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1. 发明专利

TWI618791B 用於有機膜的化學機械研磨研漿組成物、其製備方法以及使用其的研磨方法有权
简体标题：用于有机膜的化学机械研磨研浆组成物、其制备方法以及使用其的研磨方法
公开(公告)号：TWI618791B
公开(公告)日：2018-03-21
申请号：TW105126301
申请日：2016-08-18
申请人：三星SDI股份有限公司 , SAMSUNG SDI CO., LTD.
发明人：都均奉 , DO, KEUN BONG , 金東珍 , KIM, DONG JIN , 鄭榮哲 , JUNG, YOUNG CHUL , 兪龍植 , YOO, YONG SIK , 崔正敏 , CHOI, JUNG MIN
IPC分类号： C09K3/14 , C09G1/02 , B24B29/02 , B24B37/00 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/04 , C09K3/14 , H01L21/306 , H01L21/321

2. 发明专利

TW201737340A 氧化矽膜的選擇性蝕刻方法审中-公开
简体标题：氧化硅膜的选择性蚀刻方法
公开(公告)号：TW201737340A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：TW106110238
申请日：2017-03-28
申请人： TES股份有限公司 , TES CO., LTD.
发明人：李鍾培 , LEE, JONG-BAE , 沈台用 , SIM, TAE-YONG
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/70
CPC分类号： H01L21/02 , H01L21/3105 , H01L21/311 , H01L21/321 , H01L21/3213 , H01L21/324
摘要：一種半導體製程中的氧化矽膜的選擇性蝕刻方法，包括：將形成有氮化矽膜及氧化矽膜的基板運入至反應器內部的基板支撐部的步驟；對運入至反應器內部的基板進行加熱並保持為第一溫度的步驟；於保持為第一溫度的期間向反應器內部供給鹵素氣體及鹼性氣體而與形成於基板上的氧化矽膜發生反應，從而於基板上形成反應生成物的第一步驟；將形成有反應生成物的基板加熱至第二溫度而去除反應生成物的第二步驟；將基板的溫度冷卻至第一溫度的第三步驟；及按照預先設定的次數重覆進行第一步驟至第三步驟的步驟。
简体摘要：一种半导体制程中的氧化硅膜的选择性蚀刻方法，包括：将形成有氮化硅膜及氧化硅膜的基板运入至反应器内部的基板支撑部的步骤；对运入至反应器内部的基板进行加热并保持为第一温度的步骤；于保持为第一温度的期间向反应器内部供给卤素气体及碱性气体而与形成于基板上的氧化硅膜发生反应，从而于基板上形成反应生成物的第一步骤；将形成有反应生成物的基板加热至第二温度而去除反应生成物的第二步骤；将基板的温度冷却至第一温度的第三步骤；及按照预先设置的次数重复进行第一步骤至第三步骤的步骤。

3. 发明专利

TWI598457B 使用自組裝單層形成ALD抑制層之方法有权
简体标题：使用自组装单层形成ALD抑制层之方法
公开(公告)号：TWI598457B
公开(公告)日：2017-09-11
申请号：TW105133783
申请日：2016-10-19
申请人：精微超科技公司 , ULTRATECH, INC.
发明人：樂寇帝兒勞倫 , LECORDIER, LAURENT
IPC分类号： C23C16/02 , C23C16/04 , H01L21/28
CPC分类号： C23C16/0272 , C22B5/12 , C22B15/00 , C23C16/04 , C23C16/45525 , C23C16/45527 , C23C16/56 , H01L21/0228 , H01L21/321 , H01L23/481

4. 发明专利

TW201716617A 使用自組裝單層形成ALD抑制層之方法审中-公开
简体标题：使用自组装单层形成ALD抑制层之方法
公开(公告)号：TW201716617A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW105133783
申请日：2016-10-19
申请人：精微超科技公司 , ULTRATECH, INC.
发明人：樂寇帝兒勞倫 , LECORDIER, LAURENT
IPC分类号： C23C16/02 , C23C16/04 , H01L21/28
CPC分类号： C23C16/0272 , C22B5/12 , C22B15/00 , C23C16/04 , C23C16/45525 , C23C16/45527 , C23C16/56 , H01L21/0228 , H01L21/321 , H01L23/481
摘要：一種使用一層SAM分子形成ALD抑制層之方法包括提供具有金屬M及該金屬M之氧化物層之一金屬化基板。使用包括金屬Q之一還原氣體以還原該金屬M之氧化物層，在該金屬M之頂部留下呈M+MQyOx形式的一層。以一蒸氣形式提供該SAM分子並在該M+MQyOx層上形成一ALD抑制SAM層。本發明亦揭露一種使用該ALD抑制SAM層進行S-ALD之方法。
简体摘要：一种使用一层SAM分子形成ALD抑制层之方法包括提供具有金属M及该金属M之氧化物层之一金属化基板。使用包括金属Q之一还原气体以还原该金属M之氧化物层，在该金属M之顶部留下呈M+MQyOx形式的一层。以一蒸气形式提供该SAM分子并在该M+MQyOx层上形成一ALD抑制SAM层。本发明亦揭露一种使用该ALD抑制SAM层进行S-ALD之方法。

