专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI409347B 並無熱處理步驟密閉性密封裝置及產生密閉性密封裝置有权
简体标题：并无热处理步骤密闭性密封设备及产生密闭性密封设备
公开(公告)号：TWI409347B
公开(公告)日：2013-09-21
申请号：TW098106274
申请日：2009-02-26
申请人：康寧公司 , CORNING INCORPORATED
发明人：艾肯布思卡迪 , AITKEN, BRUCE GARDINER , 克沃夏里伊利沙貝 , KOVAL, SHARI ELIZABETH , 奎薩達馬克安 , QUESADA, MARK ALEJANDRO
IPC分类号： C23C14/22 , H01L51/52
CPC分类号： C23C14/086 , C03C3/12 , C03C3/247 , C03C8/24 , C03C17/3615 , C03C17/3621 , C03C17/3649 , C03C17/3663 , H01L51/5253 , Y10T428/239

2. 发明专利

TW200919656A 密封技術及密閉性地密封裝置 SEALING TECHNIQUE AND HERMETICALLY SEALED DEVICE 审中-公开
简体标题：密封技术及密闭性地密封设备 SEALING TECHNIQUE AND HERMETICALLY SEALED DEVICE
公开(公告)号：TW200919656A
公开(公告)日：2009-05-01
申请号：TW097122801
申请日：2008-06-18
申请人：康寧公司 CORNING INCORPORATED
发明人：布思卡迪艾肯 BRUCE GARDINER AITKEN , 鐘平安 CHONG PYUNG AN , 馬克安奎薩達 MARK ALEJANDRO QUESADA
IPC分类号： H01L , H05B
CPC分类号： C23C14/06 , C03C3/247 , C03C8/24 , C03C17/3615 , C03C17/3649 , C03C17/3671 , C03C17/3678 , H01L51/5253
摘要：本發明說明一種減少密閉性密封裝置所需要時間之方法以及產生密閉性密封裝置(例如密閉性密封OLED裝置)。密封方法包含步驟:(1)冷卻未包封裝置;(2)沉積密封材料於至少部份冷卻裝置以形成包封裝置;及(3)熱處理包封裝置以形成密閉性密封裝置。在一項實施例中,密封材料為低液相線溫度無機材料例如為錫-氟磷酸鹽玻璃,摻雜鎢之錫-氟磷酸鹽玻璃,硫屬化物玻璃,碲酸鹽玻璃,硼酸鹽玻璃以及磷酸鹽玻璃。在另一項實施例中,密封材料為含Sn^2+無機氧化物材料例如為SnO,SnO+P2O5以及SnO+BPO4。
简体摘要：本发明说明一种减少密闭性密封设备所需要时间之方法以及产生密闭性密封设备(例如密闭性密封OLED设备)。密封方法包含步骤:(1)冷却未包封设备;(2)沉积密封材料于至少部份冷却设备以形成包封设备;及(3)热处理包封设备以形成密闭性密封设备。在一项实施例中,密封材料为低液相线温度无机材料例如为锡-氟磷酸盐玻璃,掺杂钨之锡-氟磷酸盐玻璃,硫属化物玻璃,碲酸盐玻璃,硼酸盐玻璃以及磷酸盐玻璃。在另一项实施例中,密封材料为含Sn^2+无机氧化物材料例如为SnO,SnO+P2O5以及SnO+BPO4。

3. 发明专利

TW201330015A 透明導電薄膜审中-公开
简体标题：透明导电薄膜
公开(公告)号：TW201330015A
公开(公告)日：2013-07-16
申请号：TW101100359
申请日：2012-01-04
申请人：造能科技有限公司 , MKE TECHNOLOGY CO. LTD
发明人：鄧建東 , TENG, CHJ DON , 徐偉倫 , HSU, WEI LUN
IPC分类号： H01B5/14
CPC分类号： C03C17/3605 , B32B15/043 , B32B2255/205 , B32B2307/202 , B32B2307/412 , B32B2457/00 , C03C17/36 , C03C17/3615 , C03C17/3644 , C03C17/3647 , C03C17/3668 , C03C17/3678 , C22C5/00 , G02F1/13439 , H01L31/022466 , H01L31/022491 , H01L31/1884 , H01L51/442 , H01L2251/306 , Y02E10/549 , Y10T428/1259 , Y10T428/12611 , Y10T428/12708 , Y10T428/31678
摘要：一種透明導電薄膜，其包含銀-錫化三銀-氧化錫之至少一疊層、或銀-錫化四銀-氧化錫之至少一疊層。
简体摘要：一种透明导电薄膜，其包含银-锡化三银-氧化锡之至少一叠层、或银-锡化四银-氧化锡之至少一叠层。

