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1. 发明专利

TWI581332B 真空處理裝置及真空處理方法有权
简体标题：真空处理设备及真空处理方法
公开(公告)号：TWI581332B
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW104101270
申请日：2015-01-15
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：榎本忠 , ENOMOTO, TADASHI , 高橋喜一 , TAKAHASHI, KIICHI , 田中惠一 , TANAKA, KEIICHI
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/677 , B65G49/07 , C23C16/455
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/4412 , C23C16/45551 , C23C16/4584 , H01L21/67748 , H01L21/68742 , H01L21/68764 , H01L21/68771

2. 发明专利

TWI578378B 基板處理方法、基板處理裝置及記憶媒體有权
简体标题：基板处理方法、基板处理设备及记忆媒体
公开(公告)号：TWI578378B
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：TW103119439
申请日：2014-06-04
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：宮田雄一郎 , MIYATA, YUICHIRO , 田中啓一 , TANAKA, KEIICHI , 上田健一 , UEDA, KENICHI , 鹽澤崇博 , SHIOZAWA, TAKAHIRO
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0273 , G03F7/422 , H01L21/02065 , H01L21/31133 , H01L21/67115 , H01L21/6715 , H01L21/7684 , H01L2224/11916

3. 发明专利

TW201541514A 真空處理裝置及真空處理方法审中-公开
简体标题：真空处理设备及真空处理方法
公开(公告)号：TW201541514A
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW104101270
申请日：2015-01-15
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：榎本忠 , ENOMOTO, TADASHI , 高橋喜一 , TAKAHASHI, KIICHI , 田中惠一 , TANAKA, KEIICHI
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/677 , B65G49/07 , C23C16/455
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/4412 , C23C16/45551 , C23C16/4584 , H01L21/67748 , H01L21/68742 , H01L21/68764 , H01L21/68771
摘要：一種裝置，係構成為具備有：以藉由旋轉台來公轉之方式而設置於該旋轉台之一面側，並形成有用以限定基板之位置於其周圍之限定部的載置區域；為了在外部之基板搬送機構與該旋轉台之間收授基板，而支撐該基板來進行升降的升降構件；以及在藉由該升降構件而讓基板載置於該載置區域前，用以讓該載置區域與基板之間的間隙選擇性地排氣的排氣機構。
简体摘要：一种设备，系构成为具备有：以借由旋转台来公转之方式而设置于该旋转台之一面侧，并形成有用以限定基板之位置于其周围之限定部的载置区域；为了在外部之基板搬送机构与该旋转台之间收授基板，而支撑该基板来进行升降的升降构件；以及在借由该升降构件而让基板载置于该载置区域前，用以让该载置区域与基板之间的间隙选择性地排气的排气机构。

4. 发明专利

TW201342458A 基板洗淨方法、基板洗淨裝置及基板洗淨用記憶媒體审中-公开
简体标题：基板洗净方法、基板洗净设备及基板洗净用记忆媒体
公开(公告)号：TW201342458A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：TW101146615
申请日：2012-12-11
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：吉原孝介 , YOSHIHARA, KOUSUKE , 田中啟一 , TANAKA, KEIICHI , 一之宮博 , ICHINOMIYA, HIROSHI
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H05K3/26 , B08B3/024 , B08B5/02 , H01L21/67028 , H01L21/67034 , H05K2203/1509
摘要：〔課題〕提供在形成微細且高縱橫比之電路圖案的基板之顯像處理後之洗淨處理中，謀求防止基板表面之液體碎裂和防止電路圖案之圖案倒塌的基板洗淨方法、基板洗淨裝置及基板洗淨用記憶媒體。〔解決手段〕從形成有電路圖案P之半導體晶圓W之中心部對晶圓之周緣供給洗淨液L而在晶圓之表面全體形成液膜，一面使晶圓旋轉，一面追隨著洗淨液之供給而從晶圓之表面中心部朝向晶圓之周緣吐出氣體G而除去晶圓之表面之洗淨液而形成乾燥區域。接著，一面使晶圓旋轉，一面在晶圓之徑向移動而吐出氣體G而除去殘存在乾燥區域之電路圖案間的液體。
简体摘要：〔课题〕提供在形成微细且高纵横比之电路图案的基板之显像处理后之洗净处理中，谋求防止基板表面之液体碎裂和防止电路图案之图案倒塌的基板洗净方法、基板洗净设备及基板洗净用记忆媒体。〔解决手段〕从形成有电路图案P之半导体晶圆W之中心部对晶圆之周缘供给洗净液L而在晶圆之表面全体形成液膜，一面使晶圆旋转，一面追随着洗净液之供给而从晶圆之表面中心部朝向晶圆之周缘吐出气体G而除去晶圆之表面之洗净液而形成干燥区域。接着，一面使晶圆旋转，一面在晶圆之径向移动而吐出气体G而除去残存在干燥区域之电路图案间的液体。