5. 发明专利

TWI575755B 薄膜電晶體及其製程方法有权
简体标题：薄膜晶体管及其制程方法
公开(公告)号：TWI575755B
公开(公告)日：2017-03-21
申请号：TW103129461
申请日：2014-08-27
申请人：使督格爾大學
发明人：赫曼馬可斯 , HERRMANN, MARCUS , 福豪夫諾伯特
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/78606 , H01L21/321 , H01L21/465 , H01L21/467 , H01L27/1225 , H01L29/45 , H01L29/66969 , H01L29/78618 , H01L29/7869

6. 发明专利

TWI553117B 表面處理用組成物、表面處理方法及半導體裝置之製造方法有权
简体标题：表面处理用组成物、表面处理方法及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI553117B
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：TW099118156
申请日：2010-06-04
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：森康真 , MORI, YASUMASA , 仕田裕貴 , SHIDA, HIROTAKA , 河口和雄 , KAWAGUCHI, KAZUO , 矢野博之 , YANO, HIROYUKI , 松尾美惠 , MATSUO, MIE
IPC分类号： C11D7/32 , C11D7/50 , C11D7/22 , H01L21/3205
CPC分类号： C09K3/1472 , H01L21/02074 , H01L21/321

7. 发明专利

TW201629992A 奈米級導電薄膜的製作方法與具有該奈米級導電薄膜的觸控裝置审中-公开
简体标题：奈米级导电薄膜的制作方法与具有该奈米级导电薄膜的触摸设备
公开(公告)号：TW201629992A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：TW104136079
申请日：2015-11-02
申请人：宸鴻光電科技股份有限公司 , TPK TOUCH SOLUTIONS INC.
发明人：楊舜傑 , YANG, SHUN JIE , 邵泓翔 , SHAO, HONG SIANG , 張恩嘉 , CHANG, EN CHIN , 林熙乾 , LIN, HSI CHIEN
IPC分类号： H01B13/34 , G06F3/041
CPC分类号： G06F3/041 , B82Y15/00 , B82Y40/00 , C23F4/00 , G06F2203/04103 , H01L21/3065 , H01L21/321
摘要：一種製作奈米級導電薄膜的方法，包含提供一奈米基材，形成一第一圖案化絕緣層於該奈米基材上，以及於一電流產生系統中以該第一圖案化絕緣層為罩幕蝕刻該奈米基材。該奈米基材具有一基板、位於該基板之一側的一第一保護層以及疊層於該基板與該第一保護層之間的一第一奈米材料層。該第一圖案化絕緣層係形成於該第一保護層上，且暴露出部分該第一保護層，而該第一奈米材料層劃分為由該第一圖案化絕緣層所遮罩之多個第一區域以及未由該第一圖案化絕緣層所遮罩之多個第二區域。於該電流產生系統中蝕刻該奈米基材後，該第一奈米材料層中該等第一區域之間以該等第二區域電性隔離。
简体摘要：一种制作奈米级导电薄膜的方法，包含提供一奈米基材，形成一第一图案化绝缘层于该奈米基材上，以及于一电流产生系统中以该第一图案化绝缘层为罩幕蚀刻该奈米基材。该奈米基材具有一基板、位于该基板之一侧的一第一保护层以及叠层于该基板与该第一保护层之间的一第一奈米材料层。该第一图案化绝缘层系形成于该第一保护层上，且暴露出部分该第一保护层，而该第一奈米材料层划分为由该第一图案化绝缘层所遮罩之多个第一区域以及未由该第一图案化绝缘层所遮罩之多个第二区域。于该电流产生系统中蚀刻该奈米基材后，该第一奈米材料层中该等第一区域之间以该等第二区域电性隔离。

8. 发明专利

TW201546894A 用於不須氧化一單元及源極線之乾剝蝕之方法审中-公开
简体标题：用于不须氧化一单元及源极线之干剥蚀之方法
公开(公告)号：TW201546894A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW104113585
申请日：2015-04-28
申请人：新力股份有限公司 , SONY CORPORATION
发明人：阿卡特坎倫 , AKHTAR, KAMRAN , 杜塔阿希姆 , DUTTA, ASHIM , 雪瑞斯基艾力克斯J , SCHRINSKY, ALEX J. , 崔普尚恩J , TRAPP, SHANE J.
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L45/1666 , C23C8/04 , C23C8/08 , H01L21/02063 , H01L21/02074 , H01L21/31122 , H01L21/321 , H01L21/76814 , H01L21/76885 , H01L45/085 , H01L45/14 , H01L45/16
摘要：本發明之各種實施例係針對一種製造一記憶體單元之方法，其包括：在剝蝕一遮罩層之前對一單元結構及單元源極線執行一鈍化步驟以防止氧化該單元結構及該等源極線。
简体摘要：本发明之各种实施例系针对一种制造一内存单元之方法，其包括：在剥蚀一遮罩层之前对一单元结构及单元源极线运行一钝化步骤以防止氧化该单元结构及该等源极线。