4. 发明专利

TW201002838A 並無熱處理步驟密閉性密封裝置及產生密閉性密封裝置 HERMETICALLY SEALING A DEVICE WITHOUT A HEAT TREATING STEP AND THE RESULTING HERMETICALLY SEALED DEVICE 审中-公开
简体标题：并无热处理步骤密闭性密封设备及产生密闭性密封设备 HERMETICALLY SEALING A DEVICE WITHOUT A HEAT TREATING STEP AND THE RESULTING HERMETICALLY SEALED DEVICE
公开(公告)号：TW201002838A
公开(公告)日：2010-01-16
申请号：TW098106274
申请日：2009-02-26
申请人：康寧公司
发明人：艾肯布思卡迪 , 克沃夏里伊利沙貝 , 奎薩達馬克安
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： C23C14/086 , C03C3/12 , C03C3/247 , C03C8/24 , C03C17/3615 , C03C17/3621 , C03C17/3649 , C03C17/3663 , H01L51/5253 , Y10T428/239
摘要：本發明說明不用進行熱處理步驟就可以密閉性地密封裝置的方法,及其所產生的密閉性地密封裝置。此方法包含底下的步驟:(1)將無-包封裝置放在距離沉積裝置預定位置的地方;以及(2)使用沉積裝置將密封材料沉積在至少部分無-包封的裝置上以形成密閉性地密封裝置,而不需要進行後-沉積熱處理步驟。例如,密封材料可以是含Sn 2+ 的無機氧化物材料,或低液相線溫度的無機材料。
简体摘要：本发明说明不用进行热处理步骤就可以密闭性地密封设备的方法,及其所产生的密闭性地密封设备。此方法包含底下的步骤:(1)将无-包封设备放在距离沉积设备预定位置的地方;以及(2)使用沉积设备将密封材料沉积在至少部分无-包封的设备上以形成密闭性地密封设备,而不需要进行后-沉积热处理步骤。例如,密封材料可以是含Sn 2+ 的无机氧化物材料,或低液相线温度的无机材料。

5. 发明专利

TW200622508A 極紫外光(EUV)微影技術用反射型光罩素材及該製造方法审中-公开
简体标题：极紫外光(EUV)微影技术用反射型光罩素材及该制造方法
公开(公告)号：TW200622508A
公开(公告)日：2006-07-01
申请号：TW094131360
申请日：2005-09-12
申请人：旭硝子股份有限公司 ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：高木悟 TAKAKI, SATORU , 林和幸 HAYASHI, KAZUYUKI
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： C03C17/36 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C03C17/3615 , C03C17/3639 , C03C17/3649 , C03C17/3665 , C03C2217/734 , C03C2218/156 , C03C2218/33 , C23C14/46 , G03F1/22 , G03F1/24 , G03F1/54 , G21K1/062 , G21K2201/067
摘要：本發明提供減低吸收層之極紫外光(EUV)光線反射率的極紫外光(EUV)微影技術用反射型光罩素材及製造該光罩素材之方法。本發明係於基板上，依序形成反射EUV光的反射層，吸收EUV光的吸收層之極紫外光(EUV)微影技術用反射型光罩素材，其特徵為前述吸收層係由離子束濺鍍法所形成之低EUV光線反射率的鉻層之極紫外光(EUV)微影技術用反射型光罩素材。
简体摘要：本发明提供减低吸收层之极紫外光(EUV)光线反射率的极紫外光(EUV)微影技术用反射型光罩素材及制造该光罩素材之方法。本发明系于基板上，依序形成反射EUV光的反射层，吸收EUV光的吸收层之极紫外光(EUV)微影技术用反射型光罩素材，其特征为前述吸收层系由离子束溅镀法所形成之低EUV光线反射率的铬层之极紫外光(EUV)微影技术用反射型光罩素材。

