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1. 发明专利

TW200931518A 用以控制微負載效應之脈衝偏壓電漿處理 PULSED BIAS PLASMA PROCESS TO CONTROL MICROLOADING 审中-公开
简体标题：用以控制微负载效应之脉冲偏压等离子处理 PULSED BIAS PLASMA PROCESS TO CONTROL MICROLOADING
公开(公告)号：TW200931518A
公开(公告)日：2009-07-16
申请号：TW097146381
申请日：2008-11-28
申请人：蘭姆研究公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：李原鐵 LEE, WONCHUL , 符謙 FU, QIAN , 劉身健 LIU, SHENJIAN , 卜布萊恩 PU, BRYAN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/32136
摘要：提供一種透過較寬及較窄特徵部的遮罩來蝕刻導電層之方法。通入一穩態蝕刻氣體。提供一穩態RF電力以由此蝕刻氣體而形成電漿。在穩態蝕刻氣體流動期間,提供一頻率介於1Hz到10000Hz之間之脈衝偏壓。利用由此蝕刻氣體所形成的電漿以蝕刻較寬及較窄的特徵部至導電層。
简体摘要：提供一种透过较宽及较窄特征部的遮罩来蚀刻导电层之方法。通入一稳态蚀刻气体。提供一稳态RF电力以由此蚀刻气体而形成等离子。在稳态蚀刻气体流动期间,提供一频率介于1Hz到10000Hz之间之脉冲偏压。利用由此蚀刻气体所形成的等离子以蚀刻较宽及较窄的特征部至导电层。

2. 发明专利

TW200926287A 邊緣斜角附近之氣體輪廓之成形方法與設備 METHOD AND APPARATUS FOR SHAPING GAS PROFILE NEAR BEVEL EDGE 审中-公开
简体标题：边缘斜角附近之气体轮廓之成形方法与设备 METHOD AND APPARATUS FOR SHAPING GAS PROFILE NEAR BEVEL EDGE
公开(公告)号：TW200926287A
公开(公告)日：2009-06-16
申请号：TW097137908
申请日：2008-10-02
申请人：蘭姆研究公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：陳傑克 CHEN, JACK , 貝利三世安祖D BAILEY III, ANDREW D. , 沙瑞夫艾克柏 SHAREEF, IQBAL
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02087 , C23C16/455 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/32136 , H01L21/67051 , H01L21/67069 , H01L21/6708
摘要：提供一種在製程腔室內蝕刻基板邊緣斜角的方法。此方法包括使惰性氣體流入定義在基板中心範圍上方的製程腔室中央區域,及使惰性氣體與製程氣體的混合氣體流至基板邊緣區域上。此方法更包括在邊緣區域激發電漿,惰性氣體流與混合氣體流於該區大體上維持製程氣體之質量分率不變。還提供一種用以清洗基板邊緣斜角的製程腔室。
简体摘要：提供一种在制程腔室内蚀刻基板边缘斜角的方法。此方法包括使惰性气体流入定义在基板中心范围上方的制程腔室中央区域,及使惰性气体与制程气体的混合气体流至基板边缘区域上。此方法更包括在边缘区域激发等离子,惰性气体流与混合气体流于该区大体上维持制程气体之质量分率不变。还提供一种用以清洗基板边缘斜角的制程腔室。

3. 发明专利

TWI310587B 電漿氧化及氧化物質之移除 PLASMA OXIDATION AND REMOVAL OF OXIDIZED MATERIAL 失效
简体标题：等离子氧化及氧化物质之移除 PLASMA OXIDATION AND REMOVAL OF OXIDIZED MATERIAL
公开(公告)号：TWI310587B
公开(公告)日：2009-06-01
申请号：TW095107964
申请日：2006-03-09
申请人：蘭姆研究公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：金允聖 KIM, YUNSANG , 安祖D. 貝利三世 BAILEY, ANDREW D. III , 尹央錫 YOON, HYUNGSUK ALEXANDER , 亞瑟M. 豪瓦德 HOWALD, ARTHUR M.
IPC分类号： H01L , C23F
CPC分类号： H01L21/32136 , H01L21/31683 , H01L21/321 , H01L21/32115 , H01L21/32135 , H01L21/32138 , H01L21/32139 , H01L21/7684 , H01L21/76865 , H01L21/76885
摘要：一種導電層之蝕刻方法,其包含:轉換導電層之至少一部份,及蝕刻導電層至實質上移除導電層之轉換部分,且因此暴露剩餘之表面。剩餘之表面具有小於約10nm之平均表面粗糙度。並且揭露導電層之蝕刻系統。
简体摘要：一种导电层之蚀刻方法,其包含:转换导电层之至少一部份,及蚀刻导电层至实质上移除导电层之转换部分,且因此暴露剩余之表面。剩余之表面具有小于约10nm之平均表面粗糙度。并且揭露导电层之蚀刻系统。

