL PROCESSING
公开(公告)号：TW200740535A
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：TW096102246
申请日：2007-01-19
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA , 芝浦機械電子裝置股份有限公司 SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION
发明人：和歌月尊彥 WAKATSUKI, TAKAHIKO , 速水直哉 HAYAMIZU, NAOYA , 藤田博 FUJITA, HIROSHI , 齋藤晶子 SAITO, AKIKO , 林俊秀 HAYASHI, TOSHIHIDE , 西部幸伸 NISHIBE, YUKINOBU
IPC分类号： B08B , H01L
CPC分类号： B08B3/022 , B08B5/023 , C03C17/32 , C03C2218/33 , H01L21/6708 , H05K3/26 , H05K2203/075 , H05K2203/1509
摘要：本發明揭示一種處理裝置,其包含:一處理腔室,其經組態以處理一工件;一移動單元,其經組態以在該處理腔室中移動該工件;一第一噴嘴;一分隔部件;一入口,其供與下游空間連通;及一出口,其供與上游空間連通。該第一噴嘴具有一排出口,其經組態以排出一處理液體或一處理氣體。該排出口與該工件之一移動路徑相對,且該處理液體或該處理氣體在一朝該工件之一移動方向之一上游側的排出方向上,相對於一垂直於該移動方向之方向,自該排出口被排出。該分隔部件分隔該處理腔室中該移動路徑上方之一空間,且該空間在該第一噴嘴之一位置處被分隔成該移動方向之該上游側的一上游空間與該移動方向之一下游側的一下游空間。
简体摘要：本发明揭示一种处理设备,其包含:一处理腔室,其经组态以处理一工件;一移动单元,其经组态以在该处理腔室中移动该工件;一第一喷嘴;一分隔部件;一入口,其供与下游空间连通;及一出口,其供与上游空间连通。该第一喷嘴具有一排出口,其经组态以排出一处理液体或一处理气体。该排出口与该工件之一移动路径相对,且该处理液体或该处理气体在一朝该工件之一移动方向之一上游侧的排出方向上,相对于一垂直于该移动方向之方向,自该排出口被排出。该分隔部件分隔该处理腔室中该移动路径上方之一空间,且该空间在该第一喷嘴之一位置处被分隔成该移动方向之该上游侧的一上游空间与该移动方向之一下游侧的一下游空间。

4. 发明专利

TW200628425A 附有導電膜之基體及其製造方法审中-公开
简体标题：附有导电膜之基体及其制造方法
公开(公告)号：TW200628425A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：TW094139137
申请日：2005-11-08
申请人：旭硝子股份有限公司 ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：鈴木進 SUZUKI, SUSUMU , 光井彰 MITSUI, AKIRA , 矢尾板和也 YAOITA, KAZUYA , 尾山卓司 OYAMA, TAKUJI
IPC分类号： C03C
CPC分类号： C03C17/3417 , C03C2204/08 , C03C2218/33 , C23C14/024 , C23C14/086 , C23C14/5833 , C23C14/5873 , H01L51/52 , H01L51/5206
摘要：本發明係提供一種無需進行成膜後之加熱處理、膜表面的研磨、成膜後之氧的電漿處理等複雜之後步驟，可取得表面平滑性良好之附有導電膜基體之製造方法。基體上形成以錫摻雜氧化銦為主成份之導電膜所成之附有導電膜之基體，於該導電膜之基板側形成以添加氧化釔之氧化鋯為主成份之基底膜所成之附有導電膜之基體，該基底膜中之含氧化釔量為對於Y2O3，與ZrO2，之總量而言以0.l～50莫耳％者宜。
简体摘要：本发明系提供一种无需进行成膜后之加热处理、膜表面的研磨、成膜后之氧的等离子处理等复杂之后步骤，可取得表面平滑性良好之附有导电膜基体之制造方法。基体上形成以锡掺杂氧化铟为主成份之导电膜所成之附有导电膜之基体，于该导电膜之基板侧形成以添加氧化钇之氧化锆为主成份之基底膜所成之附有导电膜之基体，该基底膜中之含氧化钇量为对于Y2O3，与ZrO2，之总量而言以0.l～50莫耳％者宜。