6. 发明专利

TWI235116B 複合材料 COMPOSITE MATERIAL 失效
简体标题：复合材料 COMPOSITE MATERIAL
公开(公告)号：TWI235116B
公开(公告)日：2005-07-01
申请号：TW090111707
申请日：2001-05-16
申请人：村上開明堂股份有限公司 MURAKAMI KAIMEIDO CO., LTD.
发明人：菊池英幸 HIDEYUKI KIKUCHI , 小松徹 , 小林正樹 MASAKI KOBAYASHI
IPC分类号： B32B , C03C
CPC分类号： B01J35/004 , B01J35/002 , B32B17/10174 , C03C17/36 , C03C17/3605 , C03C17/3615 , C03C17/3642 , C03C17/3663 , C03C2217/425 , C03C2217/71 , C03C2217/75 , C03C2218/365 , G02B1/10 , G02B1/105 , G02B1/18 , G02B27/0006 , G02F1/1533 , Y10T428/12993
摘要：於透光性板材22表面上提供透明金屬薄膜24，另外，於透明金屬薄膜24表面上提供含有光觸媒物質之親水性功能層26。該親水性功能層26由透明金屬薄膜24側開始包括含有光觸媒物質之光觸媒層28及含有親水性物質之親水性層30之層積結構。
简体摘要：于透光性板材22表面上提供透明金属薄膜24，另外，于透明金属薄膜24表面上提供含有光触媒物质之亲水性功能层26。该亲水性功能层26由透明金属薄膜24侧开始包括含有光触媒物质之光触媒层28及含有亲水性物质之亲水性层30之层积结构。

7. 发明专利

TWI305124B 玻璃電路板及其製造方法 GLASS CIRCUIT BOARD AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 失效
简体标题：玻璃电路板及其制造方法 GLASS CIRCUIT BOARD AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TWI305124B
公开(公告)日：2009-01-01
申请号：TW095113285
申请日：2006-04-14
申请人：啓萌科技有限公司 GIGNO TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：林峰立 LIN, FENG-LI
IPC分类号： H05K
CPC分类号： H05K1/0306 , C03C17/36 , C03C17/3615 , C03C17/3668 , H05K3/4605 , H05K3/467 , H05K2201/0317
摘要：一種玻璃電路板的製造方法係包括以下步驟:提供一玻璃基板;於玻璃基板之一表面形成一圖案化金屬層,以暴露部分的表面;於玻璃基板之表面及圖案化金屬層上形成一絕緣層,並於絕緣層形成至少一開口;以及於絕緣層之開口中形成一金屬結合層。本發明亦揭露一種玻璃電路板,其係包括一玻璃基板、一圖案化金屬層、一絕緣層及一金屬結合層。玻璃基板係具有一表面;圖案化金屬層係設置於玻璃基板之表面上;絕緣層係設置於玻璃基板之部分表面及圖案化金屬層上,且絕緣層具有至少一開口;以及金屬結合層係設置於絕緣層之開口中。
简体摘要：一种玻璃电路板的制造方法系包括以下步骤:提供一玻璃基板;于玻璃基板之一表面形成一图案化金属层,以暴露部分的表面;于玻璃基板之表面及图案化金属层上形成一绝缘层,并于绝缘层形成至少一开口;以及于绝缘层之开口中形成一金属结合层。本发明亦揭露一种玻璃电路板,其系包括一玻璃基板、一图案化金属层、一绝缘层及一金属结合层。玻璃基板系具有一表面;图案化金属层系设置于玻璃基板之表面上;绝缘层系设置于玻璃基板之部分表面及图案化金属层上,且绝缘层具有至少一开口;以及金属结合层系设置于绝缘层之开口中。