9. 发明专利

TW201546878A 光阻膜形成裝置及其方法、導電膜形成及電路形成裝置及其方法、電磁波遮罩形成裝置及其方法、短波長高透過率絕緣膜之成膜裝置及其方法、螢光體之成膜裝置及其方法、微量材料合成裝置及其方法、樹脂模封裝置、樹脂模封方法、薄膜形成裝置、有機ＥＬ元件、凸塊形成裝置及其方法、配線形成裝置及其方法、以及配線構造體审中-公开
简体标题：光阻膜形成设备及其方法、导电膜形成及电路形成设备及其方法、电磁波遮罩形成设备及其方法、短波长高透过率绝缘膜之成膜设备及其方法、萤光体之成膜设备及其方法、微量材料合成设备及其方法、树脂模封设备、树脂模封方法、薄膜形成设备、有机ＥＬ组件、凸块形成设备及其方法、配线形成设备及其方法、以及配线构造体
公开(公告)号：TW201546878A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW104124726
申请日：2013-11-19
申请人：山田尖端科技股份有限公司 , APIC YAMADA CORPORATION
发明人：小林一彦 , KOBAYASHI, KAZUHIKO , 須田圭祐 , SUDA, KEISUKE
IPC分类号： H01L21/027 , B05B5/025 , H01L23/552 , H01L23/60 , H01L33/50 , H01B13/06 , B29C33/58
CPC分类号： H01L23/552 , B05B5/025 , B05B5/14 , B29C33/58 , B29C33/72 , G03F7/0002 , G03F7/164 , H01L21/3205 , H01L21/321 , H01L21/326 , H01L21/6715 , H01L24/19 , H01L24/24 , H01L24/48 , H01L24/76 , H01L24/82 , H01L24/85 , H01L2224/32145 , H01L2224/451 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/8592 , H01L2924/00011 , H01L2924/12041 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H05K1/11 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/01005
摘要：提供一種使用有能夠在工件上均一地形成薄的薄膜之靜電噴霧裝置的光阻膜形成裝置。光阻膜形成裝置(100)，係為藉由靜電噴霧而在基板上形成光阻膜(108)之光阻膜形成裝置，其特徵為，具備有：藉由被施加既定之電壓，而將成為光阻膜(108)之原料的液劑之粒子(131)朝向具有階差部(105a)之基板(105)進行噴霧之噴嘴(102)；和使基板(105)或噴嘴(102)作相對性移動之驅動手段(111)；和以使用液劑之粒子來在具有階差部(105a)之基板(105)上形成光阻膜(108)的方式而進行控制之控制手段(110)。
简体摘要：提供一种使用有能够在工件上均一地形成薄的薄膜之静电喷雾设备的光阻膜形成设备。光阻膜形成设备(100)，系为借由静电喷雾而在基板上形成光阻膜(108)之光阻膜形成设备，其特征为，具备有：借由被施加既定之电压，而将成为光阻膜(108)之原料的液剂之粒子(131)朝向具有阶差部(105a)之基板(105)进行喷雾之喷嘴(102)；和使基板(105)或喷嘴(102)作相对性移动之驱动手段(111)；和以使用液剂之粒子来在具有阶差部(105a)之基板(105)上形成光阻膜(108)的方式而进行控制之控制手段(110)。

10. 发明专利

TW201535658A 形成互連結構所用之鈍化保護的方法审中-公开
简体标题：形成互链接构所用之钝化保护的方法
公开(公告)号：TW201535658A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW104103600
申请日：2015-02-03
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：任河 , REN, HE , 那克美荷B , NAIK, MEHUL B. , 曹勇 , CAO, YONG , 凱薩波拉加達斯瑞蘭嘉薩V , KESAPRAGADA, SREE RANGASAI V. , 石美儀 , SHEK, MEI-YEE , 程亞娜 , CHENG, YANA
IPC分类号： H01L23/528 , H01L23/31 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/76841 , H01L21/02126 , H01L21/02167 , H01L21/0217 , H01L21/02266 , H01L21/321 , H01L21/76826 , H01L21/76829 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L21/76849
摘要：本發明提供在互連結構中的絕緣材料中所形成之金屬接線層上形成鈍化保護結構的方法。在一個實施例中，在半導體裝置之互連結構中的金屬接線上形成鈍化保護的方法包括：在併入多腔室處理系統的處理腔室中的基板上所形成之互連結構中由介電塊狀絕緣層圍束的金屬接線上選擇性形成金屬蓋層；在處理腔室中的基板上原位形成阻障層，其中阻障層係金屬介電層；及在多腔室處理系統中的阻障層上形成介電蓋層。
简体摘要：本发明提供在互链接构中的绝缘材料中所形成之金属接线层上形成钝化保护结构的方法。在一个实施例中，在半导体设备之互链接构中的金属接在线形成钝化保护的方法包括：在并入多腔室处理系统的处理腔室中的基板上所形成之互链接构中由介电块状绝缘层围束的金属接在线选择性形成金属盖层；在处理腔室中的基板上原位形成阻障层，其中阻障层系金属介电层；及在多腔室处理系统中的阻障层上形成介电盖层。

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