5. 发明专利

TW200622508A 極紫外光(EUV)微影技術用反射型光罩素材及該製造方法审中-公开
简体标题：极紫外光(EUV)微影技术用反射型光罩素材及该制造方法
公开(公告)号：TW200622508A
公开(公告)日：2006-07-01
申请号：TW094131360
申请日：2005-09-12
申请人：旭硝子股份有限公司 ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：高木悟 TAKAKI, SATORU , 林和幸 HAYASHI, KAZUYUKI
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： C03C17/36 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C03C17/3615 , C03C17/3639 , C03C17/3649 , C03C17/3665 , C03C2217/734 , C03C2218/156 , C03C2218/33 , C23C14/46 , G03F1/22 , G03F1/24 , G03F1/54 , G21K1/062 , G21K2201/067
摘要：本發明提供減低吸收層之極紫外光(EUV)光線反射率的極紫外光(EUV)微影技術用反射型光罩素材及製造該光罩素材之方法。本發明係於基板上，依序形成反射EUV光的反射層，吸收EUV光的吸收層之極紫外光(EUV)微影技術用反射型光罩素材，其特徵為前述吸收層係由離子束濺鍍法所形成之低EUV光線反射率的鉻層之極紫外光(EUV)微影技術用反射型光罩素材。
简体摘要：本发明提供减低吸收层之极紫外光(EUV)光线反射率的极紫外光(EUV)微影技术用反射型光罩素材及制造该光罩素材之方法。本发明系于基板上，依序形成反射EUV光的反射层，吸收EUV光的吸收层之极紫外光(EUV)微影技术用反射型光罩素材，其特征为前述吸收层系由离子束溅镀法所形成之低EUV光线反射率的铬层之极紫外光(EUV)微影技术用反射型光罩素材。

6. 发明专利

TW200622029A 電漿濺鍍之成膜方法及成膜裝置审中-公开
简体标题：等离子溅镀之成膜方法及成膜设备
公开(公告)号：TW200622029A
公开(公告)日：2006-07-01
申请号：TW094136551
申请日：2005-10-19
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：鈴木健二 SUZUKI, KENJI , 池田太郎 IKEDA, TARO , 波多野達夫 HATANO, TATSUO , 水澤寧 MIZUSAWA, YASUSHI
IPC分类号： C23C
CPC分类号： H01L21/2855 , C03C17/09 , C03C2218/153 , C03C2218/33 , C23C14/046 , C23C14/14 , C23C14/345 , C23C14/3464 , C23C14/352 , H01J37/32706 , H01J37/34 , H01L21/2885 , H01L21/76877
摘要：本發明揭示一種利用電漿使金屬靶56離子化以產生金屬離子，並利用偏壓(bias)電力將金屬離子引入載置於處理容器內的載置台20上面的被處理體S，俾使形成於凹部2的被處理體上堆積金屬膜74以埋入凹部的方法。在被處理體表面設定偏壓電力俾能實現由金屬離子之引入(lead in)而導致的金屬堆積率與電漿濺鍍的蝕刻率略呈均衡的狀態。藉此，不致產生空隙(Void)等缺陷且可以在被處理體的凹部埋入金屬。
简体摘要：本发明揭示一种利用等离子使金属靶56离子化以产生金属离子，并利用偏压(bias)电力将金属离子引入载置于处理容器内的载置台20上面的被处理体S，俾使形成于凹部2的被处理体上堆积金属膜74以埋入凹部的方法。在被处理体表面设置偏压电力俾能实现由金属离子之引入(lead in)而导致的金属堆积率与等离子溅镀的蚀刻率略呈均衡的状态。借此，不致产生空隙(Void)等缺陷且可以在被处理体的凹部埋入金属。

7. 发明专利

TWI244956B 雷射加工方法及加工裝置失效
简体标题：激光加工方法及加工设备
公开(公告)号：TWI244956B
公开(公告)日：2005-12-11
申请号：TW093107672
申请日：2004-03-22
申请人：住友重機械工業股份有限公司 SUMITOMO HEAVY INDUSTRIES, LTD.
发明人：濱田史郎 HAMADA, SHIRO , 山本次郎 YAMAMOTO, JIRO , 山口友之 YAMAGUCHI, TOMOYUKI
IPC分类号： B23K , G02F
CPC分类号： B23K26/0608 , B23K26/0604 , B23K26/361 , B23K2203/42 , B23K2203/50 , C03C15/00 , C03C17/42 , C03C23/0025 , C03C2218/33 , G02F1/13439
摘要：雷射加工方法，包含有：(a)從雷射光源射出激光束的步驟；及，(b)將上述雷射光源所射出的激光束照射在具有樹脂層和形成在該樹脂層上的金屬氧化物所形成的透明導電層的加工對象物的表面，以除去該透明導電層，形成於底面是露出著該樹脂層的凹部的步驟。
简体摘要：激光加工方法，包含有：(a)从激光光源射出激光束的步骤；及，(b)将上述激光光源所射出的激光束照射在具有树脂层和形成在该树脂层上的金属氧化物所形成的透明导电层的加工对象物的表面，以除去该透明导电层，形成于底面是露出着该树脂层的凹部的步骤。