8. 发明专利

TW418180B 可配合且可加熱處理的耐久性IR–折射噴鍍–塗覆的玻璃及其製造方法失效
简体标题：可配合且可加热处理的耐久性IR–折射喷镀–涂覆的玻璃及其制造方法
公开(公告)号：TW418180B
公开(公告)日：2001-01-11
申请号：TW086100552
申请日：1997-01-20
申请人：加爾汀工業公司
发明人：克勞斯W.赫迪克 , 菲力普J.林格爾 , 史帝芬L.拉生
IPC分类号： C03C
CPC分类号： C03C17/361 , C03C17/36 , C03C17/3613 , C03C17/3615 , C03C17/3618 , C03C17/3626 , C03C17/3639 , C03C17/3649 , C03C17/366 , C03C17/3681 , C03C2217/78 , C03C2218/154 , C23C14/0652 , C23C14/185 , Y10T428/24975 , Y10T428/265
摘要：本案揭示一種噴鍍-塗覆的塗層系統，其包括一位在具所需厚度兩層Si3N4之間的未氮化且未氧化之鎳或鎳合金屬，且被用於建築及汽車之玻璃底材，俾成為可加熱處理的，且具有足夠低之△E特徵，而使得表面上具有相同塗層之經加熱處理及未經加熱處理的產物之間是可相配的。
简体摘要：本案揭示一种喷镀-涂覆的涂层系统，其包括一位在具所需厚度两层Si3N4之间的未氮化且未氧化之镍或镍合金属，且被用于建筑及汽车之玻璃底材，俾成为可加热处理的，且具有足够低之△E特征，而使得表面上具有相同涂层之经加热处理及未经加热处理的产物之间是可相配的。

9. 发明专利

TW403728B 可熱處理及耐用之紅外線反射性的噴鍍塗覆玻璃及其製造方法失效
简体标题：可热处理及耐用之红外线反射性的喷镀涂覆玻璃及其制造方法
公开(公告)号：TW403728B
公开(公告)日：2000-09-01
申请号：TW085106581
申请日：1996-06-01
申请人：加爾汀工業公司
发明人：克勞斯W.赫迪克 , 菲力普J.林格爾
IPC分类号： C03C
CPC分类号： C03C17/3605 , C03C17/3435 , C03C17/36 , C03C17/3613 , C03C17/3615 , C03C17/3618 , C03C17/3626 , C03C17/3639 , C03C17/3649 , C03C17/366 , C03C17/3681 , C03C2217/78 , C23C14/0652 , C23C14/185
摘要：用於汽車和建築物的可熱處理、耐用和具化學抗性的玻璃層狀體系，包括在鎳或其合金的一金屬層上再表塗覆氮化矽(Si3N4)。層狀體系可包括氮化矽(Si3N4)的一底塗層，而金屬層中也可以包括氮化矽。金屬層可以部分氧化或被化學計量的金屬氧化物層包圍。然而，金屬層不應含氮化物。
简体摘要：用于汽车和建筑物的可热处理、耐用和具化学抗性的玻璃层状体系，包括在镍或其合金的一金属层上再表涂覆氮化硅(Si3N4)。层状体系可包括氮化硅(Si3N4)的一底涂层，而金属层中也可以包括氮化硅。金属层可以部分氧化或被化学计量的金属氧化物层包围。然而，金属层不应含氮化物。

10. 发明专利

TW350963B 導電性反射防止膜及陰極射線管失效
简体标题：导电性反射防止膜及阴极射线管
公开(公告)号：TW350963B
公开(公告)日：1999-01-21
申请号：TW086114703
申请日：1997-10-07
申请人：東芝股份有限公司
发明人：青木克之
IPC分类号： H01J
CPC分类号： C03C17/3605 , C03C17/36 , C03C17/3615 , C03C17/3642 , C03C17/3668 , C03C17/38 , C03C2217/479 , C03C2217/73 , C03C2217/734 , H01J29/868 , H01J2229/8913
摘要：本發明係在含有導電性微粒子的第１塗膜之上，形成含有確保該導電性微粒子的導電性的物質的第２塗膜，且同時燒成第１及第２塗膜；如此便能夠在得到獲得高透明性的透過率範圍內，經濟的獲得表面電阻值非常低的導電性反射防止膜。而且，藉由將此導電性反射防止膜應用於陰極射線管，便能夠幾乎完全防止交流電場(alternating electric field；AEF)的產生，而且也能夠穫至能夠以高畫質顯示畫像，且非常經濟的陰極射線管。
简体摘要：本发明系在含有导电性微粒子的第１涂膜之上，形成含有确保该导电性微粒子的导电性的物质的第２涂膜，且同时烧成第１及第２涂膜；如此便能够在得到获得高透明性的透过率范围内，经济的获得表面电阻值非常低的导电性反射防止膜。而且，借由将此导电性反射防止膜应用于阴极射线管，便能够几乎完全防止交流电场(alternating electric field；AEF)的产生，而且也能够获至能够以高画质显示画像，且非常经济的阴极射线管。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式