4. 发明专利

TWI310581B 基板近接處理結構及其使用方法與製造方法 SUBSTRATE PROXIMITY PROCESSING STRUCTURES AND METHODS FOR USING AND MAKING THE SAME 失效
简体标题：基板近接处理结构及其使用方法与制造方法 SUBSTRATE PROXIMITY PROCESSING STRUCTURES AND METHODS FOR USING AND MAKING THE SAME
公开(公告)号：TWI310581B
公开(公告)日：2009-06-01
申请号：TW096125205
申请日：2005-03-31
申请人：蘭姆研究公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：卡爾伍茲 WOODS, CARL , 麥可G. R. 史密斯 SMITH, MICHAEL G.R. , 約翰帕克斯 PARKS, JOHN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B08B3/02 , C25D5/08 , C25D17/00 , C25D17/001 , C25D21/00 , H01L21/02057 , H01L21/67023 , H01L21/67028 , H01L21/67034 , H01L21/6704 , H01L21/67051 , H01L21/67063 , H01L21/6708 , Y10S134/902
摘要：一種用以產生待形成於基板表面之流體彎液面的設備。該設備包括一外殼,該外殼包含一將緊鄰基板之基板表面設置之外殼表面;該外殼更包括一處理結構接受區域,其為該外殼表面所包圍。該設備亦包括一具有一嵌入表面之處理結構內嵌物,其中該處理結構內嵌物係定義成密合於該外殼之該處理結構接受區域內部,俾使該嵌入表面與該外殼表面定義出可緊鄰該基板之該基板表面設置的近接面。
简体摘要：一种用以产生待形成于基板表面之流体弯液面的设备。该设备包括一外壳,该外壳包含一将紧邻基板之基板表面设置之外壳表面;该外壳更包括一处理结构接受区域,其为该外壳表面所包围。该设备亦包括一具有一嵌入表面之处理结构内嵌物,其中该处理结构内嵌物系定义成密合于该外壳之该处理结构接受区域内部,俾使该嵌入表面与该外壳表面定义出可紧邻该基板之该基板表面设置的近接面。

5. 发明专利

TW200921823A 具有整合之電接點的基板夾持器 SUBSTRATE GRIPPER WITH INTEGRATED ELECTRICAL CONTACTS 审中-公开
简体标题：具有集成之电接点的基板夹持器 SUBSTRATE GRIPPER WITH INTEGRATED ELECTRICAL CONTACTS
公开(公告)号：TW200921823A
公开(公告)日：2009-05-16
申请号：TW097118344
申请日：2008-05-19
申请人：蘭姆研究公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：亞力山得歐薩斯 OWCZARZ, ALEKSANDER , 羅伯特諾普 KNOP, ROBERT , 麥可瑞夫肯 RAVKIN, MIKE , 卡爾A 伍茲 WOODS, CARL A.
IPC分类号： H01L , B23K
CPC分类号： H01L21/6723 , H01L21/68707 , H01L21/68728 , Y10T29/49002 , Y10T29/49828 , Y10T29/53039 , Y10T29/53265 , Y10T29/53543
摘要：一種基板固持與運送組件。該基板固持與運送組件包含一底板以及一對夾鉗,該對夾鉗於一隔開定位連接至該底板,該對夾鉗的該隔開定位能夠以至少兩獨立點支撐一基板。該基板固持與運送組件亦包含一電極組件,該電極組件連接至該底板之實質上位於該對夾鉗之間的一位置。當該基板存在且被該對夾鉗固持時,該電極組件被界定給予該基板一電接觸。
简体摘要：一种基板固持与运送组件。该基板固持与运送组件包含一底板以及一对夹钳,该对夹钳于一隔开定位连接至该底板,该对夹钳的该隔开定位能够以至少两独立点支撑一基板。该基板固持与运送组件亦包含一电极组件,该电极组件连接至该底板之实质上位于该对夹钳之间的一位置。当该基板存在且被该对夹钳固持时,该电极组件被界定给予该基板一电接触。