5. 发明专利

TWI463275B 基板之處理方法、電腦記憶媒體及基板處理系統有权
简体标题：基板之处理方法、电脑记忆媒体及基板处理系统
公开(公告)号：TWI463275B
公开(公告)日：2014-12-01
申请号：TW099134898
申请日：2010-10-13
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：山田善章 , YAMADA, YOSHIAKI , 田中啟一 , TANAKA, KEIICHI , 小杉仁 , KOSUGI, HITOSHI
IPC分类号： G03F7/38 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/38

6. 发明专利

TW201921491A 基板處理裝置、基板處理方法及記錄媒體审中-公开
简体标题：基板处理设备、基板处理方法及记录媒体
公开(公告)号：TW201921491A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107124000
申请日：2018-07-12
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：井關智弘 , ISEKI, TOMOHIRO , 田中啓一 , TANAKA, KEIICHI
IPC分类号： H01L21/308 , G03F7/20
摘要：本發明提供一種基板處理裝置、基板處理方法及記錄媒體，改善遮罩圖案的表面之粗糙，並抑制遮罩圖案的輪廓之改變。本發明具備以下元件而構成該裝置：載置台24，在處理容器21內載置表面形成有圖案遮罩12之基板W；減壓機構32，將該處理容器21內減壓；光照射機構42，在該處理容器內減壓而到達1Pa以下之壓力後，對該基板W照射真空紫外線以改善該圖案遮罩12的表面之粗糙；以及控制部10，在該處理容器21內從10000Pa以上之壓力減壓至1Pa之間，輸出控制訊號，俾使該減壓機構32所進行的該處理容器21內之減壓速度成為250Pa／秒以下。
简体摘要：本发明提供一种基板处理设备、基板处理方法及记录媒体，改善遮罩图案的表面之粗糙，并抑制遮罩图案的轮廓之改变。本发明具备以下组件而构成该设备：载置台24，在处理容器21内载置表面形成有图案遮罩12之基板W；减压机构32，将该处理容器21内减压；光照射机构42，在该处理容器内减压而到达1Pa以下之压力后，对该基板W照射真空紫外线以改善该图案遮罩12的表面之粗糙；以及控制部10，在该处理容器21内从10000Pa以上之压力减压至1Pa之间，输出控制信号，俾使该减压机构32所进行的该处理容器21内之减压速度成为250Pa／秒以下。

7. 发明专利

TW201800615A 金屬污染防止方法、金屬污染防止裝置及利用該污染防止方法與污染防止裝置的基板處理方法與基板處理裝置审中-公开
简体标题：金属污染防止方法、金属污染防止设备及利用该污染防止方法与污染防止设备的基板处理方法与基板处理设备
公开(公告)号：TW201800615A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW106105663
申请日：2017-02-21
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：小池悟 , KOIKE, SATORU , 田中惠一 , TANAKA, KEIICHI
IPC分类号： C23G5/00 , C23F15/00 , B08B5/00 , B08B9/027
CPC分类号： B08B5/00 , B08B9/027 , C01G37/003 , C23F15/00
摘要：一種金屬污染防止方法，係在使用表面被覆有氧化鉻所構成之鈍化膜的金屬零件前進行；該金屬污染防止方法，具有以下步驟：對包覆該金屬零件之表面的該鈍化膜供給硝酸，使該氧化鉻與該硝酸反應，而產生硝酸鉻的步驟；以及藉由使該硝酸鉻蒸發，而從該鈍化膜去除鉻的步驟。
简体摘要：一种金属污染防止方法，系在使用表面被覆有氧化铬所构成之钝化膜的金属零件前进行；该金属污染防止方法，具有以下步骤：对包覆该金属零件之表面的该钝化膜供给硝酸，使该氧化铬与该硝酸反应，而产生硝酸铬的步骤；以及借由使该硝酸铬蒸发，而从该钝化膜去除铬的步骤。