8. 发明专利

TW554557B 形成貴金屬薄膜圖案之方法失效
简体标题：形成贵金属薄膜图案之方法
公开(公告)号：TW554557B
公开(公告)日：2003-09-21
申请号：TW091117316
申请日：2002-08-01
申请人：山葉股份有限公司
发明人：夏目潔 , 內藤寬
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C03C17/3644 , C03C17/36 , C03C17/3649 , C03C2217/42 , C03C2218/33 , C03C2218/34 , C23F1/26 , H01C7/006 , H01C17/075 , H01L27/016 , H01L28/65 , H05K3/048
摘要：本發明揭示了在一基板上形成一犧牲膜，及在該犧牲膜上形成一遮罩層。一具有預定圖案的開口形成為穿通該遮罩層。暴露在該開口中的犧牲膜被移除來形成一比該基板上的該開口要寬的一洞穴。一貴金屬薄膜沉積在整個基板表面上。該犧牲膜12係被溶解及移除，以形成一貴金屬薄膜圖案。
简体摘要：本发明揭示了在一基板上形成一牺牲膜，及在该牺牲膜上形成一遮罩层。一具有预定图案的开口形成为穿通该遮罩层。暴露在该开口中的牺牲膜被移除来形成一比该基板上的该开口要宽的一洞穴。一贵金属薄膜沉积在整个基板表面上。该牺牲膜12系被溶解及移除，以形成一贵金属薄膜图案。

9. 发明专利

TW518659B 薄膜光罩的製造方法有权
简体标题：薄膜光罩的制造方法
公开(公告)号：TW518659B
公开(公告)日：2003-01-21
申请号：TW090121744
申请日：2001-09-03
申请人：愛德萬測試股份有限公司
发明人：渡邊仁 , 矢野弘
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G03F1/20 , C03C15/00 , C03C17/3435 , C03C2218/33 , G03F1/22
摘要：一種製作光罩的方法，使用一個含有第一層、第二層以及第三層結構的基底，此方法包括：形成一或多個開口穿過第一層結構，範圍為暴露出第二層結構與第一層結構相面對的第一表面；至少在第三層結構的第一區域上進行濕蝕刻，範圍為不會暴露第二層結構面對第三層結構的第二表面，第三層結構的第一區域會對應於第一層結構的開口；在第三層結構的第二區域上進行乾蝕刻，範圍是暴露出第二層結構面對第三層結構的第二表面的一部份，此第三層結構的第二區域對應於第一層結構的開口；以及移除第二層結構暴露出來的部分，使第一層結構的開口延伸穿過第二層結構。
简体摘要：一种制作光罩的方法，使用一个含有第一层、第二层以及第三层结构的基底，此方法包括：形成一或多个开口穿过第一层结构，范围为暴露出第二层结构与第一层结构相面对的第一表面；至少在第三层结构的第一区域上进行湿蚀刻，范围为不会暴露第二层结构面对第三层结构的第二表面，第三层结构的第一区域会对应于第一层结构的开口；在第三层结构的第二区域上进行干蚀刻，范围是暴露出第二层结构面对第三层结构的第二表面的一部份，此第三层结构的第二区域对应于第一层结构的开口；以及移除第二层结构暴露出来的部分，使第一层结构的开口延伸穿过第二层结构。

10. 发明专利

TW201812435A 光罩基底用基板、附有多層反射膜之基板、透過型光罩基底、反射型光罩基底、透過型光罩、反射型光罩及半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：光罩基底用基板、附有多层反射膜之基板、透过型光罩基底、反射型光罩基底、透过型光罩、反射型光罩及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201812435A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106134574
申请日：2013-03-28
申请人：日商HOYA股份有限公司 , HOYA CORPORATION
发明人：折原敏彥 , ORIHARA,TOSHIHIKO , 濱本和宏 , HAMAMOTO,KAZUHIRO , 小阪井弘文 , KOZAKAI,HIROFUMI , 臼井洋一 , USUI,YOUICHI , 笑喜勉 , SHOKI,TSUTOMU , 堀川順一 , HORIKAWA,JUNICHI
IPC分类号： G03F1/24
CPC分类号： G03F1/48 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C03C3/06 , C03C17/3435 , C03C17/3626 , C03C17/3636 , C03C17/3639 , C03C17/3649 , C03C17/3665 , C03C23/0075 , C03C2201/42 , C03C2218/33 , G02B5/08 , G02B5/0816 , G02B5/0891 , G03F1/22 , G03F7/16 , G03F7/2002 , G03F7/2004 , G03F7/70733 , H01L21/3081 , H01L21/3085
摘要：本發明之光罩基底用基板之特徵在於：其係用於微影者，上述基板之形成轉印圖案之側之主表面中，以原子力顯微鏡測定1 μm×1 μm之區域所得之均方根粗糙度(Rms)為0.15 nm以下，且空間頻率為1 μm-1以上之功率譜密度為10 nm4以下。
简体摘要：本发明之光罩基底用基板之特征在于：其系用于微影者，上述基板之形成转印图案之侧之主表面中，以原子力显微镜测定1 μm×1 μm之区域所得之均方根粗糙度(Rms)为0.15 nm以下，且空间频率为1 μm-1以上之功率谱密度为10 nm4以下。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式