6. 发明专利

TW200918803A 整合之氣體系統氣體面板用之撓性歧管 FLEXIBLE MANIFOLD FOR INTEGRATED GAS SYSTEM GAS PANELS 审中-公开
简体标题：集成之气体系统气体皮肤用之挠性歧管 FLEXIBLE MANIFOLD FOR INTEGRATED GAS SYSTEM GAS PANELS
公开(公告)号：TW200918803A
公开(公告)日：2009-05-01
申请号：TW097121528
申请日：2008-06-10
申请人：蘭姆研究公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：馬克塔斯卡 TASKAR, MARK
IPC分类号： F17D , H01L
CPC分类号： F16K27/003 , Y10T137/87249 , Y10T137/87885
摘要：一種變通性的氣體輸送裝置,具有一氣體控制盤,該氣體控制盤具有一第一延伸塊,該第一延伸塊具有一第一區段及一第二區段,該第一區段係配置於一混合閥及一基板之間,且具有一流體連通到一泵送╱沖洗歧管的出口開口;該氣體控制盤具有一第二延伸塊,該第二延伸塊具有一第一區段及一第二區段,該第一區段係配置於一沖洗閥和該基板之間,且具有一流體連通到一混合歧管的排放開口,其中該第一及第二延伸塊的該第二區段係從該氣體控制盤往外延伸。
简体摘要：一种变通性的气体输送设备,具有一气体控制盘,该气体控制盘具有一第一延伸块,该第一延伸块具有一第一区段及一第二区段,该第一区段系配置于一混合阀及一基板之间,且具有一流体连通到一泵送╱冲洗歧管的出口开口;该气体控制盘具有一第二延伸块,该第二延伸块具有一第一区段及一第二区段,该第一区段系配置于一冲洗阀和该基板之间,且具有一流体连通到一混合歧管的排放开口,其中该第一及第二延伸块的该第二区段系从该气体控制盘往外延伸。

7. 发明专利

TW200917350A 用以維持控制之彎月面內之液體分離的系統、方法與設備 SYSTEM, METHOD AND APPARATUS FOR MAINTAINING SEPARATION OF LIQUIDS IN A CONTROLLED MENISCUS 审中-公开
简体标题：用以维持控制之弯月面内之液体分离的系统、方法与设备 SYSTEM, METHOD AND APPARATUS FOR MAINTAINING SEPARATION OF LIQUIDS IN A CONTROLLED MENISCUS
公开(公告)号：TW200917350A
公开(公告)日：2009-04-16
申请号：TW097122567
申请日：2008-06-17
申请人：蘭姆研究公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：羅伯特歐唐尼爾 O'DONNELL, ROBERT , 林政宇 LIN, CHENG YU (SEAN) , 阿諾德科洛丹可 KHOLODENKO, ARNOLD
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B08B3/04 , H01L21/67034 , H01L21/67051
摘要：一種形成與利用近接頭的系統與方法。此近接頭包含一頭表面,而此頭表面包含一第一區域、一第二區域及一內返回區域。第一區域包含第一平表面區域及複數第一離散孔洞。該複數第一離散孔洞中的每一者皆連接至複數第一管道中的對應一者。該複數第一離散孔洞位於該頭表面中並延伸通過該第一平表面區域。該複數第一離散孔洞中的至少一部分係設置在第一列中。第二區域包含了第二平區域及複數的第二離散孔洞。該複數第二離散孔洞中的每一者皆連接至複數第二管道中的對應一者。該複數第二離散孔洞位於該頭表面中並延伸通過該第二平表面區域。該內返回區域包含了複數的內返回離散孔洞。該內返回區域係設置於該第一區域與該第二區域之間並與其相鄰。該複數內返回離散孔洞中的每一者係連接至複數內返回管道中的對應一者。該複數內返回離散孔洞係位於該頭表面中並延伸通過該頭表面。該複數內返回離散孔洞中的至少一部分係設置於內返回列中。該第一列與該內返回列係實質上平行。該複數內返回離散孔洞中的每一者的邊緣的第一部分係陷入該頭表面中。
简体摘要：一种形成与利用近接头的系统与方法。此近接头包含一头表面,而此头表面包含一第一区域、一第二区域及一内返回区域。第一区域包含第一平表面区域及复数第一离散孔洞。该复数第一离散孔洞中的每一者皆连接至复数第一管道中的对应一者。该复数第一离散孔洞位于该头表面中并延伸通过该第一平表面区域。该复数第一离散孔洞中的至少一部分系设置在第一列中。第二区域包含了第二平区域及复数的第二离散孔洞。该复数第二离散孔洞中的每一者皆连接至复数第二管道中的对应一者。该复数第二离散孔洞位于该头表面中并延伸通过该第二平表面区域。该内返回区域包含了复数的内返回离散孔洞。该内返回区域系设置于该第一区域与该第二区域之间并与其相邻。该复数内返回离散孔洞中的每一者系连接至复数内返回管道中的对应一者。该复数内返回离散孔洞系位于该头表面中并延伸通过该头表面。该复数内返回离散孔洞中的至少一部分系设置于内返回列中。该第一列与该内返回列系实质上平行。该复数内返回离散孔洞中的每一者的边缘的第一部分系陷入该头表面中。