8. 发明专利

TW201506994A 基板處理方法、基板處理裝置及記憶媒體审中-公开
简体标题：基板处理方法、基板处理设备及记忆媒体
公开(公告)号：TW201506994A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：TW103111979
申请日：2014-03-31
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：田中啓一 , TANAKA, KEIICHI , 吉原孝介 , YOSHIHARA, KOUSUKE , 井關智弘 , ISEKI, TOMOHIRO
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/67051 , B08B3/024 , B08B5/00 , G03F7/3021 , H01L21/67028 , H01L21/67034
摘要：本發明之目的在於提供一種在對顯影後的基板進行洗淨時，可抑制形成光阻圖案的壁部的傾倒以及該圖案的線寬的變化的技術。為了達成上述目的，實施以下步驟：顯影步驟，其對曝光後的基板的表面供給顯影液以形成光阻圖案；洗淨步驟，其接著對該基板的該表面供給洗淨液，將因為該顯影而產生的殘渣從基板除去；置換步驟，其接著將置換液供給到該基板的表面，利用該置換液置換該基板上的洗淨液，該置換液含有滲透抑制劑，以抑制對構成該光阻圖案的光阻的壁部的滲透，且其表面張力在50mN／m以下；以及乾燥步驟，其接著一邊使該基板旋轉，一邊對基板的中心部位供給氣體以形成乾燥區域，利用離心力使該乾燥區域擴大到基板的周緣部位，藉此使基板的表面乾燥。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种在对显影后的基板进行洗净时，可抑制形成光阻图案的壁部的倾倒以及该图案的线宽的变化的技术。为了达成上述目的，实施以下步骤：显影步骤，其对曝光后的基板的表面供给显影液以形成光阻图案；洗净步骤，其接着对该基板的该表面供给洗净液，将因为该显影而产生的残渣从基板除去；置换步骤，其接着将置换液供给到该基板的表面，利用该置换液置换该基板上的洗净液，该置换液含有渗透抑制剂，以抑制对构成该光阻图案的光阻的壁部的渗透，且其表面张力在50mN／m以下；以及干燥步骤，其接着一边使该基板旋转，一边对基板的中心部位供给气体以形成干燥区域，利用离心力使该干燥区域扩大到基板的周缘部位，借此使基板的表面干燥。

9. 发明专利

TWI683928B 金屬污染防止方法、金屬污染防止裝置及利用該污染防止方法與污染防止裝置的基板處理方法與基板處理裝置有权
简体标题：金属污染防止方法、金属污染防止设备及利用该污染防止方法与污染防止设备的基板处理方法与基板处理设备
公开(公告)号：TWI683928B
公开(公告)日：2020-02-01
申请号：TW106105663
申请日：2017-02-21
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：小池悟 , KOIKE, SATORU , 田中惠一 , TANAKA, KEIICHI
IPC分类号： C23G5/00 , C23F15/00 , B08B5/00 , B08B9/027

10. 发明专利

TW201724234A 基板處理方法及記憶媒體审中-公开
简体标题：基板处理方法及记忆媒体
公开(公告)号：TW201724234A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105119433
申请日：2016-06-21
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：田中啓一 , TANAKA, KEIICHI
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/0206 , H01L21/31111 , H01L21/31133 , H01L21/67028 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/68721
摘要：抑制因旋轉之基板的表面與流體的摩擦而引起之基板的帶電。去除存在於基板(W)之周緣部之表面絕緣層(例如熱氧化膜)的至少一部分，使導電性高於形成表面絕緣層之材料的下層(例如矽晶圓)露出。其後，一面藉由基板保持具來保持基板並使其旋轉，一面對基板進行處理。基板保持具中之至少與下層接觸的部位，係藉由導電性材料所形成。在基板處理工程中，產生於基板之表面絕緣層的電荷經由下層及基板保持具逃逸。
简体摘要：抑制因旋转之基板的表面与流体的摩擦而引起之基板的带电。去除存在于基板(W)之周缘部之表面绝缘层(例如热氧化膜)的至少一部分，使导电性高于形成表面绝缘层之材料的下层(例如硅晶圆)露出。其后，一面借由基板保持具来保持基板并使其旋转，一面对基板进行处理。基板保持具中之至少与下层接触的部位，系借由导电性材料所形成。在基板处理工程中，产生于基板之表面绝缘层的电荷经由下层及基板保持具逃逸。

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