8. 发明专利

TW200916676A 三閥入口組件 TRIPLE VALVE INLET ASSEMBLY 审中-公开
简体标题：三阀入口组件 TRIPLE VALVE INLET ASSEMBLY
公开(公告)号：TW200916676A
公开(公告)日：2009-04-16
申请号：TW097121529
申请日：2008-06-10
申请人：蘭姆研究公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：馬克塔斯卡 TASKAR, MARK
IPC分类号： F16K , F17D , H01L
CPC分类号： F16K27/003 , Y10T137/877 , Y10T137/87885
摘要：一種氣體傳送設備具有:一歧管塊,用以產生一流體流道;一水平入口埠連接至該歧管塊之一第一側,並與該流體流道呈流體連通,且用以接受一供給氣體;一氣動閥,於一第一端連接至該歧管塊,以防止未經授權之流體流動,該氣動閥與該流體流道及該水平入口埠呈流體連通;一沖洗閥,連接至該歧管塊,與該流體流道呈流體連通,鄰接著該氣動閥而設置;及一垂直沖洗埠,於一第一端連接至該歧管塊,該垂直沖洗埠設置於介於該沖洗閥與該氣動閥之間,並於一第二端具有一沖洗氣體之輸入/輸出的連結,其中該水平入口埠垂直於該垂直沖洗埠而設置。
简体摘要：一种气体发送设备具有:一歧管块,用以产生一流体流道;一水平入口端口连接至该歧管块之一第一侧,并与该流体流道呈流体连通,且用以接受一供给气体;一气动阀,于一第一端连接至该歧管块,以防止未经授权之流体流动,该气动阀与该流体流道及该水平入口端口呈流体连通;一冲洗阀,连接至该歧管块,与该流体流道呈流体连通,邻接着该气动阀而设置;及一垂直冲洗端口,于一第一端连接至该歧管块,该垂直冲洗端口设置于介于该冲洗阀与该气动阀之间,并于一第二端具有一冲洗气体之输入/输出的链接,其中该水平入口端口垂直于该垂直冲洗端口而设置。

9. 发明专利

TW200908104A 晶圓無電鍍系統及相關之方法 WAFER ELECTROLESS PLATING SYSTEM AND ASSOCIATED METHODS 审中-公开
简体标题：晶圆无电镀系统及相关之方法 WAFER ELECTROLESS PLATING SYSTEM AND ASSOCIATED METHODS
公开(公告)号：TW200908104A
公开(公告)日：2009-02-16
申请号：TW097113592
申请日：2008-04-15
申请人：蘭姆研究公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：威廉尤 THIE, WILLIAM , 約翰M 柏依 BOYD, JOHN M. , 佛禮茲C 瑞德克 REDEKER, FRITZ C. , 葉斯帝多迪 DORDI, YEZDI , 約翰帕克斯 PARKS, JOHN , 第瑞區若巴里阿瑞那吉拉 ARUNAGIRI, TIRUCHIRAPALLI , 亞力山得歐薩斯 OWCZARZ, ALEKSANDER , 陶得巴里斯基 BALISKY, TODD , 克林特湯瑪斯 THOMAS, CLINT , 傑可伯威利 WYLIE, JACOB , 亞倫M 休普 SCHOEPP, ALAN M.
IPC分类号： H01L , B05C
CPC分类号： H01L21/288 , C23C18/1619 , C23C18/1632 , H01L21/76873
摘要：本發明揭露晶圓無電電鍍的乾進/乾出系統。該系統包括上部區域,用作晶圓進出及乾燥操作。近接頭用來在上部區域實施乾燥操作。該系統也包括下部區域,用作無電電鍍操作。下部區域包括無電電鍍裝置,其利用流體湧升法實施晶圓浸沒。該系統的上部區域和下部區域被雙重壁腔室圍住,其中內壁是化學惰性塑膠,而外壁是結構金屬。該系統與流體處理系統接合,該流體處理系統提供必需的化學品供應、以及系統的控制。該系統是環境受控的。而且,該系統與環境受控的管理傳送模組(MTM)接合。
简体摘要：本发明揭露晶圆无电电镀的干进/干出系统。该系统包括上部区域,用作晶圆进出及干燥操作。近接头用来在上部区域实施干燥操作。该系统也包括下部区域,用作无电电镀操作。下部区域包括无电电镀设备,其利用流体涌升法实施晶圆浸没。该系统的上部区域和下部区域被双重壁腔室围住,其中内壁是化学惰性塑胶,而外壁是结构金属。该系统与流体处理系统接合,该流体处理系统提供必需的化学品供应、以及系统的控制。该系统是环境受控的。而且,该系统与环境受控的管理发送模块(MTM)接合。

10. 发明专利

TW200906499A 晶圓無電鍍方法與設備 METHOD AND APPARATUS FOR WAFER ELECTROLESS PLATING 审中-公开
简体标题：晶圆无电镀方法与设备 METHOD AND APPARATUS FOR WAFER ELECTROLESS PLATING
公开(公告)号：TW200906499A
公开(公告)日：2009-02-16
申请号：TW097113599
申请日：2008-04-15
申请人：蘭姆研究公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：威廉尤 THIE, WILLIAM , 約翰M 柏依 BOYD, JOHN M. , 佛禮茲C 瑞德克 REDEKER, FRITZ C. , 葉斯帝多迪 DORDI, YEZDI , 約翰帕克斯 PARKS, JOHN , 第瑞區若巴里阿瑞那吉拉 ARUNAGIRI, TIRUCHIRAPALLI , 亞力山得歐薩斯 OWCZARZ, ALEKSANDER , 陶得巴里斯基 BALISKY, TODD , 克林特湯瑪斯 THOMAS, CLINT , 傑可伯威利 WYLIE, JACOB , 亞倫M 休普 SCHOEPP, ALAN M.
IPC分类号： B05D , B05C
CPC分类号： H01L21/02104 , C23C18/1619 , H01L21/67005 , H01L21/6715
摘要：一種半導體晶圓無電電鍍設備,包括平臺和流體槽。平臺具有用來支托晶圓的上表面、以及從上表面的周緣往下延伸到平臺的下表面之外表面。流體槽具有由內表面所界定的內部容積,用來容納位於內部容積中的平臺以及支托於平臺上的晶圓。密封元件環繞流體槽的內表面,以當密封元件在流體槽的內表面以及平臺的外表面之間接合時形成液體緊密障壁。複數流體分配噴嘴位於流體槽內且在密封元件之上,用來分配無電電鍍溶液,使得無電電鍍溶液上漲且溢流過平臺之上,因此當晶圓存在於平臺上時溢流過晶圓之上。
简体摘要：一种半导体晶圆无电电镀设备,包括平台和流体槽。平台具有用来支托晶圆的上表面、以及从上表面的周缘往下延伸到平台的下表面之外表面。流体槽具有由内表面所界定的内部容积,用来容纳位于内部容积中的平台以及支托于平台上的晶圆。密封组件环绕流体槽的内表面,以当密封组件在流体槽的内表面以及平台的外表面之间接合时形成液体紧密障壁。复数流体分配喷嘴位于流体槽内且在密封组件之上,用来分配无电电镀溶液,使得无电电镀溶液上涨且溢流过平台之上,因此当晶圆存在于平台上时溢流过晶圆之上。

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